【課題】半導体基板を洗浄する方法および装置の提供。
【解決手段】基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供される。 （もっと読む）

【課題】４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてＣＭＰ工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ処理後の基板洗浄用である洗浄液を、アニオン性界面活性剤、水及びｐＨ調整剤を含有して構成する。また基板の研磨方法は、４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、前記洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 回転機構を持たない基板処理装置であっても、基板と接触する部位を清掃することができる基板処理装置の清掃装置を提供する。
【解決手段】 清掃装置２は、処理されるウエハＷと同じ外形のベース４００と、ベース４００の下面の周縁部に下向きに植設された清掃具であるブラシ４０２と、ブラシ４０２を動かす駆動源の振動発生装置４０４とからなり、ハンド１１上で清掃装置２の振動発生装置４０４が振動してブラシ４０２が振動し、ハンド１１のウエハ支持部材８１の支持面８６ａを清掃する。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜を研磨し、研磨完了時にポリシリコン膜が露出するＣＭＰ工程後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを効率よく除去する半導体基板用洗浄液と、それを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】 ポリシリコン膜と、該ポリシリコン層の少なくとも一部を被覆する酸化ケイ素膜とを有する基板を調整し、研磨粒子を含むＣＭＰ研磨液を用いて、前記ポリシリコン層の少なくとも一部が露出するまで前記酸化ケイ素膜を研磨し、前記基板の研磨がなされた面を洗浄する洗浄液であって、前記洗浄液が、分子内に少なくとも一つのアセチレン結合を有するノニオン性界面活性剤と、水とを含む、半導体基板用洗浄液。 （もっと読む）

【課題】基板表面に基板処理を行う際に、基板処理による基板上パターンへの損傷を小さくする。
【解決手段】実施の形態によれば、基板処理装置が提供される。前記基板処理装置においては、基板を処理対象面の裏面側から固定して支持する基板支持部を備えている。また、前記基板処理装置は、所定の液体を染み込ませるパッドが配置されるとともに前記液体で前記基板の処理対象面の基板処理を行う基板処理部を備えている。そして、前記基板処理を行う際には、前記基板を支持している基板支持部を前記パッド側へ近づける。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板の処理対象面を前記パッド表面の液体に接触させる。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板処理を行う。 （もっと読む）

【解決手段】 被加工物を洗浄するためのブラシを提供する。ブラシは、互いに貼り付けられた第１部分及び第２部分を有する硬質コアを含む。硬質コアは、硬質コアの回転軸線を中心に画成された開口を有する。流体チャンネルが、第１部分及び第２部分の反対面の間に画成される。流体チャンネルは、開口を画成する面から半径方向に延びる。第１膜及び第２膜が、第１部分及び第２部分の外側面に貼り付けられ、第１膜及び第２膜の運動は、流体チャンネルを通る流体の導入によって制御される。一実施形態では、膜は多孔質であり、流体は、洗浄のための磁気ディスク又は半導体基板等の被加工物に接触する洗浄液である。 （もっと読む）

【課題】ウェハーの中央領域の特異な洗浄を補償する手段を取る新しいスクラバータイプ装置を提供する。回転ブラシをローラーで置換したスクラバータイプの洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウェハー等は、基板の中央領域に面する区画に配置された一つ以上の非接触部分を有する回転ブラシを用いるか、またはウェハー及び回転ブラシの相対位置を切り換えるか、またはウェハーの中央領域の方へ優先的に洗浄液を向けることによって洗浄される。洗浄材のウェブ１１６を各ローラー１１０と基板との間に介装する。洗浄材の様々の異なるウェブ、例えば一つの織物、表面が各洗浄パスで再生された洗浄材の連続ループ、キャリアテープ等に設けた接着剤等を用いることができる。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマチャンバで使用される上方電極から金属汚染物質を洗浄するための方法。方法は、濃縮水酸化アンモニウムと、過酸化水素と、水とからなる洗浄溶液に上方電極を浸す工程を含む。洗浄溶液は、フッ酸及び塩酸を含まない。方法は、更に、上方電極を希硝酸に浸し、洗浄後の上方電極をすすぐ、随意の工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面に残存するナノパーティクルを効率的に除去するとともに、パーティクルの再付着や凝集を防止するために洗浄液の排出を促進することのできる洗浄加工布を提供する。
【解決手段】洗浄加工布は、単繊維の数平均直径が１〜１０００ｎｍであり、撚数が１０００Ｔ／Ｍ以上で撚糸されたマルチフィラメントの織物または編物からなる洗浄層１がクッション材３と積層一体化されなる積層体であり、その積層体のアスカーＣ硬度が７０以下の洗浄加工布である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、良好な平坦度及び膜厚均一性を有し、さらに品質の高いエピタキシャルシリコンウェーハを提供することにある。
【解決手段】鏡面研磨されたシリコンウェーハ１０（図１(ａ)）の表面上に、エピタキシャル膜２０を形成した後（図１(ｂ)）、前記シリコンウェーハの裏面のみに対し、研削加工処理、研磨加工処理あるいは化学エッチング処理を施し、エピタキシャル膜２０の形成時に前記シリコンウェーハ１０の裏面端部に付着したシリコン析出物２１を除去する（図１(ｃ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を伴わずに異なる種類の研磨加工を実現可能な研磨工具、研磨装置および研磨加工方法を提供すること。
【解決手段】研磨工具４３の研磨面は、第１の研磨パッド４５によって形成され、ワークの被研磨面の外形以上の大きさを有する中央研磨面と、第２の研磨パッド４６によって形成され、中央研磨面の外周を囲繞する外周研磨面とで構成される。そして、中央研磨面と外周研磨面とが段差を形成して外周研磨面が中央研磨面から突出しており、研磨工具４３は、全体として内側が窪んだ断面視凹型形状を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中に、チャンバの構成部品の表面上にもポリマー堆積物が形成され、時間が経つと、剥離、剥がれ落ちて、パーティクル汚染源となる。そのパーティクルを低減できるプラズマ反応室の構成部品を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに用いられる構成部品を、洗浄し、ポリマーの付着を促進する表面粗さに粗面化し、セラミック又は高温ポリマー等の被覆材料３２を構成部品の面上にプラズマ溶射する。構成部品としては、チャンバ壁、チャンバライナ３０、バッフルリング、ガス供給板２２、プラズマ閉じ込めリング１４及びライナ支持体が含まれる。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルを低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を検査する検査治具のプローブ端子を損傷することなく、低接触抵抗値を維持し、信頼性の高いプローブカードの洗浄方法を得る。
【解決手段】ウエハ一括コンタクトボード６０を構成するニッケル（Ｎｉ）からなる半球状のバンプ（プローブ端子）２２を備えたバンプ付きメンブレンリング１０を、フッ素濃度が１ｗｔ％未満の酸性フッ化アンモン水溶液に浸漬する。これにより、半導体素子を検査した時にアルミニウムパッドから剥がれてバンプ２２に付着したアルミニウムや酸化アルミニウムを、バンプ２２を損傷することなく除去することが可能である。また、バンプ２２を構成するニッケル（Ｎｉ）を溶解すること無く、バンプの表面に形成されたニッケル酸化物（ＮｉＯ）を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの端部に形成された薄膜または異物を、確実にかつ効率的に除去することができるウェハ端部処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ端部処理装置において、複数枚のウェハを起立状態にて互いに平行にかつウェハの中心を同軸上に配列させて支持するとともに、ウェハの中心を回転中心として複数のウェハを同時に回転駆動させるウェハ支持回転ユニットと、ウェハ支持回転装置により回転される複数のウェハの端部に接触しながら洗浄液を供給して、洗浄液により端部の薄膜または異物を除去する洗浄液供給ユニットと、洗浄液供給ユニットにより複数のウェハの端部に供給された洗浄液を除去する洗浄液除去ユニットとを備えさせ、複数枚のウェハを起立状態の姿勢にて端部にて対する処理を同時的に行う。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて効率良く洗浄作業を行うことができ、かつ、高い洗浄効果を得ることのできる半導体製造装置の洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の洗浄装置１００は、純水スチームを生成する純水スチーム生成容器２と、純水スチームを被洗浄部位へ供給する供給口１０と、純水スチーム生成容器２と供給口１０とを接続する純水スチーム供給ライン９と、純水を貯留する純水タンク５と、純水タンク５と純水スチーム生成容器２とを接続する純水供給ライン４と、純水供給ライン４に介挿された純水供給ポンプ６と、純水スチーム生成容器２内の純水の量を検知する重量センサ３と、重量センサ３からの信号に応じて純水供給ポンプ６を駆動し、純水スチーム生成容器２内に純水タンク５内の純水を供給する制御部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】研削加工されたウエーハの被研削面に残存するコンタミを可及的に減少させることができる洗浄機構を備えた研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブル上に保持された被加工物を研削する研削手段と、研削加工された被加工物の被研削面を洗浄する洗浄機構とを具備する研削装置であって、洗浄機構は被加工物の被研削面を上側にして保持するスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に洗浄水を噴出する洗浄水供給手段と、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に柔軟な払拭部材を接触させて被加工物の被保持面を払拭する払拭清掃手段と、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面にオゾン水を噴出するオゾン水供給手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】吸着パッドの吸着面に偏磨耗を発生させることがないとともに、被加工物に貼着された保護テープを剥離することなく洗浄すること。
【解決手段】被加工物を研削する研削手段と、被加工物を吸引保持する吸着パッドを備えた被加工物搬出手段と、被加工物の被保持面および吸着パッドの吸着面を洗浄する洗浄機構８とを具備する研削装置であって、洗浄機構８は吸着パッドの吸着面に垂直な方向に配設された回転軸と、回転軸を回転駆動する回転駆動手段８３と、回転軸の上端部に径方向に突出して配設され吸着パッドの吸着面を洗浄するための研削部材８４２を備えた第１の洗浄手段８４と、被加工物の被保持面を洗浄ための柔軟部材を備えた第２の洗浄手段８５と、第１の洗浄手段８４と第２の洗浄手段８５のいずれか一方を軸方向に進退し他方の洗浄手段の上面より高い洗浄位置と他方の洗浄手段の上面より低い退避位置に位置付ける位置付け手段８６とを具備している。 （もっと読む）

【課題】微細な凹部に付着した異物の除去が可能な異物除去方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ１３の先端を、異物５が存在する凹部１１に向けて下降させ凹部（溝）１１の底面１１ａにカーボンナノチューブ１３の先端を接触させた後、さらにカーボンナノチューブ１３を下降させてカーボンナノチューブ１３をたわませてカーボンナノチューブ１３の側面１３ａを凹部１１の底面１１ａに押し付け、その側面１３ａを凹部１１の底面１１ａに押し付けた状態のままカーボンナノチューブ１３を凹部１１の底面１１ａ上で移動させることで、異物５に対して力を加える。 （もっと読む）

【課題】 裏面研削加工された半導体基板のエッジ周面に固着するシリコン研削屑を除去できる洗浄機器の提供。
【解決手段】 洗浄機器１の中央部に洗浄液貯水槽１３を設け、この貯水槽の中央部に起立して設けられた回転スピンドル１８の周囲に支持フランジ２９を設け、この支持フランジより遊星回転軸２８を前記回転スピンドルに平行して起立して設け、半導体基板の外周縁から中心点に至る距離の直径の基板面拭い具２０を遊星回転軸２８の上方に設け、前記回転スピンドル１を回転駆動させることによりこの基板面拭い具２０を遊星回転させて半導体基板ｗの外周縁から中心点に至る面を遊星回転洗浄する。 （もっと読む）