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Fターム[5F157BB22]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 噴射、泡、スプレー (2,689) | ノズルの取付け、配置 (1,188)

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【課題】 構造を簡略化でき、小型・軽量化を図れ、低コスト化を達成でき、また洗浄時の装置の振動を抑制し、均一で効率的な洗浄を可能にする高圧洗浄液噴射式洗浄装置を提供する。
【解決手段】 高圧洗浄液を洗浄対象物xに対し一本の直線状に噴射させて洗浄する多数の噴射ノズル3を備えた高圧洗浄液噴射式洗浄装置1で、多数の噴射ノズル3をノズルホルダー2の下面の長手方向に沿って一定の間隔をあけて配列するとともに、ノズルホルダー2をその両側で支柱13の支持部材14の先端部に対し振り子部材15によりノズルホルダー2の長手方向に揺動可能に支持し、洗浄対象物xをノズルホルダー2の長手方向に直交する方向に搬送しながらノズルホルダー2を長手方向に振り子運動させると同時に、各噴射ノズル3から高圧洗浄液を洗浄対象物xに対し噴射させて洗浄する。 (もっと読む)


【課題】 流体量や流体圧の増加を必要とせずに、短時間で効率的に被洗浄物の全面を洗浄可能なスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】 被洗浄物を保持する保持面を有し回転可能なスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段とを備えたスピンナ洗浄装置であって、前記洗浄流体供給手段は、洗浄流体供給源に接続されたアームと、前記アームの先端に配設されて洗浄流体を前記保持面に向かって噴射する洗浄流体噴射ノズルと、前記スピンナテーブルに保持されて所定速度で回転される被洗浄物に対して、該アームの先端が該スピンナテーブルの回転中心を通るように該アームを揺動させる揺動手段とを含み、該洗浄流体噴射ノズルは、該アームの先端にロータリージョイントを介して配設され、該保持面と平行な面において該ロータリージョイントを中心に回転可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】一定の条件の下で基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、複数のガード14〜17と、各ガード14〜17を個別に昇降させる昇降機構40〜43と、制御部10とを備えている。各ガード14〜17は、スピンチャック2の周囲を取り囲む筒状部18e、19a、20a、21aと、筒状部18e、19a、20a、21aの上端部全周から内方に延びる環状の延設部18b、19b、20b、21bとを有している。各延設部18b、19b、20b、21bは、他の延設部と内径D1が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されている。制御部10は、いずれのガード14〜17を基板Wの周端面に対向させるときでも、スピンチャック2による基板保持位置P1からの内周部18c、19c、20c、21cの高さが等しくなるように昇降機構40〜43を制御する。 (もっと読む)


【課題】洗浄時におけるウエーハの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウエーハWの直径よりも小さい直径で保持面14を囲むように保持部11上面に環状に形成された溝部16と、一端が溝部16に連通し他端が大気に開放されるように保持部11に形成された連通路17とを備えることで、保持面14からの負圧吸引漏れによって吸着面に吸い込まれる雰囲気を、連通路17で開放された大気の雰囲気とし、溝部16より外周側におけるウエーハW裏面と保持部11上面との間からの吸い込み雰囲気を全周に亘って均等に低減させるようにし、よって、洗浄時におけるウエーハWの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制できるようにした。 (もっと読む)


【課題】純水よりも揮発性の高い揮発性処理液の液膜を基板上から除去して基板を乾燥させるときに、乾燥不良が発生することを抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】水平に保持された基板Wの上面に純水よりも揮発性の高い揮発性処理液の一例であるIPA(イソプロピルアルコール)を供給して、基板Wの上面全域を覆うIPAの液膜を形成する。そして、基板W上にIPAの液膜を保持させた状態で基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに基板Wを回転させて基板W上からIPAの液膜を除去する。このとき、基板Wの上面中央部に不活性ガスの一例である窒素ガスを吹き付けながら、基板Wの上面における中央部以外の前記回転軸線から一定距離離れた所定位置P1にIPAを着液させる。 (もっと読む)


【課題】例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄方法は、遮断板(30)を回転させながら、遮断板の上方に設けられた洗浄液供給手段(70)から洗浄液を遮断板に対して吐出させることにより、遮断板から飛散される洗浄液によってチャンバ(500)内を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】仕上げ研磨の後行うシリコンウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ18の粗研磨を経て行われる仕上げ研磨の後、前記シリコンウェハの表面に酸化膜22を形成し、前記酸化膜22の除去により前記表面上の不純物を除去するシリコンウェハ18の洗浄方法であって、前記酸化膜22の除去は、前記仕上げ研磨時に前記シリコンウェハ18の研磨面に形成される加工変質層22が酸化膜除去工程により除去されるまで行う。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、スループットが高く、メンテナンス周期の長い超臨界処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Wに付着した液体を超臨界状態の処理流体によって除去する超臨界処理装置3において、加熱部323は処理容器31内に供給された処理流体を超臨界状態とするために当該処理流体を加熱し、冷却機構322は基板Wが載置台321に載置されるまでに基板Wからの液体の蒸発を抑えるため、前記加熱部323から当該基板へと熱が伝わる領域を強制冷却する。 (もっと読む)


【課題】基板を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板Wの上面に処理液を供給する処理液ノズル4と、スピンチャックに保持された基板Wの周囲を間隔をあけて取り囲み、当該基板Wの上面周縁部から外方に排出される処理液に抵抗を与えるリング6とを含む。 (もっと読む)


【課題】耐食性に優れた表面保護膜を有するAl合金部材を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置を提供する。
【解決手段】Al合金部材74を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Al合金部材74の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜73で覆われ、かつ該陽極酸化膜73はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜72で覆われ、前記Al合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする電子装置製造装置。 (もっと読む)


【課題】超微細パターンの溝を有する回路基板でも洗浄及び乾燥を効率よく行なうことができる回路基板の製造装置を提供する。
【解決手段】回路基板14を保持する基板保持部16を有するロータ18と、上面に開閉蓋22が配設され、側部に通気隙間24を有する内側タンク26と、超音波発信機30と、分離可能なカバー32を有する外側タンク34と、回路基板14を真空吸着するバキュームパッド36を有する基板昇降機構44と、回路基板14を真空引きする真空ポンプ46と、開閉蓋22を磁気吸着するマグネットパッド48を有する開閉蓋昇降機構58と、内側タンク26内に洗浄液を供給する洗浄液供給機構62と、内側タンク26内に窒素ガスを噴射するガス噴射機構と、内側タンク26と外側タンク34との間の空間を減圧化する真空ポンプ66とを備えている。 (もっと読む)


【課題】実際に基板を処理させる処理部の数が変動しても、複数種類の処理を所定の順番どおりに効率よく基板に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST、加熱冷却ユニットPHP、冷却ユニットCPの順番で基板Wを搬送し、複数種類の処理を基板Wに行う。たとえば、レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST、加熱冷却ユニットPHPおよび冷却ユニットCPをそれぞれ3台、2台、1台使用しているところ、1台の加熱冷却ユニットPHPを使用処理部から外れた場合であっても、残っている使用処理部によって、所定の順番で基板Wに処理を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】基板の全面にわたって均一な品質の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を回転可能に保持する回転保持機構と、基板に処理液を吐出する吐出口を有する洗浄液ノズルと、前記洗浄液ノズルを平面視で基板Wの略中心と周縁との間で移動する洗浄液ノズル用移動機構と、回転保持機構と洗浄液ノズル用移動機構を制御して、基板を回転させ、かつ、処理液供給部を移動させて、処理液供給部から吐出された処理液を基板Wの全面に対して直接着液させる制御部と、を備えている。そして、処理液を基板Wの全面に対して直接着液させることで、基板Wの全面にわたって均一な処理を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】基板上に滞留した洗浄液を一定方向に流し去ることにより液切り効果を向上させることが可能となる洗浄基板の液切り装置を提供する。
【解決手段】基板30上に滞留する洗浄液90を排除する液切りローラー20は、基板30を搬送する搬送ローラー40により洗浄工程を経て搬入されてきた基板30を、接触して上下から挟み込んで配備され、且つ、基板30上に滞留する洗浄液90が一方向に流出するよう、基板30の進行方向に対し直角を除く任意の角度で設置される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ウェハ処理装置及び半導体装置の製造方法に関し、特にウェハを保持する保持部材に溝を設けることにより、処理液の液溜まりを抑制することが可能なウェハ処理装置及び半導体装置の製造方法である。
【解決手段】本発明に係るウェハ処理装置は、回転台6a、6bと、回転台を回転させる回転軸5と、回転台6a上に取り付けられ、ウェハ10の外縁を保持する固定チャックピン1と、固定チャックピン1に設けられた溝2aと、回転台6a、6bの上方に設けられた処理液を吐出するノズル11と、を具備し、固定チャックピン1におけるウェハ10の外縁との接触面3は、ウェハ10の外縁に沿うように形成されており、溝2aの開口部は接触面3に形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】微小パーティクルを効率よく除去する。
【解決手段】半導体素子のような電子部品を収納し、当該電子部品を搬送する電子部品搬送装置10Aは、電子部品が搭載される複数の電子部品支持部11と、複数の電子部品支持部11を個々の電子部品支持部11に画定する突起部12,13,14と、を備えている。そして、電子部品支持部11と突起部12,13,14の間の第1の領域並びに突起部12,13,14の端間の第2の領域とが電子部品搬送装置10Aの下面10bから同一の高さに構成されている。このような電子部品搬送装置10Aであれば、微小パーティクルが第1の領域及び第2の領域で滑降し、当該微小パーティクルが効率よく除去される。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウエハをキャリアと共に洗浄する際に、半導体ウエハを破損させることなく、半導体ウエハがキャリアから離脱すること防止する。
【解決手段】 半導体ウエハを洗浄する洗浄装置であって、半導体ウエハを収容するキャリアと、キャリアを収容する洗浄槽と、洗浄槽内でキャリアを支持し、キャリアと共に回転する回転部材を備えている。キャリアには、半導体ウエハを出し入れするための開口部が形成されている。回転部材には、回転部材に支持されたキャリアの開口部に配置される保持部材が形成されている。保持部材は、キャリアの開口部において、キャリアに収容された半導体ウエハの外周縁に対向する。その保持部材では、半導体ウエハの外周縁に当接し得る当接面が、半導体ウエハの外周縁に沿って湾曲していることを特徴とする。 (もっと読む)


ウルトラ/メガソニックデバイスを用いる半導体基板の洗浄方法は、チャックを用いて半導体基板を保持し、上記半導体基板に近接させて、ウルトラ/メガソニックデバイスを配置し、半導体基板上、および半導体基板とウルトラ/メガソニックデバイスとの間のギャップに、化学液を噴射し、洗浄プロセス中の上記チャックの各回転に対して、上記半導体基板とウルトラ/メガソニックデバイスとの間のギャップを変化させる。上記ギャップは、チャックの各回転に対して、0.5λ/N(ただし、λはウルトラ/メガソニックウェーブの波長、Nは2から1000の間の整数。)増加または減少する。上記ギャップは、洗浄プロセスの間、0.5λn(ただし、λはウルトラ/メガソニックウェーブの波長、nは1から始まる整数。)の範囲で変化する。
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【課題】処理を行う基板に対して歩留りが低下するのを防止できる基板処理装置、基板処理方法、及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる基板処理装置100は、基板101に処理液を供給してスピン処理を行う基板処理装置100であって、基板101を保持して回転させる吸着ステージ102と、吸着ステージ102上に載置された基板101を支持する支持ピン103と、支持ピン103が複数設けられたリング104と、リング104を上下に移動させるベローズバルブ105と、を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】被処理体の保持部側の面側に位置するリフトピンプレート(リフトピンを含む)や保持プレートといった部材に付着した薬液が原因でウエハに悪影響が生じることを防止する。
【解決手段】保持部31によって被処理体Wを保持する保持工程と、回転駆動部60によって保持部31によって保持された被処理体Wを回転させる回転工程と、薬液供給部16によって被処理体Wの保持部31側の面に薬液Cを供給する薬液供給工程と、薬液供給工程後に、ガス供給部20並びにリンス液供給部17よりガス及びリンス液Rを供給することによってリンス液滴を生成し、該リンス液滴を被処理体Wの保持部31側の面に向かって供給するリンス液滴供給工程と、リンス液滴供給工程後に、リンス液供給部17によって被処理体Wの保持部31側の面にリンス液Rを供給する仕上げリンス液供給工程とを備える。 (もっと読む)


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