【解決手段】多孔質低誘電率材料に又はこれを貫通してエッチングされた構造の底又は側壁に露出した孔を密封するのに、ミセル溶液を使用する。ミセル溶液は、エッチングされた構造からエッチング残渣を洗い流すのにも効果を発揮する。 （もっと読む）

本発明は、一般に流体を混合するための方法および機器に関する。より詳細には、本発明は、流体流を形成する近臨界および超臨界の流体へ導入された流体を混合するための方法および機器に関する。流体流中では密度勾配が生成され、それが迅速な混合をもたらす対流速度を誘起する。本発明は、流体の迅速なサイクル時間または迅速な混合が必要でありかつ残渣に対して低い許容度しか許されない、半導体およびウェハー製造のような商業用途などにおいて適用される。

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灰化されていないイオン注入されたフォトレジストをウェハ基板から洗浄するための配線の前工程（ＦＥＯＬ）の剥離および洗浄組成物は、ａ）少なくとも１種の有機剥離溶媒、ｂ）フッ化アンモニウム、重フッ化アンモニウムまたはフッ化水素の少なくとも１種からのフッ化物イオン、ｃ）無機または有機酸から選択される少なくとも１種の酸性化剤、および、ｄ）水、を含み、場合により酸化剤も組成物中に存在する。 （もっと読む）

【課題】硬化フォトレジスト及び／又は底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料をその上に有する超小型電子装置から、該材料を除去する。
【解決手段】水性組成物は、少なくとも１つのカオトロピック溶質、少なくとも１つのアルカリ性塩基、及び脱イオン水を含む。組成物は、集積回路製造において、銅などの基板上の金属種に対する悪影響なしに、そして超小型電子装置構造中で用いられる低誘電性材料への損害なしに、硬化フォトレジスト及び／又はＢＡＲＣ材料の高効率除去を達成する。 （もっと読む）

少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素および少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。除去化学薬品溶液は、フッ化水素ガスと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物も含む。少なくとも１つの気体状低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法を本明細書で説明する。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に混合するステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法も説明する。除去化学薬品溶液を生成する追加の方法は、少なくとも１つの気体状無水フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するために少なくとも１つの無水フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。また本明細書で説明するように、除去化学薬品溶液を生成する方法は、フッ化水素ガスを提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するためにフッ化水素ガスを少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハー様物の加工のためのオゾンの使用。
【解決手段】本発明は、オゾンを用いたウェハー様物（例えば、露出した銅表面を有する及び／又はｌｏｗ−ｋ（低誘電）材料を含む。）の加工方法に関する。特定の好ましい態様において、塩基もまた、ウェハー様物を加工するために使用される。 （もっと読む）

本開示は、半導体装置の製造中における化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）後の半導体ウエハの洗浄を検討する。金属特に銅の相互接続を含有するウエハのＣＭＰ後洗浄のための酸性化学剤が開示されている。残存スラリー粒子、特に銅または他の金属粒子は、金属を有意にエッチングすることなく、表面に付着物を残すことなく、または有意の有機（炭素のような）汚染質を表面に与えることなく、しかも金属を酸化および腐食から保護しながら、表面から除去される。さらに、溶液中の金属イオンを錯化し、誘電体からの金属の除去を促進し、ウエハ上への再付着を防止するために、少なくとも１種の強力なキレート化剤が存在する。酸性化学剤を用いると、ＣＭＰ後に使用される洗浄溶液のｐＨをウエハ表面で使用された最後のスラリーのそれとマッチさせることができる。 （もっと読む）