【課題】洗浄液としてのキレート過水液の濃度変化を抑制することが可能であり、その結果、使用するキレート過水液の材料費を低減することが可能な基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１Ａは、循環路と、濃度センサ２１と、制御部２６とを備える。循環路は、キレート過水液１００を用いてガラス基板２００の洗浄を行なう洗浄槽１０と、キレート過水液１００を一時的に貯留する貯留槽１６と、これら洗浄槽１０および貯留槽１６を接続する送り管１８および戻し管１５とを含んでいる。濃度センサ２１は、キレート過水液１００の濃度を検出するためのものであり、送り管１８に設けられている。制御部２６は、濃度センサ２１によって検出された濃度情報に基づいて所定量の純水を貯留槽１６に供給することでキレート過水液１００の濃度管理を行なう。 （もっと読む）

【課題】リンス処理によって静電気が発生して静電破壊が発生したり、洗浄したシリコンウェハ表面に静電気によってゴミが付着したりすることがなく、シリコンウェハのリンス処理時における金属不純物の付着を防止することができるとともに、コストにも配慮しつつ、更には、残渣が生じる懸念のないクリーンなリンス液を用いたリンス処理を行うことのできるシリコンウェハ清浄化方法及びシリコンウェハ清浄化装置を提供する。
【解決手段】洗浄液により洗浄したシリコンウェハを、炭酸水によりリンスする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも第１剤と第２剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記第１剤がアミン化合物を含有し、前記第２剤が酸化剤を含有し、さらに炭酸アルキレンを組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】 少ないアンモニアの使用量で半導体ウエハを効果的に洗浄する方法を提供すること。
【解決手段】 電気伝導度が１μＳ／ｃｍ以下である純水にアンモニアを添加してその濃度を０．００５〜０．５％としたアンモニア水中において生成させた、粒径が５０μｍ以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において１０〜１５μｍに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が１０００個／ｍＬ以上である、空気および／または不活性気体を含有する微小気泡を含むアンモニア水を、半導体ウエハの表面に接触させて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理液の濃度を安定して制御できるとともに、基板処理装置の処理効率の低下を防止できる基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】濃度測定手段３７により測定された濃度が、正常濃度範囲内でなければ濃度異常とし、全量液交換を実施する。正常濃度範囲内の場合は、目標濃度範囲内であれば測定された濃度の処理液で基板を処理し、第１濃度範囲であれば処理液を所定の量だけ補充して濃度補正を行う。また、第２濃度範囲内であれば、処理液を所定の量だけ排液した後、所定の量だけ液補充を行う。複数の濃度補正範囲を有することにより、濃度を安定して制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 洗浄時において電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 アルカリ成分（Ａ）、下記一般式（１）で表わされるポリオキシアルキレン化合物（Ｂ）および水を必須成分とすることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
ＨＯ−（ＥＯ）ｍ−（ＰＯ）ｎ−（ＥＯ）ｍ−Ｈ （１）
［式（１）中、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基；ｍはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜２５０の数、ｎはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜１００の数である。式（１）中の（ＥＯ）ｍと（ＰＯ）ｎと（ＥＯ）ｍは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。］ （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１を有する。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンの倒れを防止することに奏功するウェハの洗浄方法に関し、経済的かつ効率的にウェハを洗浄することが可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸パターンを有し、該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの表面に前処理用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面を改質する、前処理工程、および、
改質された凹凸パターンの表面に保護膜形成用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面に撥水性の保護膜を形成する、保護膜形成工程
を少なくとも含むウェハの洗浄方法であって、
前記前処理工程では、酸をモル濃度で０．００１〜５ｍｏｌ／Ｌ含み、ｐＨが３以下である前処理用薬液を用いて、４０℃以上、前処理用薬液の沸点未満の温度で凹凸パターンの表面を改質することを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの凹部表面にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を有するウェハ（金属系ウェハ）のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１〜１０であり炭素数が６〜１８の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量１００質量％に対して０．００００１質量％以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】室温でもポリイミドを良好に除去することができ、アルミニウム及びアルミニウム合金配線の腐食防止効果にも優れるだけでなく、長期間使っても析出の問題がないポリイミド除去用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量に対し、（Ａ）０．１〜１０重量％の下記化学式１で示される第４級アンモニウム水酸化物、（Ｂ）５０〜９０重量％のグリコールエーテル系化合物、（Ｃ）７〜３０重量％のグリセリン、及び（Ｄ）残量の水を含むポリイミド除去用洗浄剤組成物を提供する。
［化学式１］
［Ｎ−（Ｒ）_４］^＋・ＯＨ⁻
前記式で、Ｒは炭素数が１〜５のアルキル基である。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、半導体ウエハをエッチング処理するための所定処理液を収容するエッチング処理槽２と、エッチング処理にて前記所定処理液中に生じるパーティクルを捕捉する第１および第２フィルタ５ａ，５ｂと、前記パーティクルを溶解する液体として、前記所定処理液と同じ液体の予備液を収容する予備槽７と、処理槽２内の処理液を第１フィルタ５ａに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させ、その後、処理槽２内の処理液を廃棄した後、該処理槽に予備槽７内の液体を供給し、かつ、該予備槽に新たな予備液を供給して、処理槽２内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第１フィルタ５ａに通して循環させる制御部９０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体インゴットをスライスする際に油性スラリーおよび水溶性スラリーのいずれを使用したかに関わらず、太陽電池のテクスチャ構造形成においてほぼ同一のアルカリエッチング条件を適用することを可能とする。
【解決手段】加工用スラリーを用いて半導体インゴットをスライス加工して半導体ウェーハを切り出し（ステップＳ１）、半導体ウェーハの表面に付着した加工用スラリーを洗浄除去して（ステップＳ２）得た太陽電池基板用半導体ウェーハの表面を、酸化作用のみを有する酸化性薬液を用いて洗浄する（ステップＳ３）。この酸化性薬液を用いた洗浄は、半導体インゴットをスライスする際に、油性スラリーおよび水溶性スラリーのいずれを使用したかに関わらず、所定の条件により行う。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体に対する洗浄効果を発現できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、ＳｉＣ半導体の表面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜を除去する工程とを備え、酸化膜を形成する工程では、３０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のタングステンの腐食を抑制でき、かつ、半導体基板上のプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣の除去性に優れた洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）アミン化合物、（成分ｃ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、（成分ｅ）有機酸、並びに、（成分ｆ）水溶性有機溶剤、を含み、ｐＨが６〜９であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハの金属汚染をより抑制し得る最適な湿式酸化処理を実現するためのオゾン水供給システム、及び当該システムから供給されるオゾン水を用いて湿式酸化処理を行い得るシリコンウエハの湿式酸化処理システムを提供する。
【解決手段】オゾン水供給システムは、オゾン水供給装置１と、オゾン水供給装置１から湿式酸化槽１０に供給されるオゾン水のオゾン濃度を測定するオゾン濃度測定装置２，３とを備える。これにより、オゾン濃度測定装置２，３における測定値に基づいて、オゾン水供給装置１から湿式酸化槽１０に供給されるオゾン水のオゾン濃度を２ｐｐｍ以下に精確に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた２剤型半導体基板用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に混合して使用する、発泡剤成分と発泡助剤成分とを有する２剤型半導体基板用洗浄剤であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、さらに、前記発泡剤成分および／または前記発泡助剤成分が界面活性剤を含有し、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液のｐＨが７．５未満となる、２剤型半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた半導体基板の洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発泡剤成分および発泡助剤成分を半導体基板に供給して、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液中で半導体基板を洗浄する、半導体基板の洗浄方法であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、前記混合液のｐＨが７．５未満である、半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 処理液に溶解する二酸化炭素の量を、所望の濃度以上に維持し、かつ、二酸化炭素を無駄に消費しないようにした基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】 比抵抗計８１が、所望の比抵抗値より高い値を検出するとコントローラ８２は開閉制御弁Ｖ５を開け二酸化炭素が供給される。すなわち、ポンプ２４が、吸込み管２５によって処理液タンク３１から吸い込んだ処理液は、処理液送出管２３、分岐管２７、開閉制御弁Ｖ４、戻し管２８、ミキシングユニット５０、撹拌ノズル６１を経て処理液タンクに戻る処理液循環路を循環する動作を行い、循環動作の途中のミキシングユニット５０にて二酸化炭素を混入する。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄における例えばレジストの剥離処理等に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る低コストで省資源化の可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】キャリアガス制御弁１４を開成し、これとともに加圧ガス制御弁１９を開成して所定の圧力で加圧ガスを供給することにより加圧板１６を押圧して、気体貯槽１５内のキャリアガスＧを所定の圧力として、キャリアガス供給配管７に供給する。これとともに洗浄液Ｗ１を二流体ノズル８へ供給する。このようにして二流体ノズル８で混合された洗浄液Ｗ１とキャリアガスＧとから生成される液滴Ｗ２の噴流を、シリコンウエハ５に接触させて、該シリコンウエハ５の表面を洗浄する。洗浄液Ｗ１としては、硫酸を電気分解して得られる過硫酸を含有する硫酸溶液が好ましい。 （もっと読む）