【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：ハフニウムおよび／またはジルコニウムを含む第１の酸化物材料を含む高誘電体層と；前記高誘電体層の上部に蒸着され、ランタン、ランタニド、および／または、アルミニウムを含む第２の酸化物材料を含むキャップ層と、を備えたスタックを準備する工程と；酸化剤を含む水溶液である液体Ａを前記半導体ウエハの表面に供給する工程ＳＡと；工程ＳＡの後に、６未満のｐＨ値の液体である液体Ｂを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＢと；工程ＳＢの後に、少なくとも１０ｐｐｍのフッ素濃度の酸性水溶液である液体Ｃを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＣとを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：酸化ランタンまたは酸化ランタニド（例えば、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｐｒ₂Ｏ₃、Ｃｅ₂Ｏ₃）を含む層を準備する工程と；炭酸水である水溶液を供給することにより、酸化ランタンまたは酸化ランタニドを含む層を特定の領域で除去して、酸化ランタンまたは酸化ランタニドを含む層が上に蒸着された表面を露出させる工程とを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコンインゴットのスライス後の洗浄において、シリコンウエハ表面の平坦性を損ねることなく、シリコンウエハ表面の汚れに対し優れた洗浄性を実現するシリコンウエハ製造工程用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 重量平均分子量６００〜２００,０００のアニオン性界面活性剤（Ａ）、高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ１）およびシリコーン系界面活性剤（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の浸透剤（Ｂ）、並びにアルカリ（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とするシリコンウエハ製造工程用洗浄剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】付加的な洗浄工程を追加することなくバリア膜の洗浄を行なうことができ、生産コストの上昇が抑えられる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｏｗ−ｋ膜の開口部に、バリア膜を介在させて銅めっき膜が形成される。次に、バリア膜のルテニウムを除去するための所定の洗浄処理が施される。このとき、半導体基板の裏面に、塩酸と過酸化水素水とをそれぞれ所定時間吐出させる。次に、所定の時間待機することにより、塩酸と過酸化水素水とを反応させる。次に、反応した薬液を、半導体基板を回転させることによってその裏面に均一に広げる。この一連のステップを１サイクルとして、これを少なくとも１回、必要に応じて２回以上繰り返す。塩酸と過酸化水素水とが反応してより濃度の高い塩素イオンが発生することにより、ルテニウムが溶解して除去される。 （もっと読む）

洗浄方法は、液体を介して基板を露光する際に用いられかつ前記液体と接する部材を洗浄する。前記部材をアルカリ溶液で洗浄し、次いで、前記部材を過酸化水素を含む溶液で洗浄する。
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【課題】露光装置の露光空間を構成する部材を良好に洗浄することにより、露光不良によるデバイスの欠陥を低減する露光装置及び露光装置の洗浄方法を得ることを課題とする。
【解決手段】露光装置の投影光学系の最終面とこの最終面に対向する基板ステージの表面との間の空間を形成する部材を洗浄するために、洗浄液又はリンス液を吐出する洗浄ノズルと、この洗浄ノズルに前記洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄ノズルに前記リンス液を供給するリンス液供給手段と、前記洗浄液供給手段及び前記リンス液供給手段の供給を制御する制御手段とを備え、この制御手段は、前記洗浄ノズルから洗浄液を吐出する前後に、前記リンス液を洗浄液の吐出に連続して供給するように制御することができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性の悪化を抑制するとともに、ＰＬ特性の悪化を抑制することができるＩｎＰ基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩｎＰ基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板の製造方法は、以下の工程（ステップ）を備えている。ＩｎＰインゴットを準備するＳ１。このインゴットは、ＩｎＰからなっていてもよく、Ｆｅ、Ｓ、Ｓｎ、およびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含んでいてもよい。次に、準備したインゴットからＩｎＰ基板をスライス加工した後Ｓ２、ＩｎＰ基板を、研磨剤、化学研磨液などを用いて研磨しＳ３、ＩｎＰ基板を準備する。次に、研磨したＩｎＰ基板を前処理するＳ４。前処理により、研磨剤、化学研磨液などを除去する。続いてＩｎＰ基板を硫酸過水で洗浄しＳ５、この後、ＩｎＰ基板をリン酸で洗浄するＳ６。 （もっと読む）

【課題】超純水中に含まれるアミン系の有機物などを短時間で高精度に検出し、超純水の水質を評価できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】超純水を第１のカラム４ａに通水する。第１のカラム４ａからの流出水中の溶存水素濃度測定値が第１の濃度設定値以下まで低下するか、又はこの測定値の上昇速度が第１の濃度変化速度設定値以下まで低下したときには、循環する超純水中のシリコン汚染物質の濃度が十分に低減された可能性があると判断し、通水カラムを第１のカラム４ａから第２のカラム４ｂに切り替える。第２のカラム４ｂへの通水開始後、該第２のカラム４ｂからの流出水中の溶存水素濃度測定値が第２の濃度設定値を超えないか、又はこの測定値の上昇速度が第２の濃度変化速度設定値を超えない場合には、循環ライン２３を循環する超純水中のシリコン汚染物質の濃度が十分に低減されたと判断し、ユースポイント２４への供給ラインのバルブを開ける。 （もっと読む）

【課題】溶存ガス濃度が低濃度（低飽和度）であるガス溶解水を安定して供給することが可能なガス溶解水供給装置及びガス溶解水の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス供給配管３１から気相室１３内に酸素ガスを供給すると共に、真空ポンプ３５を作動し、気相室１３内を真空排気する。また、原水配管２１から液相室１２内に原水を供給する。気相室１３内の酸素の一部は、気体透過膜１１を透過して液相室１２内の原水に溶存し、ガス溶解水が製造される。気相室１３内の酸素の残部は、凝縮水と共に真空ポンプ３５で吸引されて排気配管３３から排出される。ガス溶解水の溶存酸素濃度が溶存ガス濃度計２３で測定され、この測定濃度が目標値となるように、ガス流量制御弁３２の開度が調節される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を検査する検査治具のプローブ端子を損傷することなく、低接触抵抗値を維持し、信頼性の高いプローブカードの洗浄方法を得る。
【解決手段】ウエハ一括コンタクトボード６０を構成するニッケル（Ｎｉ）からなる半球状のバンプ（プローブ端子）２２を備えたバンプ付きメンブレンリング１０を、フッ素濃度が１ｗｔ％未満の酸性フッ化アンモン水溶液に浸漬する。これにより、半導体素子を検査した時にアルミニウムパッドから剥がれてバンプ２２に付着したアルミニウムや酸化アルミニウムを、バンプ２２を損傷することなく除去することが可能である。また、バンプ２２を構成するニッケル（Ｎｉ）を溶解すること無く、バンプの表面に形成されたニッケル酸化物（ＮｉＯ）を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】枚葉式スピン洗浄により半導体基板を洗浄する際に、パーティクルの発生を抑えながら清浄度を向上させることができ、スループットの低下を抑えることができる半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を回転させながら上記半導体基板の表面に純水を供給して全面に純水の被覆層を形成し、同時に上記半導体基板の表面に超音波を印加しながらフッ化水素酸水溶液を供給して、パーティクルの付着を防止しつつ半導体基板表面の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】オゾン水を貯蔵することも、無駄に廃棄することもなく、半導体ウェハを洗浄する技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ洗浄システム１０は、洗浄装置１２とオゾン水製造装置４を含んでいる。洗浄装置１２の第１制御部１６は、半導体ウェハをオゾン水で洗浄する洗浄処理の開始時刻に先立って、オゾン水製造装置４が予め定められた濃度のオゾン水を製造するのに要する設定時間前に供給予報信号８をオゾン水製造装置へ送信し、洗浄処理の開始時刻に供給指示信号１４をオゾン水製造装置へ送信する。オゾン水製造装置４の第２制御部６は、洗浄装置１２から供給予報信号８を受信するとバルブ１８を閉じたままガス発生部２を起動し、洗浄装置１２から供給指示信号１４を受信するとバルブ１８を開く。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた洗浄性、および耐泡立ち性を呈し、さらにＣＯＤの少ないＨＤ用基板用の洗浄剤組成物、およびそれを用いたＨＤ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＮｉ−Ｐ含有層を有するＨＤ用基板用の洗浄剤組成物は、重量平均分子量が１,０００〜１０,０００であるポリアクリル酸アルカリ金属塩（成分(a)）と、ｐ−トルエンスルホン酸アルカリ金属塩（成分(b)）と、水溶性アミン化合物（成分(c)）と、キレート剤（成分(d)）と、水（成分(e)）とを含有し、実質的に非イオン性界面活性剤は含まず、成分(a)、成分(b)、成分(c)、および成分(d)の総量中、成分(a)を５〜３５重量％、成分(b)を１５〜５０重量％、成分(c)を１５〜５０重量％、成分(d)を５〜２５重量％含有し、かつ成分(c)と成分(d)の重量比｛成分(c)/成分(d)｝が０．８〜５である。 （もっと読む）

【課題】効率的な生産が可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液で基板Ｗを処理するための処理ユニット６と、この処理ユニット６に処理液を供給する処理液供給部２５とを含む。処理液供給部２５は、所定の大きさに統一され、処理液が流通する配管２８をそれぞれ有する複数の処理液供給モジュール２２と、複数の処理液供給モジュール２２をそれぞれ配置するための複数の配置空間が内部に設けられた流体ボックス７とを含む。 （もっと読む）

【課題】有機物質、特に半導体ウエハーのような支持体からのホトレジスト物質を除去する処理のための他の技術及び組成物を明らかにする。
【解決手段】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体１８から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。支持体は、液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、液状硫酸組成物は、液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。支持体は次いで好ましくは洗浄されて物質を除去する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】熱酸化シリコン膜、非ドープＣＶＤ酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜、窒化シリコン膜を含む積層膜に対して、常温において洗浄時の各種膜に対するエッチング量差を低減し、また、各種膜に対するエッチング速度を適度に制御することを可能とする。
【解決手段】半導体基板の主面上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に導電層を堆積する工程と、前記導電層の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記絶縁層および前記導電層をエッチングすることによってゲート素子を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を除去した前記半導体基板の主面を半導体洗浄用組成物によって洗浄する工程と、前記半導体洗浄用組成物のリンス処理および乾燥処理を行う工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体洗浄用組成物は、フッ化アンモニウムと、フッ化水素酸と、過酸化水素と、脂肪族第１級アミンとを含む２０℃〜２８℃の混合水溶液からなる。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ナトリウムなどの水溶液が用いられるが、アルカリ成分中の金属不純物が処理中に基板表面に吸着してしまうため、次工程として吸着した金属不純物を除去する工程が必要となる。また洗浄液の場合には、微粒子の除去には効果があるが、金属不純物は洗浄出来ないために酸洗浄を行う必要があり、工程が複雑となる。本発明では、アルカリ性水溶液で金属不純物の吸着がない、さらには洗浄能力を持つ基板処理用水溶液組成物を提供する。
【解決手段】
アルカリ成分と、特定のキレート剤とを組み合わせた基板処理用アルカリ性水溶液により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に付着した金属を洗浄除去する。必要に応じて、金属防食剤および界面活性剤を加えて、金属材料の腐食を抑え、あるいは基板への親和性および微粒子除去能力を高めることも可能である。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ洗浄法を用いた半導体洗浄装置に組み込める簡易なシステムであって、過酸化水素に由来する洗浄液の硫酸濃度の低下を抑制することにより硫酸溶液寿命を延長し、これにより環境負荷低減を図ることができる洗浄システムを実現すること。
【解決手段】本発明の洗浄システムは、硫酸溶液と過酸化水素の混合液を洗浄液として半導体基板を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段から洗浄液を排出して前記洗浄手段に還流させる循環ラインと、内部が分子ふるい型水分子選択性透過膜で隔てられた濃縮側と透過側の領域を有し、前記濃縮側の領域を前記循環ラインに介設した脱水モジュールを有する脱水手段と、前記脱水手段の透過側を減圧する真空ポンプと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】汚染物質を良好に除去することができ、しかも半導体熱処理治具の表面荒れ等も防止した、半導体熱処理治具の洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板を熱処理する際にこれを保持するために用いられる、シリコンからなる半導体熱処理治具の洗浄方法である。洗浄液として、弗酸の配合比が質量比で１％以上８％以下、硝酸の配合比が質量比で３５％以上７０％以下、水もしくは水と酢酸との混合物の配合比が質量比で３０％以上６０％以下に調製された、弗酸と硝酸と水もしくは水と酢酸との混合物との混合液を用い、この洗浄液によってシリコンからなる半導体熱処理治具をエッチングすることで、半導体熱処理治具を洗浄する洗浄工程を有する。 （もっと読む）