【課題】極めて低い濃度に精度良く調整された薬液を、基板に供給することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】混合部材１３には、集合導入管（低濃度薬液流通管）１５と、アンモニア導入管１６、過水導入管１７、塩酸導入管１８および高濃度ふっ酸導入管（高濃度薬液流通管）１９が接続されている。集合導入管１５は大流量の処理液が流通するラインである。集合導入管１５は、低濃度ふっ酸配管３３を介して、タンク３８と循環路３６を構成する循環配管３９の途中部に接続されている。循環配管３９とタンク３８とによって循環路３６が構成されている。循環配管３９の途中部には、温度調節ユニット４１が介装されている。 （もっと読む）

【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】 ベースから基板が落下することを低減し、十分な洗浄ができる基板の製造方法、を提供することを目的とする。
【解決手段】 ベース２に接着されたブロック１と、アルカリ液４と、を準備する工程と、ベース２に接着されたブロック１をスライスし、ベース２に接着された基板列とする工程と、基板列をアルカリ液４により洗浄する工程と、基板列をベース２から剥離し複数の基板１ａとする工程と、を有し、アルカリ液はＢｒｉｘ値で管理される。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度を低減した処理液で基板を処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに対向する基板対向面３４を有し、基板対向面３４の周囲からスピンチャック３に向かって突出した周壁部３２が形成された遮断板６と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する第１上側処理液供給管３５とを備えている。第１上側処理液供給管３５には、第２上側処理液供給管３８を介して第１配管内調合ユニット５１から薬液が供給される。この薬液は、薬液原液と、不活性ガス溶存水生成ユニット５０によって純水中の酸素が脱気され、当該純水中に不活性ガスが添加されて生成された不活性ガス溶存水とが第１混合部５９内で混合されることにより調合されたものである。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の一実施形態によると、腐食防止剤と、可溶化剤と、脱酸素剤と、ｐＨ調整剤としても機能する錯化剤とを含む洗浄溶液が提供されている。本発明の別の実施形態では、ｐＨ調整剤と、随意的な錯化剤と、腐食防止剤とを含む洗浄溶液が提供されている。洗浄溶液は、可溶化剤を随意的に有してもよく、界面活性剤を随意的に有してもよく、誘電体エッチャントを随意的に有してもよい。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄面の大径化に容易に対応できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る超音波洗浄装置は、伝搬液１５に超音波エネルギーを与える超音波振動子１３と、前記超音波振動子によって超音波エネルギーが与えられた伝搬液を流す超音波伝搬管１２と、前記超音波伝搬管の下方に配置された、被洗浄物２１を保持する保持機構と、前記保持機構によって保持された被洗浄物の洗浄面に洗浄液を供給する洗浄液供給機構と、を具備し、前記超音波伝搬管１２は、その側面が、前記洗浄液供給機構によって前記洗浄面に洗浄液を供給することで該洗浄面に形成される該洗浄液の液膜１９に接触するように配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 （１１１）表面のシリコン（Ｓｉ）基板に、原子レベルで超平坦な表面を実現する。
【解決手段】 シリコン基板（１１１）表面を、予め、フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）溶液で表面処理した後、濃度６８％，沸点１２０．７℃の共沸硝酸溶液内に浸漬して、前記シリコン基板表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）主体の被膜を形成し、ついで、濃度４０重量％のフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）溶液で上記二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）主体の被膜をエッチング除去する。ＡＦＭ像では、バイレイヤー ステップが観測され、表面粗さの指標（ＲＭＳラフネス値）が0.07nmと判定され、原子レベルでの超平坦な表面が形成できた。 （もっと読む）

【課題】塩化物等の析出のおそれがなく、かつ配管の劣化を直ちに検出可能なウェーハ製造装置用の配管構造及びこの配管構造を備えたウェーハ製造設備を提供する。
【解決手段】ウェーハ製造装置に塩酸を供給する配管構造において、外管２１と、外管２１の内部に挿入されたフッ素樹脂からなる内管２２とを備え、内管２２が塩酸を流通させる酸流通路２３とされ、外管２１と内管２２の間には隙間２４が設けられてこの隙間２４が析出防止用流体を流通させる流体通路２５とされていることを特徴とする配管構造１２、１４を採用する。 （もっと読む）

【課題】電解硫酸の生成のための電流効率を向上させるとともに、同時に、レジスト等の洗浄剥離効率を高めることのできる電解硫酸による洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】硫酸電解槽１に外部より第１の硫酸溶液を供給して電解を行い、前記硫酸電解槽１内に酸化性物質を含有する第１の電解硫酸を生成する工程と、前記硫酸電解槽１に、外部より、先に供給した第１の硫酸溶液より濃度の高い第２の硫酸溶液を供給して、前記硫酸電解槽１内において、前記第２の硫酸と前記第１の電解硫酸とを混合するとともに、更に、電解を行い、前記硫酸電解槽１内に硫酸と酸化性物質を含有する第２の電解硫酸よりなる洗浄液を生成する工程と、前記洗浄液を用いて洗浄対象物２３の洗浄処理を行う洗浄処理工程とを備えたことを特徴とする電解硫酸による洗浄方法及び当該洗浄装置を用いた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薬液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】初期薬液処理では、基板表面Ｗｆにシリコン酸化膜が形成されており、基板表面Ｗｆは親水面となっている。そこで、初期薬液処理（時刻０から時間Ｔ1が経過するまでの間）においてはフッ酸溶液の流量を５１０（ｍＬ／ｍｉｎ）に抑えてフッ酸の使用量を抑制している。一方、初期薬液処理により基板Ｗのシリコン層の少なくとも一部が露出してくるタイミングでフッ酸溶液の流量を１５３０（ｍＬ／ｍｉｎ）に増大させて連続薬液処理中を実行しているため、基板表面Ｗｆの一部にシリコン層が露出して疎水面が形成されたとしてもフッ酸溶液が基板表面Ｗｆ全体をカバレッジしてシリコン酸化膜のエッチング除去を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いた半導体装置等では、理論値通りの特性が得られないことが多いため、本発明では、その原因を究明して炭化珪素の改善を図る。
【解決手段】炭化珪素表面における金属不純物濃度が高いこと、その表面金属不純物濃度を１×１０^１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２）以下にすることにより、実質的に特性の劣化を防止できることを見出した。このような高い清浄度の表面を有する炭化珪素は硫酸と過酸化水素水を含む水溶液を用いて洗浄することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾン水中のオゾン濃度の減衰を抑制して、オゾン濃度の高い加熱オゾン水を効率的に製造することができる加熱オゾン水の製造方法を提供する。
【解決手段】純水又は炭酸ガス含有純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を加熱する加熱オゾン水の製造方法において、オゾン水を、液体を加熱媒体とする熱交換手段２により昇温速度６．０〜１０．０℃／秒で６０〜９０℃に加熱する加熱オゾン水の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄方法及び保管方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄方法は、ヒドロキシ酸を含む溶液中で、マイクロバブルの存在下で洗浄することを特徴とする。
【効果】本発明の洗浄方法により、シリコンウエハ表面のパーティクル成分、油分汚染等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】最上層配線はAl膜厚が厚いため、レジストの膜厚も下層に比べて厚く、エッチング時間も長いためAl側壁へのポリマ堆積が他製品に比べても非常に多い。Alエッチ後のポリマ剥離液として使用している標準的なフッ化アンモニウム系のポリマ剥離液の処理時間を単に延長するだけでは、強固なポリマ膜等に対しては完全に除去することができていないことが明らかとなった。
【解決手段】本願発明はフッ化アンモニウム系のポリマ剥離液（弗化物塩添加有機溶剤水溶液）が一定の水希釈領域（高Ａｌエッチ・レート領域）において、アルミニウム系の金属又は合金に対して、著しく大きなエッチング速度を呈する性質を利用してアルミニウム系の配線をドライ・エッチングする際に形成される側壁ポリマをリフトオフさせるために、ウエハのデバイス面へのポリマ剥離液および純水等の洗浄液の供給を交互に繰り返すものである。 （もっと読む）

【課題】ＮｉＳｉ（ニッケルシリサイド）を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。
【解決手段】ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）を含む半導体基板をドライエッチング及び／又はアッシングした後に存在する残渣の除去液であって、フッ化アンモニウム、フッ化アミン、フッ化テトラアルキルアンモニウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物塩；フッ化物塩以外のアンモニウム塩、フッ化物塩以外のアミン塩、フッ化物塩以外のテトラアルキルアンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物塩以外の塩；並びに水を含み、フッ化物塩の濃度が５重量％以上、フッ化物塩以外の塩の濃度が３重量％以上、フッ化テトラアルキルアンモニウム及びフッ化物塩以外のテトラアルキルアンモニウム塩の合計濃度が１５重量％未満であり、ｐＨが７〜９である残渣除去液。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、良好に除去できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、含フッ素化合物を含有する洗浄液に浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、前記含フッ素化合物が、炭素数５以上の直鎖または分岐構造のパーフルオロアルキル基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンを破壊することなく、短時間でレジストを剥離することのできる、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】イオン注入処理時のマスクとして基板上に形成され、イオン注入処理により表層部に硬化層が形成されたレジストに、流体を供給する工程と、前記流体を供給する工程の後に、前記レジストに、前記レジストを剥離する剥離液を供給する工程とを具備し、前記流体を供給する工程は、前記流体として、純水を流量比で１／４００以上含む流体を供給する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を減らすことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液を用いて基板に対して液処理を施す複数の処理部２２−１乃至２２−６と、複数の処理部２２−１乃至２２−６に処理液を供給する複数の処理部２２−１乃至２２−６で共通の処理液供給管２１０と、複数の処理部２２−１乃至２２−６のうち、稼働する処理部の数に応じて、処理液供給管２１０中の処理液の流量を増加又は減少させるように制御する流量制御部２２０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】過硫酸の自己分解を抑制し、少量の薬品で高濃度の過硫酸をオンタイムで供給することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極１２と、陰極１４と、陽極１２と陰極と１４の間に設けられた隔膜１０と、陽極１２および陰極１４の隔膜１０と反対側の面に接触して設けられた集電体１６，１８とを有し、陽極１２側および陰極１４側に電解液として硫酸溶液を流し、陽極１２と陰極１４との間に電圧を印加して過硫酸を電解生成させる電解槽４を備え、１０〜９６重量％濃度の硫酸溶液を電解液として、１回の流通で０．００１ｍｏｌ／Ｌ〜０．２ｍｏｌ／Ｌの範囲の濃度の過硫酸を生成させる過硫酸製造装置１。 （もっと読む）

【課題】過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極１２および陰極１４が隔膜１０側の面と集電体１６，１８側の面に通ずる少なくとも１つの流路を有し、集電体１６，１８が電極１２，１４側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも１つの溝を有することにより、あるいは、陽極１２および陰極１４が隔膜１０側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも１つの溝を有することにより、過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置１。 （もっと読む）