【課題】本発明は、シリコンウエハーの洗浄方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、（Ｓ１１）シリコンウエハーの表面を標準洗浄１に従うＳＣ‐１洗浄液で洗浄する段階；（Ｓ１２）上記（Ｓ１１）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；（Ｓ１３）上記（Ｓ１２）段階でリンスされたシリコンウエハーの表面を塩酸、オゾン水及び脱イオン水を含んでなる洗浄液を用いて洗浄する段階；（Ｓ１４）上記（Ｓ１３）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；及び（Ｓ１５）上記（Ｓ１４）段階でリンスされたシリコンウエハーを乾燥させる段階；を含んで行うことを特徴とする。本発明によれば、洗浄工程とともにシリコンウエハーの表面に強い酸化力を持つ物質を用いて安定した表面酸化膜を形成することで、時間が経過しても外部の不純物がシリコンウエハーの表面に吸着されるなどの問題を解決することができ、かつ工程が簡単で安全に行える長所がある。 （もっと読む）

【課題】短いサイクル時間を可能にし、表面の粗さを許容できないほど増大させずに効果的な清浄化を可能にする方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素とオゾンを含有する第一の水性液膜を、清浄化されるべき半導体ウェハの表面上に形成させることと、前記第一の液膜を、フッ化水素とオゾンを含有する第二の水性液膜と置き換えることと、前記第二の液膜を除去することとを含み、前記第二の液膜中のフッ化水素の濃度が前記第一の液膜中よりも低い、半導体ウェハの清浄化方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】基板を支持する基板支持部材上の汚染物質を除去する枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。また、高温の薬液による基板支持部材の熱変形を最小化できる枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板支持部材２００に上向離隔された状態で支持された基板Ｗの下面に薬液を噴射して基板Ｗを処理し、基板支持部材２００の上面に洗浄液を噴射して基板支持部材２００上に残留する薬液を除去する。基板支持部材２００の熱変形は、一連の反復的な基板処理工程後、常温状態の洗浄液を用いて基板支持部材２００を洗浄することで最小化することができる。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを低減でき、かつ、パーティクル除去性能を最大限に確保できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部４７は、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内を所定圧力環境とするように制御し、かつ、噴出管１３から処理槽１内へ供給される純水の窒素ガス溶存量を所定溶存量となるように制御するとともに、処理槽１内に貯留された窒素ガス溶存水に付与する超音波振動の出力を所定出力値とするように制御するので、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内の圧力値、処理液の気体溶存量および超音波振動の出力値を変更することができ、基板Ｗの種類に応じてキャビテーションでの気泡崩壊発生圧力を調整でき、処理液の気体溶存量を飽和溶存量とすることができ、各種の基板に対してもダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能を最大限に確保できる。 （もっと読む）

【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部７２は、処理ユニット４〜７の薬液バルブ３３の開時間を取得し、その薬液バルブ３３に関する累積開時間を算出するとともに、４つの処理ユニット４〜７の４つの薬液バルブ３３の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ３３の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット３は予め定める量の第１成分、第２成分および第３成分を、それぞれ、薬液タンク４０に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】基板に付着させた液膜を凍結させる技術を用いた基板洗浄方法および基板洗浄装置において、パーティクル除去率を向上させる。
【解決手段】基板表面ＷｆにＳＣ１溶液（アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液）を供給して基板表面ＷｆにＳＣ１溶液で構成された液膜１１を形成する。続いて、液膜１１を凍結させて基板表面Ｗｆに凍結膜１３を形成する。その後、基板表面Ｗｆに向けてＳＣ１溶液を供給して基板表面Ｗｆから凍結膜１３を除去する。このように、パーティクルに対してＳＣ１溶液による除去効果を常に発揮させながら、液膜１１の凍結時の体積膨張による除去効果を重畳して作用させているので、基板Ｗからパーティクルを効果的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１が当接されることにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。ブラシ２１により掻き取られた汚染を、ＤＩＷにより洗い流すことができる。 （もっと読む）

常圧プラズマと洗浄液とを用いてウェーハを洗浄して、洗浄工程収率を増加させ、洗浄されたウェーハのボンディング時に、ボンディング特性を向上させるウェーハ洗浄方法とそれを利用したウェーハボンディング方法に関する。ウェーハ洗浄方法は、工程チャンバにウェーハの接合面が上部に向かうように、ウェーハを装入し、ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、ウェーハを工程チャンバから引き出してなされる。また、ウェーハボンディング方法は、第１工程チャンバに第１ウェーハの接合面が上部に向かうように、第１ウェーハを装入し、第１ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、第１ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、第１ウェーハを第１工程チャンバから引き出して、第２工程チャンバに装入し、第３工程チャンバに第２ウェーハの接合面が上部に向かうように、第２ウェーハを装入し、第２ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、第２ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、第２ウェーハを第３工程チャンバから引き出して、第２工程チャンバに第２ウェーハの接合面が第１ウェーハの接合面と互いに対向するように装入し、第１ウェーハの接合面と第２ウェーハの接合面とをボンディングする。
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【課題】ＡｒＦレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】ワンバス方式の基板洗浄装置において、薬液の種類に応じた最適な閾値を使用して比抵抗値のチェックを行い、リンス処理の終了動作を適正化できる技術を提供する。
【解決手段】本発明の基板洗浄装置では、リンス処理時に行われる比抵抗値のチェックに使用される閾値を、レシピ設定画面４２ａ上で工程毎に個別に設定できる。このため、リンス処理の直前に使用される薬液の種類に応じて各閾値を設定すれば、各工程のリンス処理において最適な閾値を使用して比抵抗値をチェックできる。また、これにより、各工程のリンス処理を適正に終了させることができる。 （もっと読む）

【解決手段】化学機械研磨後に半導体ウェーハを洗浄するための方法を提供する。方法の一例では、ウェーハに酸化環境における熱処理を施し、その後、還元環境における熱処理を施す。酸化環境における熱処理では、残留物を除去すると共に、露出した銅を酸化して酸化銅層を形成する。還元環境における熱処理では、その後、酸化銅を元素銅へ還元する。これにより、露出した銅は清浄となり、無電解メッキ等、更なる処理のための状態となる。 （もっと読む）

【課題】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物であって、約0.005重量％から約５重量％までのフッ化物を与える成分、約１重量％から約50重量％までのグリコール溶媒、リン含有酸、及び水を含む組成物；該組成物と基板を接触させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】活性度の高い処理液を得ることができ、その処理液による良好な処理を基板に施すことができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】第２薬液供給管１１において、塩酸と過酸化水素水とが混合され、ミキシングバルブ８において、その混合により得られる混合液とＤＩＷとが混合される。これにより、塩酸と過酸化水素水との混合液がＤＩＷで希釈され、ウエハＷに供給すべき濃度の処理液が得られる。すなわち、塩酸と過酸化水素水とは、ＤＩＷにより希釈される前に、それぞれ濃度が高い状態で混合される。その結果、塩酸と過酸化水素水との良好な化学反応が生じ、活性度の高い混合液を得ることができる。そして、この活性度の高い混合液にＤＩＷが適当に混合されることにより、活性度が高くかつウエハＷの処理に適した濃度の処理液を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】マルチオキサイドプロセスを用いた場合においてトランジスタ特性の安定した半導体装置を得ることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１２表面に第１絶縁膜１６が形成された第１領域２０と、半導体基板１２表面が露出した第２領域２２とを形成する工程と、第２領域２２において露出する半導体基板１２の表面を洗浄液により洗浄する工程と、第２領域２２の半導体基板１２表面に前記洗浄液により形成された化学酸化膜２４を、除去する工程と、第２領域２２の半導体基板１２表面に第１絶縁膜１６とは膜厚の異なる第２絶縁膜２６を形成する工程と、その上にゲート電極膜を形成してそのゲート電極膜（とその下の第１絶縁膜１６および第２絶縁膜２６）にパターンを形成する工程とを含み、前記酸化膜を除去する前記工程は、水素ガスの存在下、温度９４０℃以上９９０℃以下、圧力３０Ｔｏｒｒ以上１５０Ｔｏｒｒ以下で前記半導体基板を処理することにより前記酸化膜を除去するものである。 （もっと読む）

【課題】基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】メモリには、過去直近に開成されたバルブ（最終開バルブ）を特定するための情報が記憶されている。バルブを新規に開成する場合、その開成に先立ち、メモリに記憶されている最終開バルブを特定するための情報が参照される。そして、基板に対する第１薬液の供給に引き続いて、基板に第２薬液が供給されることになる場合など、処理室２内などで第１薬液、第２薬液および第３薬液の相互間の混触を生じることになる場合には、そのバルブの新規開成が禁止される。そのため、処理室２内などにおける第１薬液、第２薬液および第３薬液間での混触を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハー表面に付着した粒子状汚染物質を洗浄するためのシステム並びに方法を提供する。
【解決手段】その内部に分散結合体を懸濁させた洗浄媒体をウエハー表面上に供給する。外部エネルギーを洗浄媒体に印加して、洗浄媒体内部に周期的せん断応力を発生させる。発生した周期的せん断応力により、結合体上で運動量および／あるいは抗力が作用する。この結果、結合体と粒子状汚染物質との間に相互作用が生じて、ウエハー表面から粒子状汚染物質が除去される。 （もっと読む）

【課題】処理液による基板処理の面内均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】二流体ノズルからの薬液の液滴の噴流が導かれるウエハの表面上の供給位置が、ウエハの回転中心からウエハの周縁部に至る範囲を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。薬液の供給位置がウエハの回転中心から離れるにつれて、二流体ノズルからウエハに供給される薬効成分の濃度が高くされている。その一方で、回転中心から離れているほど、ウエハの表面位置は高速に移動している。その結果、単位面積あたりの薬液の薬効成分の量がウエハの全域においてほぼ等しくなる。 （もっと読む）

【課題】パーティクル除去性能を少なくとも低下させることなく、かつ、基板のダメージを低減できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部４７は、処理槽１の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするように圧力調整ユニット４５を制御し、かつ、純水供給源１９から処理槽１内へ供給される純水に気体を溶存させるように気体溶存ユニット２５を制御するとともに、処理槽１内に貯留された処理液に超音波振動を付与するように超音波発生部５１を制御しているので、処理槽１の基板処理環境が大気圧よりも高い加圧環境とすることができ、大気圧下での気体溶存量よりも多くの気体を純水に溶存させることができ、キャビテーションを和らげるクッションとして作用する溶存気体を増加させることができ、ダメージを低減できるだけでなく、気体溶存量の増加によってパーティクルの除去性能も上がる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大口径化が進んでも高い洗浄能力が維持できる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０上に被研磨膜１３を形成する工程と、被研磨膜１３を研磨する工程と、研磨により形成された研磨面S1の少なくとも一部領域Iをエッチングする作用のある酸性の第１洗浄液に研磨面S1を曝す第１のステップと、該第１のステップの後、アルカリ性の第２洗浄液に研磨面S1を曝す第２のステップとを行うことにより、研磨面S1を洗浄する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク用途に使用することもできる、水晶のような基材表面の前処理ステップにおいて使用する、様々なｐＨ領域と伝導度を持つアルカリ性ベースの組成物を用いる方法を提供する。
【解決手段】ＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏが、容積比で１：２：２００〜１：１：１００となる希釈比で、水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱イオン水を含有する、ｐＨが８〜１２の_ｕｄＳＣ１組成物を用いて基材表面を処理し、次いで、ノニオン系洗浄剤と脱イオン水を容積比で１〜１００となる希釈比で含有し、ｐＨが８〜１１のノニオン系洗浄剤組成物を用いて前記基材の表面を処理する基材表面の洗浄方法。前記_ｕｄＳＣ１のｐＨが、前記ノニオン系洗浄剤組成物のｐＨより高いことを特徴とする。 （もっと読む）