【課題】被洗浄物に欠陥が発生してもその成長を抑えることができるとともに、洗浄作業を行う際に洗浄装置の各種異常を目視で検知することができる半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷを、洗浄液３が満たされた洗浄槽４０に浸漬して洗浄ユニットで半導体ウエハＷ表面の洗浄を行う半導体ウエハＷの洗浄方法において、少なくとも、半導体ウエハＷの洗浄液３浸漬中及び洗浄槽４０から引き上げた後の半導体ウエハＷ表面に洗浄液３が付着している間、半導体ウエハＷに対して可視光のうち所定の短波長域の光のみを照射する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を提供する。
【解決手段】ウェット・センド・インデクサ・ステーション１１０では、基板の表面状態が、疎水性から親水性に変化させられる。このプロセス・ステップにおいて表面金属汚染の増加なしに基板の表面状態を変化させるよう、本発明を使用する。これを行うには、クエン酸・過酸化水素溶液に基板を浸漬させる。前記溶液のｐＨレベルは、水酸化アンモニウムとコリンおよびテトラメチル水酸化アンモニウムから選択された塩基混合物の添加により約６．５ないし１４に調整される。両面ブラシスクラバに関して説明される。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。１又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第１及び第２の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第１及び第２の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第１及び第２の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 （もっと読む）

【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２から第２のライン４４が分岐している。第２のライン４４から複数の第３のライン（アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２に第２のライン４４の上流側端部および下流側端部がそれぞれ接続されている。第２のライン４４から複数の第３のライン（過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（過酸化水素水供給源４１、アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されている。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】従来のガス溶解水に比べて格段に高い洗浄効果を発揮する電子材料用洗浄水を提供する。
【解決手段】溶存ガスとして酸素とアルゴンとを含むガス溶解水よりなる電子材料用洗浄水であって、溶存酸素濃度が８ｍｇ／Ｌ以上であり、溶存酸素ガス量と溶存アルゴンガス量との合計に対して２体積％以上の溶存アルゴンガスを含む電子材料用洗浄水。この電子材料用洗浄水を用いて電子材料を洗浄する方法。酸素／アルゴンガス溶解水よりなる本発明の電子材料用洗浄水は、溶存ガス量が少なく、また、使用する薬品量も少ないものであっても高い洗浄効果を得ることができることから、安全に容易かつ安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨によりポリシリコン膜等が半導体基板上に表出する場合であっても、信頼性や製造歩留まりの低下を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】化学的機械的研磨法により研磨を行う工程であって、半導体基板上にポリシリコン膜が表出した状態になる工程と；半導体基板を洗浄する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板を洗浄する工程は、酸性の第１の洗浄液を用いて洗浄を行う第１の工程Ｓ１０と；第１の工程の後に、第２の洗浄液を用いて超音波洗浄を行う第２の工程Ｓ１２と；第２の工程の後に、アルカリ性の第３の洗浄液を用いて洗浄を行う第３の工程Ｓ１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】アニールウェーハの熱処理後の洗浄による表面粗さの悪化を防止することで、該アニールウェーハに薄い酸化膜を形成した場合であっても、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化のないアニールウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハを熱処理したアニールウェーハの洗浄方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶ウェーハ表面の前記熱処理後に形成された自然酸化膜を除去した後、ＲＣＡ洗浄を行うことを特徴とするアニールウェーハの洗浄方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】弗酸処理によって半導体基板上に形成された酸化膜を除去する際に、ウォーターマークの発生や異物の付着を効果的に防止しうる半導体基板の処理方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を弗酸処理して酸化膜を除去する工程と、半導体基板の表面を親水化する工程とを有し、半導体基板の表面を親水化する工程は、過酸化水素水を投入した処理槽内で半導体基板を処理する工程と、処理槽内にアンモニア水を更に投入して半導体基板をアンモニア過酸化水素水で処理する工程とを有し、半導体基板の表面を親水化する工程の後に、半導体基板を塩酸過酸化水素水で処理する工程を更に有する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一つの実施形態は、集積回路の製造方法である。製造方法は、まず、金属-誘電体ダマシン・メタライゼーション（金属化）層を備える基板を準備し、金属上にキャップを析出させる。キャップの析出後、アミンを加えてｐＨを約７から１３に調節した洗浄溶液で基板を洗浄する。本発明の別の実施形態は、基板の洗浄方法である。本発明のさらに別の実施形態は、洗浄溶液の組成である。 （もっと読む）

【課題】タングステンまたはモリブデンを主成分とする物品を安全かつ低コストで洗浄処理し、効率的に再利用することができる洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】水素よりもイオン化傾向が大きいタングステン、モリブデンを一次処理として酸化剤である過酸化水素水により処理することで、表面に付着した汚染物質の堆積層を安全に除去することが可能である。また、二次処理としてアンモニア水と過酸化水素水とを含む混合液で処理することで、表面に形成された酸化皮膜が除去されタングステン、モリブデンの効率的な再利用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】乾燥用流体の消費量を抑制でき、乾燥用流体の汚染も防止できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部１と、基板保持部１に保持された基板Ｗに対してアルカリを含む処理液を供給する第１の処理液供給部２ａと、基板保持部１に保持された基板Ｗに対して乾燥用流体を供給する第２の処理液供給部２ｂとを備える処理液供給機構２と、を具備し、第２の処理液供給部２ｂの乾燥用流体吐出ノズル２ｆが、不活性ガスを噴射する外側配管と、この外側配管内に設けられ、乾燥用流体を吐出する内側配管との多重構造を有し、乾燥用流体を吐出しないとき、外側配管から不活性ガスを噴射して内側配管を外気から遮断するように第２の処理液供給部２ｂを制御する汚染抑制機構８を備える。 （もっと読む）

【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ＩＬＤに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】（ａ）フッ化物イオンを提供する少なくとも１種のフッ化物化合物、（ｂ）アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である少なくとも１種の「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、および（ｃ）水を含有する、半水性洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、（ｄ）少なくとも１種の極性、水混和性有機溶媒、（ｅ）ｐＨ７以上、好ましくはｐＨ約９.５ないし約１０.８の最終組成物を産生するのに十分な量の、少なくとも１種の金属イオン不含塩基、および、１種またはそれ以上の（ｆ）多価アルコール、および（ｇ）界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 （もっと読む）

【課題】アルカリ性処理液及び酸性処理液を用いても、新たなパーティクルの発生を抑制し得る基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを保持し、基板Ｗとともに回転可能な基板保持部１と、基板保持部１に保持された基板Ｗに対してアルカリを含む処理液を供給する第１の処理液供給部２ａと、基板保持部１に保持された基板Ｗに対して酸を含む処理液を供給する第２の処理液供給部２ｂとを、備える処理液供給機構２と、基板保持部１の外側に設けられ、基板Ｗに供給された処理液を回収可能なドレインカップ３と、ドレインカップ３の外側に設けられ、洗浄液を貯留可能で、かつ、洗浄液をドレインカップ３に対してオーバーフロー可能な外カップ４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）

【課題】アルカリ性処理液及び酸性処理液を用いても、新たなパーティクルの発生を抑制し得る基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを保持し、基板Ｗとともに回転可能な基板保持部１と、基板保持部１に保持された基板Ｗに対してアルカリを含む処理液を供給する第１の処理液供給部２ａと、基板保持部１に保持された基板Ｗに対して酸を含む処理液を供給する第２の処理液供給部２ｂとを、備える処理液供給機構２と、基板保持部１の外側に設けられ、基板保持部１の周囲に設けられた外周壁３ａを備えるドレインカップ３と、ドレインカップ３の外側に設けられた外カップ４と、ドレインカップ３と外カップ４との間で昇降する昇降カップ８と、ドレインカップ３と外カップ４の間に設けられた昇降カップ８を洗浄する昇降カップ洗浄室４ｂと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金配線層にエッチングなどのダメージを与えることなく、側壁堆積物やレジスト残渣を洗浄除去できる半導体洗浄用組成物並びに、その半導体洗浄用組成物を用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機酸とアンモニアとフッ素化合物の混合水溶液からなることを特徴とする半導体洗浄用組成物を用いる。また、無機酸とフッ素化合物の混合水溶液からなることを特徴とする半導体洗浄用組成物を用いる。さらにこれらの半導体洗浄用組成物を用いてアルミニウム合金から構成される金属配線層３の側壁堆積物６やレジスト残渣を洗浄除去する工程を有する。 （もっと読む）