【解決手段】基板の表面の処理に使用される溶液を作成する方法を提供する。方法は、連続媒体を提供する工程を含み、連続媒体には重合体材料が追加される。重合体材料を有する連続媒体に脂肪酸が追加され、重合体材料は、脂肪酸が受ける浮力を克服する力を溶液中に及ぼす物理ネットワークを定め、これにより、付加された攪拌が重合体材料の降伏応力を上回るまで、脂肪酸が溶液中で移動するのを防止する。付加された攪拌は、溶液を容器から、基板の表面に溶液を付与する処理ステーションへ輸送することによるものである。 （もっと読む）

本発明は、半導体素子類を製造する工程中に感光性樹脂を除去するために使用される感光性樹脂除去剤組成物を開示する。より詳細には、ヒドラジン水和物またはアミン化合物３〜２０重量％と、 極性溶剤２０〜４０重量％と、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択される腐食防止剤０．０１〜３重量％と、Ｃ_２〜Ｃ_１０のモノアルコール化合物０．０１〜５重量％と、脱イオン水４０〜７０重量％とからなることを特徴とする。
本発明による半導体用感光性樹脂除去剤組成物は、ハードベイク、ドライエッチング、アッシング(ashing)、またはイオン注入工程により硬化された感光性樹脂膜及び前記工程中に下部の金属膜質からエッチングされて出てくる金属性副産物により変質された感光性樹脂膜を、低温で短時間内に容易に除去することができ、また感光性樹脂除去工程の中、下部の金属配線の腐食を最少化することができる。
（もっと読む）

本発明は、一般に流体を混合するための方法および機器に関する。より詳細には、本発明は、流体流を形成する近臨界および超臨界の流体へ導入された流体を混合するための方法および機器に関する。流体流中では密度勾配が生成され、それが迅速な混合をもたらす対流速度を誘起する。本発明は、流体の迅速なサイクル時間または迅速な混合が必要でありかつ残渣に対して低い許容度しか許されない、半導体およびウェハー製造のような商業用途などにおいて適用される。

（もっと読む）

【課題】ウェハー様物の加工のためのオゾンの使用。
【解決手段】本発明は、オゾンを用いたウェハー様物（例えば、露出した銅表面を有する及び／又はｌｏｗ−ｋ（低誘電）材料を含む。）の加工方法に関する。特定の好ましい態様において、塩基もまた、ウェハー様物を加工するために使用される。 （もっと読む）

平坦シリコン基板上に、バッファ層と高K金属酸化物誘電体が形成される。基板の平坦度は、高K金属酸化物ゲート誘電体が柱状成長することにより低下する。基板表面は、成膜の前に、水酸基終端で飽和化される。
（もっと読む）

エッチングチャンバ、レジスト剥離チャンバ等の、半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面のウェット洗浄方法は、石英表面を、少なくとも一つの有機溶媒、塩基溶液及び複数の異なる酸溶液と接触させて、石英表面から有機汚染物質及び金属汚染物質を除去する工程を含む。石英表面は、好ましくは、少なくとも２回酸溶液の一つと接触させられる。 （もっと読む）

本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

（もっと読む）

本発明は、別のウェハと接合するためにウェハの酸化表面を調製する方法であって、酸化表面には原子種が注入され、ＮＨ₄ＯＨとＨ₂Ｏ₂を使用して酸化表面を洗浄する第１ステップと、塩化水素種（ＨＣｌ）を使用して洗浄する第２ステップとを含み、第１ステップは、約１０Å〜約１２０Åでエッチングするように実行され、第２ステップは、約１０分間またはそれ以内の間、約５０℃以下の選択された温度で実行される。
（もっと読む）

【課題】この開示は、半導体装置を製造する間に、半導体ウェハの化学機械平坦化（ＣＭＰ）後のウェハの洗浄を扱う。
【解決手段】金属、特に銅、相互接続、を含むウェハの後ＣＭＰ洗浄用アルカリ化学薬品が開示される。残留スラリーパーティクル、特に銅および他の金属パーティクルは十分に金属をエッチングしたり、表面に堆積物を放置したりまたは金属を酸化および腐食から保護する間、ウェハに対して十分な汚染物を被ったりせずにウェハ表面から除去される。また、少なくとも１つの強キレート剤は溶液中の金属イオンと錯体を形成するための存在し、誘電体から金属の除去を促進し、かつウェハ上への再堆積を防ぐ。 （もっと読む）