【課題】 （１１１）表面のシリコン（Ｓｉ）基板に、原子レベルで超平坦な表面を実現する。
【解決手段】 シリコン基板（１１１）表面を、予め、フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）溶液で表面処理した後、濃度６８％，沸点１２０．７℃の共沸硝酸溶液内に浸漬して、前記シリコン基板表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）主体の被膜を形成し、ついで、濃度４０重量％のフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）溶液で上記二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）主体の被膜をエッチング除去する。ＡＦＭ像では、バイレイヤー ステップが観測され、表面粗さの指標（ＲＭＳラフネス値）が0.07nmと判定され、原子レベルでの超平坦な表面が形成できた。 （もっと読む）

【課題】電解硫酸の生成のための電流効率を向上させるとともに、同時に、レジスト等の洗浄剥離効率を高めることのできる電解硫酸による洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】硫酸電解槽１に外部より第１の硫酸溶液を供給して電解を行い、前記硫酸電解槽１内に酸化性物質を含有する第１の電解硫酸を生成する工程と、前記硫酸電解槽１に、外部より、先に供給した第１の硫酸溶液より濃度の高い第２の硫酸溶液を供給して、前記硫酸電解槽１内において、前記第２の硫酸と前記第１の電解硫酸とを混合するとともに、更に、電解を行い、前記硫酸電解槽１内に硫酸と酸化性物質を含有する第２の電解硫酸よりなる洗浄液を生成する工程と、前記洗浄液を用いて洗浄対象物２３の洗浄処理を行う洗浄処理工程とを備えたことを特徴とする電解硫酸による洗浄方法及び当該洗浄装置を用いた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フィルタの交換頻度を抑制することが可能な洗浄システム及び洗浄液循環方法を提供する
【解決手段】硫酸及び過酸化水素水が含まれる洗浄液１０１を収容する洗浄槽１１と、洗浄液１０１が、洗浄槽１１の排出口から排出され、加熱装置２１を通過して、フィルタ２５またはバイパスライン２８を通過して、洗浄槽１１の導入口に戻される洗浄循環ライン２９と、加熱された洗浄液１０１が、洗浄槽１１の排出口から排出され、冷却装置３３を通過した後、加熱することにより硫酸濃度を所定の濃度に高める再生槽３５の導入口に導入され、再生槽３５の排出口から排出され、冷却装置４１を通過して、バッファ槽５１に貯留され、バッファ槽５１から洗浄槽１１の導入口に戻される再生循環ライン５５とを有する。 （もっと読む）

【課題】硫酸のようなレジスト剥離液が希釈されることを防止してレジスト剥離液を再利用でき、レジスト剥離を効率良く行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの表面にレジスト剥離液を供給して基板Ｗからレジストを剥離する基板処理装置であり、レジスト剥離液内に酸化性ガスの微小気泡を混入して微小気泡を含むレジスト剥離液を生成する微小気泡生成ユニット３０と、微小気泡生成ユニット３０からレジスト剥離液を基板Ｗの表面に供給する供給部１５と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いた半導体装置等では、理論値通りの特性が得られないことが多いため、本発明では、その原因を究明して炭化珪素の改善を図る。
【解決手段】炭化珪素表面における金属不純物濃度が高いこと、その表面金属不純物濃度を１×１０^１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２）以下にすることにより、実質的に特性の劣化を防止できることを見出した。このような高い清浄度の表面を有する炭化珪素は硫酸と過酸化水素水を含む水溶液を用いて洗浄することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンを破壊することなく、短時間でレジストを剥離することのできる、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】イオン注入処理時のマスクとして基板上に形成され、イオン注入処理により表層部に硬化層が形成されたレジストに、流体を供給する工程と、前記流体を供給する工程の後に、前記レジストに、前記レジストを剥離する剥離液を供給する工程とを具備し、前記流体を供給する工程は、前記流体として、純水を流量比で１／４００以上含む流体を供給する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】薄膜シリコンウェーハの多層構造に使用する薄膜シリコンウェーハの洗浄方法として特に効果的に使用することができ、シリコンウェーハ表面のみならずウェーハバルクの不純物も除去できるシリコンウェーハの洗浄方法及びこの洗浄方法で洗浄することによって高純度化したシリコンウェーハ、並びに本発明の洗浄方法によって洗浄された薄膜シリコンウェーハの複数枚を積層して作製される多層シリコンウェーハ構造及びその作製法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ表面に濃硫酸を滴下する工程と、前記シリコンウェーハ表面と前記滴下された濃硫酸との接触状態を維持する工程と、を含み、前記シリコンウェーハ内部に固溶している重金属不純物を前記濃硫酸中に抽出することにより前記シリコンウェーハ中の重金属不純物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】プリディスペンスに要する時間の短縮、および加熱または冷却される第１流体の消費量の低減を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】硫酸過水ノズル４に接続される硫酸供給配管１４の上流端は、処理液キャビネット２内の循環配管２２に分岐接続されている。処理液キャビネット２内において、硫酸供給配管１４には、第１配管継手３０が介装されている。また、処理室１内のノズルアーム１０の先端部において、硫酸供給配管１４には、硫酸過水ノズル４に近接して配置された第２配管継手３１が介装されている。第１および第２配管継手３０，３１の間において、循環配管２２および硫酸供給配管１４は、循環配管２２内に硫酸供給配管１４が挿通されることにより二重配管構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】過硫酸の自己分解を抑制し、少量の薬品で高濃度の過硫酸をオンタイムで供給することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極１２と、陰極１４と、陽極１２と陰極と１４の間に設けられた隔膜１０と、陽極１２および陰極１４の隔膜１０と反対側の面に接触して設けられた集電体１６，１８とを有し、陽極１２側および陰極１４側に電解液として硫酸溶液を流し、陽極１２と陰極１４との間に電圧を印加して過硫酸を電解生成させる電解槽４を備え、１０〜９６重量％濃度の硫酸溶液を電解液として、１回の流通で０．００１ｍｏｌ／Ｌ〜０．２ｍｏｌ／Ｌの範囲の濃度の過硫酸を生成させる過硫酸製造装置１。 （もっと読む）

【課題】過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極１２および陰極１４が隔膜１０側の面と集電体１６，１８側の面に通ずる少なくとも１つの流路を有し、集電体１６，１８が電極１２，１４側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも１つの溝を有することにより、あるいは、陽極１２および陰極１４が隔膜１０側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも１つの溝を有することにより、過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置１。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】
マイクロ電子デバイスからのバルク及び硬化フォトレジストの除去に関連した従来技術の欠陥を克服する組成物を提供する。
【解決手段】
マイクロ電子デバイスからバルク及び／又は硬化フォトレジスト材料を除去するための方法及び低ｐＨ組成物が開発された。低ｐＨ組成物は、少なくとも１種の鉱酸及び少なくとも１種の酸化剤を含む。低ｐＨ組成物は、下のケイ素含有層（複数可）を損傷せずに、硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。 （もっと読む）

【課題】機能性溶液として硫酸電解液を効率よく生成し、かつ電解によって生成された過硫酸を自己分解を抑制して効率よく使用側に供給する。
【解決手段】硫酸溶液を電解することにより機能性溶液を製造して使用側に供給する機能性溶液供給システムにおいて、該システムが硫酸溶液を貯留する貯留槽２と、硫酸溶液を電解する電解装置（電解セル３）と、硫酸溶液を加温する加温手段（加熱器５）と、硫酸溶液を冷却する冷却手段（冷却器４）と、貯留槽２から排出された硫酸溶液を、加温手段を介することなく電解装置を介して前記貯留槽２に戻す第１の循環ライン１１と、使用側（洗浄機１）から導入された硫酸溶液を、加温手段を介することなく冷却手段及び前記貯留槽２をこの順に介して使用側に戻す第２の循環ライン１２と、前記使用側から導入された硫酸溶液を、冷却手段及び前記貯留槽２を介することなく加温手段（加熱器５）を介して前記使用側に戻す第３の循環ライン１３を備える。 （もっと読む）

【課題】 この発明はナノバブルにプラスの電荷を帯電させることで、そのナノバブルに酸化作用を持たせるようにした処理液の製造装置を提供することにある。
【解決手段】 基板を処理する処理液を製造する処理液の製造装置であって、
液体と気体を混合してナノバブルを含む処理液を製造するナノバブル発生器１８と、ナノバブル発生器で発生するナノバブルにプラスの電荷を帯電させるイオナイザ２２及び酸性流体を供給する給液タンク２３を具備する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム金属又はアルミニウム合金よりなる半導体製造装置部品にダメージを与えることなく、堆積した付着物を除去することができ、安全な洗浄方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体製造装置部品を、フッ化物：カルボン酸：ホウ酸とを例えば、１ｐｐｍ〜４％：０．１〜２０％：０．１〜５％の組成比（重量比）で含んでなる組成物で洗浄する工程、ｂ）半導体製造装置部品を非イオン系界面活性剤及び／又は酸化剤を、０．０１〜１０重量％含んでなる組成物で洗浄する工程、のａ）、ｂ）両工程で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程で高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより硬化したレジスト膜を容易に剥離することのできる高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板への高濃度かつ高エネルギーのイオン注入によりレジスト膜に形成された硬化層を常温真空圧下で発生させたプラズマを緩やかに照射してポッピングしないように剥離するプラズマ処理工程と、前記硬化層が除去され非硬化層が残っている状態で常圧下において薬液で洗浄した後に純水で前記薬液を洗い流す薬液処理工程とからなり、前記非硬化層の残留不純物が基板に固着するのを防止することを特徴とする高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】絶縁層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン除去液は、フッ酸、及び水溶性有機溶剤を含有し、水溶性有機溶剤が多価アルコールを含む。このチタン除去液は、全量に対して１．０質量％以下の過酸化水素を含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】タングステン又はタングステン合金を含む層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン除去液は、フッ酸、防食剤、及び水溶性有機溶剤を含有する。防食剤としては、環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物が用いられる。 （もっと読む）

【課題】従来の洗浄剤組成物は、枚葉処理装置に用いるには除去能力は必ずしも十分ではない。ＨＳＱ、ＭＳＱ等のシロキサン膜からなる低誘電率膜のドライエッチングにおいてはＨＳＱ、ＭＳＱのエッチング表面に変質層が生成されるが、従来の洗浄剤組成物は、この変質層に対するエッチング速度が極めて速く、このため、この組成物を用いたドライエッチングの後処理洗浄においては意図するエッチング寸法よりも実際のエッチング寸法が拡大してしまう問題がある。
【解決手段】半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び／又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分（Ａ）、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分（Ｂ）、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分（Ｃ）及び水を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の全面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面の周縁部、周端面および裏面には、ドライエッチング処理時に生じた第１種のポリマーを除去可能な第１ポリマー除去液が供給される。また、ウエハＷの表面の中央部（周縁部よりも内側の部分）には、アッシング処理時に生じた第２のポリマーを除去可能な第２ポリマー除去液が供給される。 （もっと読む）