【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、フッ酸以外の無機酸を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の底部と上部との雰囲気を遮蔽することにより、処理中に生じたパーティクルによって基板が汚染されることを防止して、基板を清浄に処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置において基板Ｗに対する処理が行われるが、処理槽１の外側壁７５とチャンバ２７の内側壁との間にある空間には、遮蔽部材７９が設けられているので、処理槽１から溢れ、チャンバ２７の底部に処理液が落下することで飛散したパーティクルは、チャンバ２７底部から上部へ向かうことなくチャンバ２７底部に抑え込まれる。したがって、処理中に生じたパーティクルによって基板Ｗが汚染されることを防止することができ、基板Ｗを清浄に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、レジストを良好に除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＳＰＭ液ノズルに対し、１７０℃以上に温度調節された硫酸と、常温の過酸化水素水とが、１：０．１〜０．３５の流量比で供給される。硫酸と過酸化水素水とが混合して生成されたＳＰＭ液が、ＳＰＭ液ノズル３からウエハＷの表面に供給される。
【効果】ウエハＷの表面上のほぼ全域において、レジストを良好にかつ均一に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄液供給システムで生成する過硫酸濃度を迅速に測定して洗浄側に供給する溶液の過硫酸濃度の制御を可能にする。
【解決手段】硫酸溶液の電解反応により、該硫酸溶液に含まれる硫酸イオンから過硫酸イオンを生成する電解反応装置（電解反応槽３６）と、電解反応装置で生成した過硫酸イオンを含む硫酸溶液を洗浄液の一部または全部として被洗浄材（半導体ウエハ５）を洗浄する洗浄側（洗浄槽１）に供給可能にするとともに、前記洗浄側から返流される前記洗浄液として使用した前記硫酸溶液を受け、該硫酸溶液の一部または全部を前記電解反応装置に供給する循環ラインと、洗浄液供給システム内の硫酸溶液中の過硫酸濃度を測定する過硫酸濃度測定装置（電極部４１）を備える。 （もっと読む）

【課題】活性度の高い処理液を得ることができ、その処理液による良好な処理を基板に施すことができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】第２薬液供給管１１において、塩酸と過酸化水素水とが混合され、ミキシングバルブ８において、その混合により得られる混合液とＤＩＷとが混合される。これにより、塩酸と過酸化水素水との混合液がＤＩＷで希釈され、ウエハＷに供給すべき濃度の処理液が得られる。すなわち、塩酸と過酸化水素水とは、ＤＩＷにより希釈される前に、それぞれ濃度が高い状態で混合される。その結果、塩酸と過酸化水素水との良好な化学反応が生じ、活性度の高い混合液を得ることができる。そして、この活性度の高い混合液にＤＩＷが適当に混合されることにより、活性度が高くかつウエハＷの処理に適した濃度の処理液を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化膜１を形成する工程と、上記酸化膜１上にレジストパターン２を形成する工程と、上記基板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターン２をマスクとして上記酸化膜１をエッチングする工程と、上記基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパターン２を除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記レジストパターン２を除去する工程は、上記基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マルチオキサイドプロセスを用いた場合においてトランジスタ特性の安定した半導体装置を得ることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１２表面に第１絶縁膜１６が形成された第１領域２０と、半導体基板１２表面が露出した第２領域２２とを形成する工程と、第２領域２２において露出する半導体基板１２の表面を洗浄液により洗浄する工程と、第２領域２２の半導体基板１２表面に前記洗浄液により形成された化学酸化膜２４を、除去する工程と、第２領域２２の半導体基板１２表面に第１絶縁膜１６とは膜厚の異なる第２絶縁膜２６を形成する工程と、その上にゲート電極膜を形成してそのゲート電極膜（とその下の第１絶縁膜１６および第２絶縁膜２６）にパターンを形成する工程とを含み、前記酸化膜を除去する前記工程は、水素ガスの存在下、温度９４０℃以上９９０℃以下、圧力３０Ｔｏｒｒ以上１５０Ｔｏｒｒ以下で前記半導体基板を処理することにより前記酸化膜を除去するものである。 （もっと読む）

【課題】基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】メモリには、過去直近に開成されたバルブ（最終開バルブ）を特定するための情報が記憶されている。バルブを新規に開成する場合、その開成に先立ち、メモリに記憶されている最終開バルブを特定するための情報が参照される。そして、基板に対する第１薬液の供給に引き続いて、基板に第２薬液が供給されることになる場合など、処理室２内などで第１薬液、第２薬液および第３薬液の相互間の混触を生じることになる場合には、そのバルブの新規開成が禁止される。そのため、処理室２内などにおける第１薬液、第２薬液および第３薬液間での混触を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板保持手段に基板が保持されているか否かに応じて、処理液供給手段の供給動作を適切に禁止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 薬液表面側バルブ２３の開成タイミングに至ったとき（ステップＳ１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、ウエハ保持センサ９からの出力をチェックする（ステップＳ２）。スピンチャック３にウエハＷが保持されていない場合には（ステップＳ３でＮＯ）、薬液ノズル４が退避位置以外に位置していれは（ステップＳ４でＮＯ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を禁止する（ステップＳ５）、薬液ノズル４が退避位置に位置していれは（ステップＳ４でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を許可する（ステップＳ７）。この場合、表面側プリディスペンス処理を実行することができる。 （もっと読む）

【課題】高ドーズ量の半導体ウェハにおいても装置負担を増大させることなく、レジストなどを効果的に剥離除去することを可能にする。
【解決手段】洗浄に使用した硫酸を含む溶液の返流を受けて該溶液の一部または全部を対象に水分を低減して硫酸濃度を高め、硫酸濃度を高めた該溶液を含めて返流された前記溶液をさらに前記洗浄に循環供給可能にするとともに、返流された硫酸を含む前記溶液の一部を別に分け、分けた該溶液を希釈して硫酸濃度を低くした後、該希釈溶液の電解反応により過硫酸を生成し、該電解反応で得られた過硫酸を含む溶液を前記洗浄に供給可能とすることで、効率的な電解反応と、洗浄効果の高い洗浄液の供給という両面の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】酸性薬液に含まれるフッ化物濃度を、フッ化物イオン電極を用いて、酸濃度の変動に対して安定に測定することが可能であり、測定時に緩衝剤が結晶化しない中和剤を提供する。
【解決手段】中和剤１１には、ｐＨ５から８に緩衝能を有する緩衝剤と、前記緩衝剤が実質的に析出しない濃度Ｃ（Ｃ_１≦Ｃ≦Ｃ_２）に設定したアルカリ化剤とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハ等の表面を洗浄するために使用された溶媒を効率的に再生する方法、装置、及びシステムを提供する。特に、本発明の実施形態は、蒸発した溶媒成分を再生するために凝縮機構を利用する原位置再生手法を提供する。こうした実施形態において、凝縮は、近接ヘッド自体の内部及び／又は近接ヘッドから真空槽へ続く真空ラインに沿って発生可能である。本発明の他の実施形態は、ウエハ表面を処理するために使用された液体化学物質とガスとの間において適切な平衡気相濃度を維持することで、発生時に溶媒の蒸発を防止する原位置再生手法を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理液から基板への放電の発生が抑制されるとともに、小型かつ軽量で十分な強度が確保されたノズルおよびそれを備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル装置のノズル６０ａは、水平方向に延びるアーム管部と、アーム管部の他端から下方に湾曲するように形成された下流管部とを有する。ノズル６０ａにおいては、金属管９１の内部に第１の樹脂管９２が挿通され、第２の樹脂管９３の内部に金属管９１が挿通されている。ボス９４が第２の樹脂管９３の内部の金属管９１の先端部に装着されている。ノズル６０ａの先端部においては、第１の樹脂管９２の外周面、第２の樹脂管９３の端面およびボス９４の端面が溶接用樹脂９５により溶接されている。このようにして、金属管９１は、第１の樹脂管９２、第２の樹脂管９３、ボス９４および溶接用樹脂９５により確実に被覆されている。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を用いた洗浄システムなどに対し、高濃度の過硫酸イオンを含む溶液を安定して供給可能な過硫酸供給システムを提供する。
【解決手段】電解反応により溶液に含まれる硫酸イオンから過硫酸イオンを生成する電解反応装置（電解反応槽５、直流電源６）と、硫酸イオンを含む溶液を貯留する貯留槽１と、該貯留槽１から前記溶液を被電解液として前記電解反応装置へ移送し、前記電解反応装置から電解された溶液を前記貯留槽１へ移送する循環ライン（送り管２ａ、戻り管２ｂ）と、前記電解反応装置で生成された過硫酸イオンを含む溶液を過硫酸使用側に供給する過硫酸供給ライン７と、電解反応装置に移送する前記被電解液を補給する補給ライン８を備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程での残渣により製造物に悪影響を及ぼさないようにした洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】槽体２１０と、槽体２１０の中に配置されたステージ２２０と、槽体２１０の中に設けられ、ステージ２２０を囲む少なくとも１つの第１の側壁（２３０又は２４０）と、槽体２１０の中で、ステージ２２０の上方に配置され、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲を閉じ込める操作可能なプレート２６５と、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲と流体連通された排気装置２７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のある処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１と、チャンバー内に設けられ、被処理物２を保持する保持手段３と、チャンバー内に活性原子を供給する活性原子供給手段４と、チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段５とを有し、被処理物の表面に対し、活性原子供給手段から供給される活性原子によるドライ処理及び薬液供給手段から供給される薬液によるウェット処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】ドラム式回転洗浄装置を用いた洗浄等の基板処理の際において、ダミー基板の使用回数を増加させると共に破損した場合の破片の飛散を抑制することにより、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】基板処理方法は、複数の容器２０４のそれぞれに複数の被処理基板１０４を収納する工程と、被処理基板１０４と実質的に等しい質量を有し、少なくとも側面を含む２つの主面の周縁部が耐薬品性の樹脂によって被覆されている板状部材よりなるダミー基板１００を複数の容器２０４に必要枚数収納することによって、複数の容器２０４に収納された被処理基板１０４とダミー基板１００との合計枚数を複数の容器２０４の全てにおいて同数とする工程と、ダミー基板１００を収納した複数の容器２０４を回転軸に対して対称に配置すると共に回転軸を中心に回転させながら被処理基板１０４を処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】濃硫酸を電気分解して得られる酸化性物質を安定して生成することができる洗浄システム及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に設けられた隔膜と、陽極と隔膜との間に設けられた陽極室と、陰極と隔膜との間に設けられた陰極室とを有し、濃硫酸溶液を電気分解して陽極室に酸化性物質を生成させる硫酸電解部と、陽極室に、濃硫酸溶液を供給する濃硫酸供給部と、酸化性物質を含む酸化性溶液を用いて洗浄対象物の洗浄処理を行う洗浄処理部とを備えている。 （もっと読む）

【解決手段】半導体ウエハの表面を洗浄するための方法が開示される。ウエハ表面上の汚染物質を除去するために、ウエハ表面に第１の洗浄溶液が適用される。第１の洗浄溶液は、ウエハ表面上の汚染物質の一部とともに除去される。次に、ウエハ表面に酸化剤溶液が適用される。酸化剤溶液は、残る汚染物質上に酸化層を形成する。酸化剤溶液は除去され、次いで、ウエハ表面に第２の洗浄溶液が適用される。第２の洗浄溶液は、ウエハ表面から除去される。この洗浄溶液は、酸化層を残る汚染物質とともに実質的に除去するように構成される。 （もっと読む）

物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体（１８）から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。該支持体は、該液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。該支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、該液状硫酸組成物は、該液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。該支持体は次いで好ましくは洗浄されて該物質を除去する。
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