【課題】Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎの成膜工程で使用した成膜装置部品の表面に付着・堆積した堆積物を、基材をできる限り傷めることなく、しかも短時間で除去する洗浄方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム、ステンレス又はアルミナセラミックス等から構成される成膜装置部品の表面を算術平均粗さＲａとして５ミクロン以上に粗面化することで、Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ堆積膜の形状を粒状に制御し、次いで硫酸とフッ化水素酸からなる洗浄液で洗浄することにより、堆積膜を除去する方法であり、粗面化した部品表面としては、部品表面にアルミニウム又はチタンの溶射膜を設けて粗面化したものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１チップ内に二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザ製品の製造過程における二回目のエピタキシャル成長前の基板洗浄における不具合を除去し、二回目のエピタキシャル成長時に発生する異常成長を防止する。
【解決手段】１チップ内に赤色と赤外の二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザの製造工程において、二回目のエピタキシャル成長前のＧａＡｓ基板１に対する洗浄の際、洗浄液を硫酸９７ｗｔ％、過酸化水素水３０ｗｔ％、水、１：１：５０〜２５０の割合で、温度２０〜２５℃にて２０〜５０秒処理する。この処理後、純水洗浄を５分以上実施し、乾燥処理した後、二回目のエピタキシャル成長膜４の形成を実施する。 （もっと読む）

【課題】カロー酸を用いたウエハ（基板）洗浄工程において、Ｈ_２Ｏ_２の使用量を低減しつつ、フォトレジスト膜（感光性マスキング層）の除去性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】基板１の洗浄（フォトレジスト膜の除去）時以外のＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度は、フォトレジスト膜の少なくとも一部を除去できる最低限の第１濃度以上で制御する。そして、基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬する直前に、ＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がフォトレジスト膜を確実に除去できる第２濃度以上となり、また基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬した時にＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がその第２濃度未満とならないように、過酸化水素水供給系５４からＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ所定量のＨ_２Ｏ_２を供給する。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板の疎水性表面を洗浄し準備する方法に関しており、ここで前記半導体基板は、エピタキシャル成長のための下地基板として使用するのに適している。フッ化水素酸（ＨＦ）を含有する水溶液によって基板を洗浄する状況において、３未満のｐＫａを有する強酸をＨＦと組み合わせて使用することができ、および／または超音波を適用しながらリンスを実施することができる。本発明による方法は、ウォーターマークの低下したレベルを示す疎水性表面を準備することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）

【課題】変質、硬化したレジストを短時間に効率よく除去する。
【解決手段】図１に示す洗浄方法は、基板の表面に形成された硬化した不要なレジストを除去するため、一枚毎に洗浄する枚葉装置を用いた洗浄方法である。この洗浄方法は、以下の工程を有する。被洗浄物にレジスト剥離剤を供給する（ステップＳ１）。その後、被洗浄物にエッチング液を供給する（ステップＳ２）。その後、ステップＳ１およびステップＳ２を少なくとも２回繰り返したか否かを判断する（ステップＳ３）。少なくとも２回繰り返していない場合（ステップＳ３のＮｏ）、ステップＳ１に移行してステップＳ１以降の処理を引き続き行う。一方、少なくとも２回繰り返した場合（ステップＳ３のＹｅｓ）、次工程に移行する。または処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路等に用いられる、銅配線が施された半導体素子または表示素子の配線工程におけるドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で完全に除去でき、かつ銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を提供する。
【解決手段】基板上に銅配線１、シリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３を堆積し、その上にレジストを塗布し、現像後、続いてドライエッチングを行い、残存したレジストを除去し、その後にエッチング残渣４を洗浄する洗浄液であって、該洗浄液中の硝酸濃度が０．００５〜５重量％、硫酸濃度が０．００１〜１０重量％であり、かつ、硫酸／硝酸重量比が、１〜１００およびフッ素化合物の濃度が０．００５〜１０重量％であり、塩基性化合物を添加してｐＨが３〜７に調整された水の濃度が８０重量%以上であることを特徴とする洗浄液。 （もっと読む）

【課題】工程溶液の準備工程に要する時間を最小化して、工程効率を向上させることができる工程溶液処理方法及びこれを用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理槽に基板処理用の工程溶液を提供するステップと、工程溶液を処理槽に連結した循環ラインを通して循環させる循環ステップと、を有し、循環ステップは工程溶液が循環ラインを移動するメイン循環ステップと、循環ラインの第１位置で分岐した後、第２位置で結合するバイパスラインを経由して工程溶液が移動するサブ循環ステップを含み、メイン循環ステップは第１位置と第２位置との間で工程溶液をフィルタリングするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部において硫酸と過酸化水素とを効率よく混合させ、処理槽の内部にＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することにより、基板の表面から有機膜を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、内槽１１の内部に硫酸成分を含む液体を吐出する吐出管３６ａ，３６ｂと、吐出管３６ａ，３６ｂから吐出される液体に向けて過酸化水素水を吐出する吐出管５５ａ，５５ｂとを備えている。このため、硫酸と過酸化水素水とを効率よく混合させることができ、それにより、処理槽１０の内部においてＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することができる。したがって、基板Ｗの主面からフォトレジスト膜を良好に剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置内を清浄に保つことができる半導体製造装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】硫酸と過酸化水素水とが混合されて成るレジスト剥離用薬液を用いてレジスト剥離処理を行う半導体製造装置を洗浄する半導体製造装置の洗浄方法であって、レジスト剥離処理が行われた後、レジスト剥離処理に用いられたレジスト剥離用薬液に過酸化水素水を添加し、過酸化水素水が添加されたレジスト剥離用薬液を用いて、レジスト剥離処理により生じた異物を除去し、異物の除去に用いられたレジスト剥離用薬液を半導体製造装置から排出する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸、（Ｂ）スルホコハク酸、アルキル硫酸、アルキルエーテル硫酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上、並びに水を調合してなることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の表面からレジスト膜を効果的に剥離する。
【解決手段】基板処理装置１は、硫酸１０３を貯留する硫酸槽１０２と、過酸化水素水１４３を貯留する過酸化水素水槽１４２とを備える。基板処理装置１では、過酸化水素水１４３に半導体ウエハＷを浸漬することにより半導体ウエハＷの表面に過酸化水素水の液膜を形成し、表面に過酸化水素水の液膜が形成された半導体ウエハＷを高温の硫酸１０３に浸漬することにより、混合直後の高温ＳＰＭを半導体ウエハＷに接触させる。 （もっと読む）

残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣を除去するための洗浄組成物および方法。フッ化物種、アミン種、および有機溶媒を実質的に含有しないこの組成物は、マイクロ電子デバイスからの、エッチング後残渣、アッシング後残渣および／またはＣＭＰ後残渣などの残渣物質の非常に有効な洗浄を達成すると同時に、マイクロ電子デバイス上に同じく存在する層間誘電材料および金属配線材料に損傷を与えない。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスからバルクフォトレジスト材料および／または硬化フォトレジスト材料を除去するための方法および鉱酸含有組成物を開発した。鉱酸含有組成物は、少なくとも１種の鉱酸と少なくとも１種の硫黄含有酸化剤と任意選択的に少なくとも１種の金属イオン含有触媒とを含む。鉱酸含有組成物は、下に位置するシリコン含有層に損傷を与えることなく硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。
（もっと読む）

【課題】処理プロセスの途中にある基板の保持状態を正確に検出することができる基板検出装置およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板検出装置が、保持された基板の撮像画像データを生成する撮像画像生成手段と、撮像画像が基板の保持状態の検出に十分な検出力を有する画像であるか否かを判定する検出力判定手段と、撮像画像に基づいて、保持手段における基板の保持位置を特定する保持位置特定手段と、特定された基板の保持位置と想定保持位置とを比較し、両者が合致するか否かに応じて基板の保持状態が正常であるか否かという検出結果を生成する保持状態判定手段と、を備えており、検出力を有すると判定された撮像画像を表現する撮像画像データあるいは同一の基板保持状況のもとで当該撮像画像データとともに連続的に取得された撮像画像データのみを保持位置特定手段による保持位置の特定に用いる。 （もっと読む）

【課題】金属配線材料に対する優れた孔食防止効果を有する洗浄剤組成物、なかでも、フォトレジストの剥離・除去性に優れ、金属配線材料に対する優れた防食性と孔食防止効果を有する洗浄剤組成物を提供する。
【解決の手段】（Ａ）フッ化水素酸及びフッ化水素酸塩のうち少なくとも１種と、（Ｂ）亜硫酸塩及び二亜硫酸塩のうち少なくとも１種と、（Ｃ）水とを含有する、半導体集積回路又は液晶ディスプレイの製造工程で用いられる洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】処理プロセスの途中にある基板の保持状態を正確に検出することができる基板検出装置を提供する。
【解決手段】基板検出装置が、保持された基板を相異なる露光条件で複数回撮像することにより複数の撮像画像データを生成する撮像画像生成手段と、複数の撮像画像データを合成して合成画像データを生成する画像合成手段と、合成画像に基づいて、保持手段における基板の保持位置を特定する保持位置特定手段と、特定された基板の保持位置と想定保持位置とを比較し、両者が合致する否かに応じて基板の保持状態が正常か否かという検出結果を生成する保持状態判定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内およびドレンボックス内の圧力を調整することにより、処理槽からの迅速な排水を実現できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部７１は、チャンバ２３内を大気圧よりも高い第１の圧力まで加圧させるように不活性ガス供給源４５および不活性ガス弁４７を制御し、処理槽１内の純水をドレンボックス５３に排出させるまでに、ドレンボックス５３内の圧力を大気圧以下の第２の圧力に調整するように第２真空ポンプ６５を制御し、チャンバ２３内が陽圧、ドレンボックス５３内が負圧となり、その後にＱＤＲ弁５５および排液弁５７を開放するので、その圧力差によって処理槽１内の純水が排出管５１を通してドレンボックス５３に迅速に排出することができ、しかも処理槽１内の液残りも低減できる。 （もっと読む）

【課題】安価な装置によって過硫酸水溶液を製造することができるウェハ洗浄液の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】陰極２に最も近接してバイポーラ膜５が配置され、陰極２とこのバイポーラ膜５との間に陰極室６が形成されている。このバイポーラ膜５から陽極に向ってカチオン交換膜４とバイポーラ膜５とがこの順に交互に配列されている。陽極５に最も近接してバイポーラ膜５が配置されている。１対のバイポーラ膜５の間に配置されたカチオン交換膜４の陰極２側にカチオン移動室７が配置され、該カチオン交換膜４の陽極３側に処理室８が形成されている。循環用タンク１５内の過硫酸塩水溶液は、ポンプ１６及び配管１１を介して各処理室８に供給される。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層が浸食されることなく、窒化チタン被膜が剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】過酸化水素、フッ酸、水溶性有機溶剤、及び防食剤を含有し、前記防食剤が環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物である、窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、環内に窒素原子を２個有する含窒素化合物を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）