【課題】本発明は、高度に架橋されたレジストおよびエッチング残渣を取り除くための、半水溶性組成物およびその使用方法を提供する。
【解決手段】本発明の組成物は、アミノベンゼンスルホン酸、水混和性有機溶剤および水を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等の残留物を選択的に除去し、かつこの組成物にさらされる場合がある高誘電率の誘導性材料、低誘電率の誘導性材料、及び／又は範囲の金属領域の望ましくない攻撃をすることなく、基板から残留物を処理することができる組成物を提供すること。
【解決手段】製品から残留物を除去するための組成物であって、当該組成物が、グリコールエーテルを含む１種以上の水溶性有機溶媒；水；フッ化物含有化合物がアンモニウムフルオライドである場合に、追加のフッ化物含有化合物を当該組成物に添加しないことを条件とするフッ化物含有化合物；そして随意選択的な第４級アンモニウム化合物；
を含む、残留物を除去するための組成物。 （もっと読む）

【課題】銀及び／又は銀合金を含む基板に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供する。
【解決手段】銀および／または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、−式（Ｉ）ＮＨ_２−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ式中、Ａ、Ｂは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｙは、ＮＨまたはＯのいずれかであり、Ｚは、ＮＨ_２、ＯＨ、ＮＨ−Ｄ−ＮＨ_２（ここでＤは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基である、）で表される化合物、−式（ＩＩ）ＮＨ_２−Ａ−Ｎ(−Ｂ−ＯＨ)_２式中、Ａ，Ｂは式（Ｉ）と同じで表される化合物、−モルホリン、−Ｎ−置換モルホリン、−ピロカテコール、−ハイドロキノン、−ピロガロール、−没食子酸、及び−没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン除去液は、フッ酸、及び水溶性有機溶剤を含有し、水溶性有機溶剤が多価アルコールを含む。このチタン除去液は、全量に対して１．０質量％以下の過酸化水素を含有してもよい。 （もっと読む）

ドープされたシリコン含有材料の除去よりも速いかまたは等しい速度で、ドープされていないシリコン含有材料をマイクロエレクトロニクスデバイスから除去するための組成物および方法。 （もっと読む）

【課題】 低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 特定の構造を有するアニオン成分と、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、炭素数０〜２５のアンモニウムカチオン、特定のアミン又はアミジン化合物にプロトンが付加したカチオンからなる群から選ばれる１種以上のカチオン成分からなるアニオン性界面活性剤（Ａ）を含有する電子材料用洗浄剤であって、（Ａ）の０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験により測定される起泡力が５０ｍｍ以下であり、泡の安定度が５ｍｍ以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一つの実施形態は、集積回路の製造方法である。製造方法は、まず、金属-誘電体ダマシン・メタライゼーション（金属化）層を備える基板を準備し、金属上にキャップを析出させる。キャップの析出後、アミンを加えてｐＨを約７から１３に調節した洗浄溶液で基板を洗浄する。本発明の別の実施形態は、基板の洗浄方法である。本発明のさらに別の実施形態は、洗浄溶液の組成である。 （もっと読む）

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）

レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および／または金属酸化物を基板から除去するための組成物であって、組成物は金属イオンを含まないフッ化物化合物および水を含む組成物が提供される。レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および／または金属酸化物は、金属ハードマスクが使用される１つまたは複数のパターニングプロセス中に発生する。
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【課題】マイクロエレクトロニクス基板洗浄のためのアンモニア不含洗浄組成物、特に高感度多孔性誘電体、低κまたは高κの誘電体並びに銅金属被覆を特徴とするマイクロエレクトロニクス基板の洗浄方法を提供すること。フォトレジストのストリッピング、プラズマ生成有機、有機金属および無機化合物由来の残渣の洗浄方法、および平坦化工程由来の残渣の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】非求核性、正荷電対イオンを含有する１種またはそれ以上の非アンモニア産生強塩基および１種またはそれ以上の腐食阻害溶媒化合物（該腐食阻害溶媒化合物は、金属と錯体形成できる少なくとも２つの部位を有する）を含有する洗浄組成物の使用により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを腐食させることなく、レジスト除去ができる洗浄液を提供する。
【解決手段】 苛性ソーダ等の塩基性物質、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩、ポリアクリル酸類及び水を含んでなる成分の組合せによる洗浄液ではアルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。さらに必要に応じてアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系、イミダゾリジノン系、ラクトン系の水溶性有機溶媒を用いることができる。洗浄液全体に対して、塩基性物質が０．０１〜２０重量％の範囲、アルカリ土類金属塩が０．００１〜５重量％の範囲、ポリアクリル酸類が０．００１〜５重量％の範囲、水が５０〜９９．９９重量％の範囲、水溶性有機溶媒が５０重量％以下の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング後のフォトレジスト残渣、及びポリマーの除去が容易で、しかも低誘電率絶縁膜を浸食、酸化しない成分組成のレジスト用剥離剤組成物を提供する。
【解決手段】少なくともホスホン酸（Ｈ_２ＰＨＯ_３）と水溶性有機溶媒とを含有する水溶液であるレジスト用剥離剤組成物を提供する。そして、（ａ）このレジスト用剥離剤組成物を用いて、灰化処理を施してレジストマスク２２を除去した後に、（ｂ）前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれかを剥離、除去する。 （もっと読む）

【課題】金属配線材料に対する優れた孔食防止効果を有する洗浄剤組成物、なかでも、フォトレジストの剥離・除去性に優れ、金属配線材料に対する優れた防食性と孔食防止効果を有する洗浄剤組成物を提供する。
【解決の手段】（Ａ）フッ化水素酸及びフッ化水素酸塩のうち少なくとも１種と、（Ｂ）亜硫酸塩及び二亜硫酸塩のうち少なくとも１種と、（Ｃ）水とを含有する、半導体集積回路又は液晶ディスプレイの製造工程で用いられる洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 大型基板(少なくとも０.２５ｍ^２)のさらされた表面から有機含有材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】 基板は、電子デバイスを備えていてもよい。さらされた表面は、溶媒にオゾン（Ｏ_３）を含むストリッピング溶液で処理され、ここで、溶媒は酢酸無水物を含む。ストリッピング溶液を形成するのに用いられるストリッピング溶媒は、酢酸無水物と、２-４個の炭素原子を含有するカーボネート、エチレングリコールジアセテート、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる共溶媒との混合物を含んでいてもよい。一定の場合、ストリッピング溶液は、酢酸無水物とオゾンだけを含んでいてもよいが、オゾンの濃度は、典型的には約３００ｐｐｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層が浸食されることなく、窒化チタン被膜が剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】過酸化水素、フッ酸、水溶性有機溶剤、及び防食剤を含有し、前記防食剤が環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物である、窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、環内に窒素原子を２個有する含窒素化合物を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物であって、約0.005重量％から約５重量％までのフッ化物を与える成分、約１重量％から約50重量％までのグリコール溶媒、リン含有酸、及び水を含む組成物；該組成物と基板を接触させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面や周縁部に付着した異物を完全に除去することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０が備える基板洗浄装置としてのプロセスモジュール１５は、ウエハＷを収容するチャンバ３８と、該チャンバ３８内の底部に配置されてウエハＷを載置するステージ３９と、チャンバ３８内の天井部に配置されてステージ３９に対向するシャワーヘッド４０とを備え、ステージ３９はウエハＷの裏面や周縁部に向けて液相及び気相の２つの相状態を呈する洗浄物質、例えば、純水と、不活性ガス、例えば、窒素ガスとが混合された洗浄剤を噴出し、シャワーヘッド４０はウエハＷの表面に向けたダウンフローを発生させる。 （もっと読む）

【課題】灰化工程を必要とせず、基板の表面に存在するレジストの剥離性能を向上させることができるレジスト剥離方法を提供すること。特にイオンインプランテーションされたレジストの剥離性能に優れた、レジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】酸化剤を含むレジスト改質液でレジストを改質して改質レジストを得る改質工程と、酸化剤を含まない剥離液で前記改質レジストを剥離する剥離工程とをこの順で含み、前記レジスト改質液及び／又は前記剥離液が、アルコール性水酸基又はエーテル結合を有するフッ素化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とするレジストの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】剥離性に優れたレジスト剥離液を提供すること。また、レジストの剥離性に優れ、回路構造を損傷しないレジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】一次粒子径が５〜１，０００ｎｍである粒子と、アミン化合物及びアルキレングリコール類よりなる群から選ばれた少なくとも一つの化合物を含有する剥離性に優れたレジスト剥離液及び灰化処理の工程を含まず、剥離性に優れ、回路構造を損傷しない、前記レジスト剥離液を用いたレジスト剥離方法。 （もっと読む）

【課題】アミン系のレジスト除去用組成物では、レジスト剥離能力が十分でなく、溶媒、特に有機溶媒と反応して溶媒を分解しやすく、しかも半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージが大きかった。
【解決手段】ポリ（シアノアルキル）エチレンアミンを含んでなるレジスト剥離剤を用いる。ポリ（シアノアルキル）エチレンアミンとして、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−シアノエチル）−エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（２−シアノエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−シアノエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−シアノエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ'−ビス（２−シアノエチル）−Ｎ’'−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリス（２−シアノエチル）−Ｎ’'−（２−アミノエチル）ピペラジン等の１種以上を用いる。 （もっと読む）