【課題】硫酸の温度の変更に容易に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板Ｗの表面に供給する。この基板処理装置は、レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズル２と、ノズル２に向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路３０と、過酸化水素水供給路３０上においてノズル２までの流路長が異なる複数の混合位置ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路３１，３２，３３，３４と、硫酸供給源２５からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニット３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面を処理するプロセスで使用した使用済み薬液において、前記プロセスに必要な薬液中の成分を簡易に調整し、リサイクル処理後の薬液でも未使用薬液と同等のプロセス性能を得ることが可能な薬液リサイクル方法および該方法に用いる装置を提供する。
【解決手段】本発明の薬液リサイクル方法は、シリコンウェーハ４０２表面を処理するプロセスで使用する薬液のリサイクル方法であって、前記プロセスで使用した後の使用済み薬液を限外ろ過フィルター１で限外ろ過して、ろ過後薬液を得る工程と、吸光光度計３により該ろ過後薬液の吸光度または透過率を測定して、前記ろ過後薬液に含まれる成分の濃度を求める工程と、求められた前記濃度の情報に基づき、前記ろ過後薬液の成分濃度を調整して調整後薬液を得る工程と、該調整後薬液を前記プロセスで使用する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、互いに対向する一対の側壁１０ａ、１０ｂを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽１０と、複数の基板を起立させて保持する保持部２１と、保持部２１に連結され、処理槽１０内に搬入された際に、保持部２１に保持された基板と処理槽１０の一方の側壁１０ａとの間に介在される背部２２とを有し、保持部２１に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構２０とを備えている。処理槽１０に、貯留された薬液を加熱する加熱器８０が設けられている。この加熱器８０は、一方の側壁１０ａに設けられた第１加熱器８１と、他方の側壁１０ｂに設けられた第２加熱器８２と、を有しており、第１加熱器８１の出力と第２加熱器８２の出力は個別に制御される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体に対する洗浄効果を発現できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、ＳｉＣ半導体の表面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜を除去する工程とを備え、酸化膜を形成する工程では、３０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、第２液源からの第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに流量調整バルブ４２ｄが設けられると共に、主配管２０を液供給機構４０に対して他側から開閉し得る主開閉機構２２が設けられている。前記混合比に基づいて流量調整バルブ４２ｄと主開閉機構２２とが制御される。 （もっと読む）

【課題】希釈された溶液を用いて、貴金属を含む被処理膜等を迅速に且つ効果的にエッチングでき、且つ、設備の稼働率を向上できるようにする。
【解決手段】薬液を調合する薬液調合槽２４と、調合された薬液を貯蔵する薬液貯蔵槽２８と、貯蔵された薬液を用いて半導体基板を処理する処理チャンバ２１とを有する半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法は、薬液調合槽２４において、酸化剤と錯化剤とを混合して第１の薬液を調合し、薬液調合槽２４において、第１の薬液を活性化する。続いて、薬液貯蔵槽２８において、活性化された第１の薬液と純水とを混合し、第１の薬液の濃度及び温度を調整することにより、第１の薬液を希釈した第２の薬液を調整する。続いて、処理チャンバ２１に投入された半導体基板に第２の薬液を供給する。 （もっと読む）

【課題】２種類の薬液の混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための第１の薬液と、加熱されることにより、当該第１の薬液より蒸気圧が高く、被処理基板に対して不活性な物質を生成する第２の薬液と、の混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を加熱し、第１、第２の薬液供給部４３０、４２０は、混合液に第１、第２の薬液を補充供給する。制御部５は、混合液を第１の温度に加熱して被処理基板Ｗの処理を実行し、処理を行っていない期間中は、当該混合液の温度を第１の温度より高い第２の温度に加熱すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、第１の薬液を補充供給するための制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】液交換処理を伴うスケジュールであっても稼働率を向上させることができる。
【解決手段】液交換処理を開始する際には、液交換情報を薬液処理部ＣＨＢ２から制御部３１の液交換時間算出部３７に出力し、制御部３１の液交換時間算出部３７が最新液交換時間を算出する。この算出された最新液交換時間を考慮して、制御部３１のスケジューリング機能部３３が第１の再スケジュールを行い、さらに、実際に液交換処理が開始されて液交換処理が実際に完了した時点で、制御部３１のスケジューリング機能部３３が第２の再スケジュールを行う。したがって、液交換の態様により時間的に前後する、液交換処理の実際の時間を考慮して再スケジューリングを行うことができるので、液交換処理を伴うスケジュールであっても稼働率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】基板の化学的変化を低減することができるスピン乾燥部を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】上部から第１の気体（例えばクリーンエアー）が導入されるスピン乾燥部４を備え、スピン乾燥部４が、基板７を保持する回転台９と、回転台９によって保持された基板９の中央及びその周辺部に第２の気体（例えば窒素ガス）を吹き付けるガス噴射部６と、回転台９を垂直軸周りに回転させる回転駆動部（例えばスピンドルモータ１０）と、前記回転駆動部の回転軸に取り付けられる同軸ファン１４とを有し、同軸ファン１４が回転すると、垂直方向下方に向かう気流が形成される基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング後の所定の膜の表面に残存するエッチング残渣またはアッシング残渣をその膜にダメージを与えずに確実に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板にドライエッチングを施した後に所定の膜の表面に残存するエッチング残渣、またはエッチング残渣をアッシングした後にその膜の表面に残存するアッシング残渣を除去する基板処理方法は、基板表面に液体状の有機酸を形成し、液体状の有機酸によりＣＦポリマーを分解するとともに液体状の有機酸にその分解物を溶解させる第１工程と、その後、基板をアニールして、有機酸および有機酸に溶解したＣＦポリマーの溶解物を気化させて基板から除去する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】プリディスペンスに要する時間の短縮、および加熱または冷却される第１流体の消費量の低減を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】硫酸過水ノズル４に接続される硫酸供給配管１４の上流端は、処理液キャビネット２内の循環配管２２に分岐接続されている。処理液キャビネット２内において、硫酸供給配管１４には、第１配管継手３０が介装されている。また、処理室１内のノズルアーム１０の先端部において、硫酸供給配管１４には、硫酸過水ノズル４に近接して配置された第２配管継手３１が介装されている。第１および第２配管継手３０，３１の間において、循環配管２２および硫酸供給配管１４は、循環配管２２内に硫酸供給配管１４が挿通されることにより二重配管構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】過硫酸の自己分解を抑制し、少量の薬品で高濃度の過硫酸をオンタイムで供給することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極１２と、陰極１４と、陽極１２と陰極と１４の間に設けられた隔膜１０と、陽極１２および陰極１４の隔膜１０と反対側の面に接触して設けられた集電体１６，１８とを有し、陽極１２側および陰極１４側に電解液として硫酸溶液を流し、陽極１２と陰極１４との間に電圧を印加して過硫酸を電解生成させる電解槽４を備え、１０〜９６重量％濃度の硫酸溶液を電解液として、１回の流通で０．００１ｍｏｌ／Ｌ〜０．２ｍｏｌ／Ｌの範囲の濃度の過硫酸を生成させる過硫酸製造装置１。 （もっと読む）

【課題】低コストで貯留槽内の処理液の温度を調整することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２３を通して簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。簡易式熱交換器Ｓ２により冷却された処理液は、配管２３，２５を通して処理液タンクＴＢに戻される。処理液の温度が予め定められた規定値Ｎ１以下になると、処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２１を通して処理液タンクＴＢに戻される。配管２１は処理液タンクＴＡ内を通過するので、配管２１を流れる処理液は、処理液タンクＴＡ内の処理液によって温調される。 （もっと読む）

【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部７２は、処理ユニット４〜７の薬液バルブ３３の開時間を取得し、その薬液バルブ３３に関する累積開時間を算出するとともに、４つの処理ユニット４〜７の４つの薬液バルブ３３の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ３３の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット３は予め定める量の第１成分、第２成分および第３成分を、それぞれ、薬液タンク４０に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 欠陥の発生が抑えられた高い信頼性を有する半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（６）の被処理面を樹脂部材（５）に当接させて、前記半導体基板と前記樹脂部材を摺動させる工程を具備する方法である。前記摺動は、前記樹脂部材に８０℃以上１４０℃以下の温水を噴射しつつ行なわれる。 （もっと読む）

【課題】精度良く濃度調整された希釈薬液を用いて基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１混合部１４は、ふっ酸タンク３０から供給されるふっ酸原液（濃度がたとえば４９ｗｔ％）と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して、希ふっ酸（濃度がたとえば２．３ｗｔ％）を生成する。第２混合部１５は、第１混合部１４で生成された希ふっ酸と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して希ふっ酸（たとえば０．１１ｗｔ％）を生成する。第３混合部１６は、第２混合部１５で生成された希ふっ酸と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して希ふっ酸（たとえば０．００５ｗｔ％）を生成する。 （もっと読む）

【課題】薬液の供給を監視することにより、薬液の濃度測定系に異常が発生したことを精度よく検知することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】薬液の濃度測定系に異常があれば、アラーム値メモリ５７に記憶されている、正常な状態で供給された時の一定時間内における供給量（正常値）と、供給量積算部６３が算出する一定時間内における実績値との間に差が生じるので、判断部５９はその比較に基づき異常の発生を判断できる。供給量積算部６３は、濃度測定部５３及び濃度制御部５５の制御の下で所定時間内に薬液供給管３９から供給される薬液の供給量を積算し、供給配管１７を通して処理槽１に供給される処理液中の濃度を測定する濃度測定部５３とは別系統であるので、濃度測定部５３の不具合に関係なく、異常を正確に判断することができる。 （もっと読む）

【課題】残留パーティクル成分を微細化する熱交換装置を提供することにある。
【解決手段】純水が流通する螺旋状の発熱管２１と、発熱管の両端部同士を電気的に短絡させる短絡部材２２と、発熱管及び短絡部材を包囲するように配置し、高周波電力に応じて発熱管に対して電磁誘導電力を発生させる加熱コイル２３とを有し、短絡部材は、発熱管の電磁誘導電力に応じて短絡電流を発生し、短絡電流に応じて発熱管を温度調整すると共に、発熱管は、短絡電流の温度調整作用に応じて、同管内を流通する純水の温度を目標温度になるように、純水を温度調整する熱交換装置８Ａであって、純水が流通する発熱管の流入口２１Ａをアース部２５に接地することで、発熱管を流通する純水に関わる残留パーティクルの帯電電荷を放電し、残留パーティクルを微細化するようにした。 （もっと読む）

【課題】表面硬化層が形成されたレジストを基板の表面から良好に剥離することのできるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが処理チャンバー１１にローディングされると、プレート１４に吸着保持された基板Ｗは基板加熱用ヒータ１９からの発熱により加熱処理される。このとき、コントローラは基板Ｗの温度が３００℃以上で、かつ４５０℃以下の温度範囲となるように基板加熱用ヒータ１９を駆動制御する。基板Ｗの加熱によりレジストにポッピング現象が生じると、表面硬化層の内側（下層側）に位置する未硬化層のポッピングによる衝撃で表面硬化層に亀裂が生じ、未硬化層が灰化される。続いて、加熱処理後に高圧流体を用いたレジスト除去を行うことで、基板表面からレジストが表面硬化層ごと剥離される。 （もっと読む）