【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、基板が在置されるチャックを持つ基板支持機構１１０と、上部が開放されて、チャック周辺を囲むように配置された下部チャンバー１２０と、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように下部チャンバー１２０の上部を開閉する上部チャンバー１３０と、上部チャンバー１３０のエッジに設置され、乾燥流体が基板に間接憤射されるように上部チャンバーの中心へ向かって、乾燥流体を憤射する間接憤射ノズル１４０と、を含むことを特徴とする基板処理装置１００。このような構成の基板洗浄装置は、基板の乾燥効率の増大及び外部汚染の遮断そして酸化膜の防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
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【課題】上面部材をウェハとともに回転させて処理し，処理流体供給ノズルをウェハの処理面に移動させて処理流体を供給できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】上面部材９０を上昇させた状態で，基板Ｗをスピンチャック６０によって保持し，上面部材９０を下降させて基板Ｗの表面に近接させ，スピンチャック６０に係合させた状態にし，上面部材９０と基板Ｗとの間に形成された隙間に処理流体を供給し，基板Ｗ，スピンチャック６０及び上面部材９０を一体的に回転させて基板Ｗを処理し，基板Ｗ，スピンチャック６０及び上面部材９０の回転を停止し，上面部材９０を上昇させてスピンチャック６０から離脱させた状態で基板Ｗ及びスピンチャック６０を一体的に回転させて基板Ｗを処理し，基板Ｗ及びスピンチャック６０の回転を停止し，スピンチャック６０の基板Ｗに対する保持を解除する。 （もっと読む）

【課題】 洗浄液を供給する洗浄ノズル及び基板端面の位置合わせを行う基板端面洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 両端が開放された洗浄溝部６を有し、洗浄溝部６内の洗浄ノズル７から吐出される洗浄液により基板端面１Ｅを洗浄する洗浄ユニット５と、洗浄ユニット５に設けられ、洗浄ユニット５に対する基板１の相対的位置を検出する基板検出センサと、洗浄溝部６の溝方向に直交する面内で洗浄ユニット５及び基板支持部２を相対的に移動させる位置合わせ駆動部３と、位置合わせ駆動部３を制御し、洗浄ノズル７及び基板端面１Ｅの位置合わせを行う位置合わせ制御部２２とを備える。 （もっと読む）

本発明は基板を洗浄するための方法、装置及びシステムを提供し、本装置は制御装置と、制御装置に連結されたノズルを含む。制御装置は、ノズルを方向付けして均一な流体噴射流パターンを基板上に分注するように適合されている。制御装置は、ノズルの少なくとも１つの操作パラメータを調節することで、この均一な流体噴射流パターンを作り出し、所定の割合の液滴を所定のサイズ範囲内におさめるように適合されている。多数のその他の態様が開示される。
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【課題】
【解決手段】粒子状物質が付着した基板の表面を洗浄するための方法およびシステムは、結合要素を混入された液体の噴流を表面に衝突させることを特徴とする。結合要素に十分なドラッグ力が与えられることにより、結合要素は、液体に対して移動すると共に、粒子状物質を基板に対して移動させる。 （もっと読む）

本発明は、加工物の上に横たわり、かつ、覆うことができる特別な障壁構造を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、加工物の上に、位置決めされ、移動できる、特別な移動可能な部材を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、プロセス処理チャンバーに横たわることができる特別な天井構造を含む、加工物をプロセス処理する方法及びそれに関連する装置、特別な環状体を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法、並びに特別な第１、第２、及び第３のノズル構造を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法に関する。
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【課題】
本願明細書では、裏面汚染物粒子を減少させる技術が開示されている。
【解決手段】
ある1つの特定の例示的実施形態において、この技術は、裏面汚染物粒子を減少させる装置として実現することが可能である。すなわち、上記裏面汚染物粒子（Backside Particles(BSP’s)）を減少させる装置は、加工室に収納された平面板へ洗浄物質を供給する洗浄物質送出メカニズムを有している。更にこの裏面汚染物粒子を減少させる装置は、制御装置とで構成され、この制御装置は、前記加工室を第1の圧力レベルに調整し；前記平面板の表面に前記洗浄物質を供給し；そして前記加工室を第2の圧力レベルに調整すると共に、これにより前記洗浄物質と共に汚染物粒子を前記平面板の表面から除去するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

処理すべき円板状基板に重なり得る寸法と形状とを有する第１のプレート（１０）、円板状基板（Ｗ）を０．２から５ｍｍの距離で前記第１のプレートと平行に保持するための保持手段（２２）、前記第１のプレートに対して実質的に直角な回転軸線（Ａ）まわりに円板状基板（Ｗ）を回転させるための回転手段（３７）、処理中に前記第１のプレート（１０）と円板状基板（Ｗ）との間の第１の間隙（１１）内に流体を導くために第１の間隙内に第１の分配用開口（１６）を有する第１の分配用手段（１４）、及び前記第１の分配用開口（１６）の位置を第１の位置（Ｐ１）から第２の位置（Ｐ２）に移動させるための移動手段（３４）であって、前記第１の位置（Ｐ１）の回転軸線（Ａ）までの距離が前記第２の位置（Ｐ２）の回転軸線（Ａ）までの距離より小さい前記移動手段を備えた円板状基板の湿式処理装置が開示される。
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本発明は、基板を次の工程によって処理するための方法に関する。処理すべき基板の局所的な表面領域に液体膜を、少なくとも１つの長尺のノズル装置及び該ノズル装置に隣接して配置された超音波変換装置若しくはメガ音波変換装置を備えたノズルユニットによって形成し、前記超音波変換装置の少なくとも一部分を前記液体膜と接触させ、かつ前記超音波変換装置によって超音波を前記液体膜内に作用させる。 （もっと読む）