【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。ＳＣ１ノズル５から吐出された高温のＳＣ１は、ウエハＷの中央部に供給される。蒸気ノズル６から吐出された水蒸気は、ウエハＷの中間位置Ｍに供給される。 （もっと読む）

【課題】キャリアの取り外しを必須とすることのない両面研磨装置用の洗浄装置を提供する。
【解決手段】ワークＷを嵌め込むホール２を有するキャリア３と、対向する上下一対の回転定盤４、５とを具え、回転定盤４、５の対向面に、研磨布６を夫々有する両面研磨装置１において、研磨布６に対し流体を吹き付けて、研磨布６を洗浄するにあたり、離間させた上下の回転定盤４、５間に、二股の先端部分９に流体を研磨布６に対し吹付けるノズル１０を有するアーム１１を挿入し、キャリア３を、上の回転定盤５側へと移動させて、ノズル１０をキャリア３のホール内に配置し、上下の回転定盤４、５を回転させ、ノズル１０をホール２内にてホール径方向に往復移動させつつ、ノズル１０から研磨布６に向かって流体を吹き付けて、両研磨布６を洗浄する方法である。 （もっと読む）

【課題】基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】まず、ポリシリコン膜が形成された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Ｗの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。次に、ポリシリコン膜が露出された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する。このような動作は、基板液処理装置１の制御部５０が回転駆動部２０、フッ酸供給部５４およびフッ硝酸供給部５２を制御することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面に付着するパーティクルがより微細なものとなっても、それらを効果的に除去することができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄液による半導体ウェーハの洗浄方法において、
前記洗浄液として、水より低表面張力、且つ水より低粘性を有するものを用い、前記半導体ウェーハの表面の温度を３０℃〜５０℃とした状態において、前記洗浄液で洗浄する。前記半導体ウェーハの裏面にウェーハの温度を上昇させるための流体を噴き付けることによってウェーハの温度を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】微細化の進んだパターンの倒壊のようなダメージの発生を防いで、基板に付着した汚染物質を除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、微細粒子の液滴を吐出するノズル１０と、ノズル１０から吐出した液滴をさらに微細化して基板Ｗに供給する液滴微細化手段とを備え、例えば液滴微細化手段は保持部材２３であり、保持部材２３は、複数のノズル部２１，２２から吐出した液滴が互いに交差するように複数のノズル部２１，２２を配置して、複数のノズル部２１，２２から吐出する液滴を互いに交差することで液滴の粒子の衝突により発生させる液滴交差領域Ｈを形成させる。 （もっと読む）

【課題】 高圧蒸気を微小領域に吹き付け、当該微小領域を拡大させることで被洗浄対象物の洗浄を行う洗浄装置を提供する。
【解決手段】 特定部に開口する槽形状の洗浄槽の開口部をエアカーテンにて閉鎖することとし、洗浄槽内に置かれた被洗浄物に対して高圧蒸気を吹き付けるノズルを、該エアカーテンを超えた洗浄槽内に配置することとする。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を伴わずに異なる種類の研磨加工を実現可能な研磨工具、研磨装置および研磨加工方法を提供すること。
【解決手段】研磨工具４３の研磨面は、第１の研磨パッド４５によって形成され、ワークの被研磨面の外形以上の大きさを有する中央研磨面と、第２の研磨パッド４６によって形成され、中央研磨面の外周を囲繞する外周研磨面とで構成される。そして、中央研磨面と外周研磨面とが段差を形成して外周研磨面が中央研磨面から突出しており、研磨工具４３は、全体として内側が窪んだ断面視凹型形状を有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄液に振動音響力を与えて半導体基板の表面を洗浄する方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板３０表面が圧電変換器３２から所定の距離になるように基板を配置する工程、基板と変換器との間に洗浄液５を供給する工程、変換器に交流の電流と電圧を供給することにより洗浄液に振動音響力を与える工程、基板と変換器を相対的に移動させる工程、表面と変換器との間の距離を測定する工程、または変換器に供給される電流と電圧との間の位相シフトを測定する工程、測定された距離を所望の距離と比較する工程、または測定された位相シフトを所望の位相シフトの値と比較する工程、表面と変換器との間の距離を調整して、この距離を所望の距離に実質的に等しくなるように維持する工程、または位相シフトを所望の位相シフトの値に等しくなるように維持する工程よりなる。 （もっと読む）

【課題】基板の一方の面の被加工膜をエッチングして剥離するときに、薬液が基板の他方の面に飛散することを防止する。
【解決手段】基板８を支持する基板ホルダー３を洗浄槽内に回転可能に設け、基板上に形成された被加工膜１８の上に薬液を吐出するノズル５を基板ホルダーの上方で横方向に移動可能に設け、ノズルを基板の上方で横方向に移動させると共に、ノズルから基板上に薬液を吐出させる制御装置を備え、基板から跳ねた液滴状の薬液を検知する液滴センサ１０を備え、制御装置は、液滴センサから出力された検知信号に応じてノズルの横方向への移動を停止させるように制御した。 （もっと読む）

【課題】 水洗および有機溶剤による洗浄の後の乾燥において、半導体ウエハを短時間で良好に処理可能な優れた半導体ウエハ処理方法および半導体ウエハ乾燥装置を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハの洗浄工程後に、半導体ウエハの複数の面へガスを吹き付ける乾燥工程を行う半導体ウエハ処理方法であって、乾燥工程は、半導体ウエハへガスを吹き付ける際に、複数方向からのガスが半導体ウエハの主面上において交わらないように、ガスの吹き付けを制御することとする。また、半導体ウエハの複数の面へガスを吹き付ける半導体ウエハ乾燥装置であって、半導体ウエハの一側面側からガスを噴射させる第１噴射パイプと、半導体ウエハの他の側面側からガスを噴射させる第２噴射パイプとを備え、第１噴射パイプおよび第２噴射パイプのうち少なくとも１つが移動しながら噴射可能であることとする。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を使用することなく、目視不可能な程度に薄い液膜や微小な液滴を含めて、濡れた基板表面から液体を残留させることなく迅速かつ完全に除去して、ウォーターマークの生成を最小限に抑えることができるようにする。
【解決手段】液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板表面に対向させて配置した気液吸引ノズル２８と基板Ｗとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体４０を該表面から剥離させつつ近傍の気体と共に気液吸引ノズル２８で吸引し、基板表面に対向させて配置した乾燥ガス供給ノズル４４と基板Ｗとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体４０を剥離させた領域に向けて乾燥ガス供給ノズル４４から乾燥ガスを吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】既存のＣＭＰ装置等で広く採用されているスピン乾燥に対応させて、乾燥用溶剤としてＨＦＥを使用した乾燥を実現できるようにする。
【解決手段】液体が付着した基板Ｗの表面を乾燥させる基板乾燥方法であって、基板Ｗを回転させながら、１２０〜１６０℃に加温され、かつ０．５〜１．０ＭＰａに加圧されたハイドロフルオロエーテルと水溶性アルコールとの混合蒸気２２を基板Ｗの表面に吹付けて基板Ｗの表面の液体を除去する。 （もっと読む）

【課題】第１に、基板材に対し強いインパクトで、均一なスプレーが実施され、第２に、もって微細化，高密度化された回路の電子回路基板でも、精度高く安定的に製造可能な、基板材の表面処理装置を提案する。
【解決手段】この表面処理装置６は、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材Ａに対し、スプレーノズル７から処理液Ｂを噴射して表面処理する。スプレーノズル７は、２流体ノズルよりなり、処理液ＢとエアーＤを混合して噴射すると共に、基板材Ａとスプレーノズル７間が、５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔Ｅとなっており、エアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、微小粒子となって基板材Ａにスプレーされる。そして基板材Ａに対し、強いインパクトでスプレーされると共に、左右方向Ｆへの水平往復移動により、広く均一にスプレーされる。エアーＤは、圧送源１４のブロワから温度上昇して圧送供給される。 （もっと読む）

物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。１つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】保持したワークに加工や処理を施した際に、摩擦による静電気発生が抑えられてワークに電荷が溜まりにくく帯電量を小さくし、静電破壊を抑制する。
【解決手段】枠体４１１の上面に吸着部４１２が嵌合され、吸着部４１２の上面が保持面４１３とされたスピンナテーブル４１と、スピンナテーブル４１を回転可能に支持する回転ベース４２とからなるワーク保持装置４０において、吸着部４１２と枠体４１１をともにフッ素樹脂等の絶縁体で形成し、回転ベース４２をアルミニウム等の導体で形成する。導体であるウェーハ１と回転ベース４２との間に絶縁体のスピンナテーブル４１を挟んだコンデンサ構造を有し、間の絶縁体すなわちスピンナテーブル４１の厚さを大きくしてウェーハ１への帯電を抑える。 （もっと読む）

【課題】大面積極薄ウェハを洗浄するのに適したスクラブ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】このスクラブ洗浄装置は、極薄ウェハ７の外周縁部が保持されてウェハを水平の状態で回転可能に支持する支持部材８と、支持部材を所定の回転数で回転させる駆動部と、ウェハ表面上に配置されかつウェハ表面に対して平行な回転軸を有するロールブラシ９と、ウェハ表面へ洗浄液10を供給する供給部を備え、ウェハ裏面側へ向け水流等の液体を噴射してウェハ表面の平面状態を維持させるウェハ平面維持手段としてのノズル11が設けられていることを特徴とする。そして、この装置によれば、ウェハ中心部に洗浄液が溜まり易いスクラブ洗浄中においても、ウェハ平面維持手段の作用によりウェハ表面の平面状態が維持されるため良好なスクラブ洗浄を安定して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は上下一対のエアーナイフの下方への撓みを矯正することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板の上面に気体を所定の傾斜角度で噴射するとともに、長手方向中途部に上部フックが設けられた上部エアーナイフ７と、基板の下面に気体を所定の傾斜角度で噴射するとともに、長手方向中途部に下部フックが設けられた下部エアーナイフ８と、上部エアーナイフの上方と下部エアーナイフの下方に平行に設けられた上部支持部材２５及び下部支持部材２６と、上部支持部材の長手方向の中途部に垂直方向に位置決め可能に設けられ下端に上部フック３１が揺動可能に係合する上部係止部２９を有する吊り下げ部材２７と、下部支持部材の長手方向の中途部に垂直方向に位置決め可能に設けられ上端に下部フック３５が揺動可能に係合する下部係止部３４を有する押し上げ部材３２を具備する。 （もっと読む）

【課題】凸形状部の倒壊をより確実に防止するだけではなく、被処理体の処理効率を高くすること。
【解決手段】液処理装置は、本体部９１と、本体部９１に設けられた複数の凸形状部９２とを有する被処理体９０を処理する。液処理装置は、被処理体９０の本体部９１を支持する支持部５０と、支持部５０によって支持された被処理体９０に薬液を供給する薬液供給機構１と、薬液供給機構１によって薬液が供給された後の被処理体９０に、リンス液Ｒを供給するリンス液供給機構１０と、を備えている。液処理装置は、リンス液供給機構１０によってリンス液Ｒが供給された後の被処理体９０に、疎水化ガスを噴出して供給する疎水化ガス供給機構２０も備えている。 （もっと読む）

【課題】研磨工具等を囲む筺体内の洗浄を容易に行えるようにする。
【解決手段】洗浄機構２０は、筐体内に配設され、水源３１等に連通する第１の連通路２２ａを有する第１の回転支持部２２と、第１の回転支持部２２によって回転可能に支持され、第１の連通路２２ａに連通する第２の連通路２３ａを有する第１のノズル体２３と、第１のノズル体２３において第１の回転支持部２２を中心として描かれる円の接線方向に開口し、第２の連通路２３ａに連通する第１の噴射口２４と、第１のノズル体２３に配設され、第２の連通路２３ａに連通する第３の連通路を有する第２の回転支持部２５と、第２の回転支持部２５によって回転可能に支持され、第３の連通路に連通する第４の連通路を有する第２のノズル体２６と、第２のノズル体２６において第２の回転支持部２５を中心として描かれる円の接線方向に開口し、第４の連通路に連通する第２の噴射口２７とを有する。 （もっと読む）

【課題】噴射ノズルおよび噴射ノズルを揺動する支持アームの汚染を防止することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に水溶性の保護膜が被覆されたウエーハをスピンナーテーブルに表面を上側にして保持し、スピンナーテーブルを回転するとともに洗浄水噴射ノズルから洗浄水をウエーハの表面に向けて噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで移動することにより、ウエーハの表面に被覆された保護膜を洗浄し除去するウエーハの洗浄方法であって、洗浄水噴射ノズルを支持し洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで揺動する支持アームが、揺動範囲において洗浄水噴射ノズルよりスピンナーテーブルの回転方向上流側に位置するように設定されている。 （もっと読む）