【課題】液切れのよいノズルアームを備える基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吐出するノズルと、ノズルを保持するノズルアーム４とを含む。ノズルアーム４は、水平面に沿う長手方向Ｄ１に延びている。ノズルアーム４の少なくとも一部の直交断面Ｃ１は、直交断面Ｃ１において最も上に位置している頂部４５と、頂部４５より側方に位置している側部４２と、頂部４５から側部４２まで下降し続けている上側傾斜部４７とを含む。 （もっと読む）

【課題】水の静的接触角が８５度以上である基板の表面を洗浄するにあたり、高い洗浄効果を得ることができ、しかも洗浄を短時間で行うことができる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、基板を回転させながら洗浄ノズルから基板の中心部に洗浄液を吐出して遠心力により基板の表面全体に広げる。その後、基板を回転させたまま基板上の洗浄液の吐出位置を、基板の中心部からずれた偏心位置に変更すると共に、洗浄液の吐出位置におけるガス吐出位置側界面と、ガスノズルによるガスの吐出位置における洗浄液吐出位置側界面との距離を９ｍｍ〜１５ｍｍに設定した状態で前記ガスノズルから前記基板の中心部にガスを吐出して、洗浄液の乾燥領域を形成する。然る後、洗浄液の供給位置を、前記乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で基板の周縁に向けて移動させる。 （もっと読む）

【課題】高い除去率で、しかも優れた面内均一性で基板を凍結洗浄する。
【解決手段】基板Ｗ上に形成されたＤＩＷ（凝固対象液）の凝固膜ＦＦに対してＤＩＷの凝固点よりも高い温度を有する融解液（ＤＩＷ）を局部的に供給するとともに、当該融解液を吐出するノズル８を基板表面Ｗｆに沿ってスキャン移動させて基板Ｗへの融解液の供給位置を変位させている。このため、基板Ｗ表面の複数位置で融解液の流速が速くなり、基板Ｗ表面の各部で高い除去率が得られるとともに、除去率の面内均一性も向上している。また、融解液により融解された領域（融解部分ＭＰ）と融解されていない領域（凝固膜ＦＦ）との界面ＩＦが基板Ｗの外周縁部側に広がるのに追随してノズル８を基板Ｗの外周縁部側に移動させているので、融解部分ＭＰで発生した氷塊による基板ダメージを効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理室とアーム待機部とを区画する壁に、ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられているときに、この壁の開口をノズル支持アームにより塞ぐことにより処理室内の領域とアーム待機部の領域とを隔離することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、処理室２０とアーム待機部８０とを区画する壁９０が設けられており、この壁９０のアーム洗浄部８８にはノズル支持アーム８２が通過可能な開口８８ａが設けられている。ノズル支持アーム８２は、アーム待機部８０で待機しているときにこの壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ａを塞ぐようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に効率良く液体洗浄および二流体洗浄を行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置（１０）は、基板保持部に保持された基板（Ｗ）の下方に位置して基板の下面に液体と気体とを混合してなる二流体を吐出することができるように構成されたノズル（６０）を備える。ノズルは、液体を吐出するための複数の液体吐出路（６７ａ）と、気体を吐出するための複数の気体吐出路（６７ｂ）とを有している。ノズルは、複数の液体吐出路にそれぞれ対応する複数の液体吐出口（６１）を有している。液体吐出口は、基板保持部に保持された基板の周縁部から内方に向かうように基板の下方に延びる水平線上に形成されている。液体吐出口は、気体吐出路に気体が供給されずに液体吐出路に液体が供給されているときに、液体吐出口から基板の下面に向けて吐出される液体の吐出方向が、基板の下面を含む平面に対して前記回転駆動部により回転させられる基板の回転方向に或る角度を成して傾斜するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】超音波の減衰や洗浄槽内での不均一な液流の影響を受けることなくウェーハ面内をムラ無く均一に洗浄することが可能なウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液２で満たされた洗浄槽１１と、洗浄槽１１内でウェーハ１を揺動可能に保持する受け台１２と、ウェーハ１を保持して上下方向に移動させるウェーハチャック１３とを備えている。ウェーハ１の回転動作時には、受け台１２の揺動角度が−θ度の位置でウェーハ１が受け台１２から浮いた状態となるようにウェーハチャック１３でウェーハ１を持ち上げる。次に、受け台１２だけを回動させて＋θの角度まで傾けた後、ウェーハチャック１３を開放してウェーハ１を再び受け台１２に載せることによって、ウェーハ１を周方向に回転させる。 （もっと読む）

【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２と、処理室２０に隣接して設けられ、当該処理室２０から退避したノズル支持アーム８２が待機するためのアーム待機部８０と、を備えている。液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕは複数設けられており、ノズル支持アーム８２ｐ、８２ｒ、８２ｔはノズル支持アーム８２ｑ、８２ｓ、８２ｕと高さレベルが異なるようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理方法および基板処理装置において、スループットの低下を招くことなく、しかも優れた面内均一性でパーティクル等を除去する。
【解決手段】基板Ｗの回転中心Ｐ（０）から基板Ｗの外縁側に離れた初期位置Ｐ（Ｒin）の上方に冷却ガス吐出ノズル７を配置し、回転している基板Ｗの初期位置Ｐ（Ｒin）に冷却ガスを供給して、初期位置Ｐ（Ｒin）および回転中心Ｐ（０）を含む初期領域に付着するＤＩＷを凝固させる。そして、初期凝固領域ＦＲ0の形成に続いて、ノズル７から冷却ガスを供給しながら初期位置Ｐ（Ｒin）の上方から基板Ｗの外縁部の上方まで移動させることによって、凝固される範囲を基板Ｗの外縁側に広げて基板表面Ｗｆに付着していた全ＤＩＷ（凝固対象液）を凝固して液膜ＬＦ全体を凍結する。 （もっと読む）

【課題】水の静的接触角が８５度以上である基板の表面を洗浄するにあたり、高い洗浄効果を得ることができ、しかも洗浄を短時間で行うことができる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、基板を回転させながら洗浄ノズルから基板の中心部に洗浄液を吐出して遠心力により基板の表面全体に広げる。その後、基板を回転させたまま基板上の洗浄液の吐出位置を、基板の中心部からずれた偏心位置に変更すると共に、洗浄液の吐出位置におけるガス吐出位置側界面と、ガスノズルによるガスの吐出位置における洗浄液吐出位置側界面との距離を９ｍｍ〜１５ｍｍに設定した状態で前記ガスノズルから前記基板の中心部にガスを吐出して、洗浄液の乾燥領域を形成する。然る後、洗浄液の供給位置を、前記乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で基板の周縁に向けて移動させる。 （もっと読む）

【課題】スプレノズルの先端部付近に残留した薬液の被処理膜上への滴下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スプレノズル２０と、スプレノズル２０を支持部材１２に対して高さ方向及び水平方向に相対移動させるノズル移動機構２１と、基材Ｗを回転させる回転駆動部１４とを備える。ノズル移動機構２１は、待機位置よりも上方の第１の上方位置から第２の上方位置まで基材Ｗに近づく方向へ水平移動させ、第２の上方位置から下方位置へ下降させる。その後に、スプレノズル移動機構２１は、ウエハＷ上の吐出位置にスプレノズル２０を水平移動させる。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設け、前記基板の表面側に前記外部混合手段を配置するとともに、前記基板の裏面側に前記内部混合手段を配置することにした。 （もっと読む）

【課題】高撥水性材料を塗布した基板においても、短時間で高い洗浄効果を得ることができる基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体を提供する。
【解決手段】回路パターンが形成された半導体ウエハＷの中心部Ｃに、処理雰囲気温度（２３℃）より高い温度の洗浄液Ｒを供給してウエハの表面全体に液膜を形成し、洗浄液の供給位置をウエハの中心部からウエハの周縁に向かって一定の距離だけ移動させると共に、ウエハの中心部にガスＧを吐出して乾燥領域Ｄを形成させ、この乾燥領域がウエハの周縁部に広がる速度と略同一の速度で洗浄液の供給位置を移動させることにより、レジスト膜の回路パターン間に残存する溶解生成物を洗浄液で掻き出しながら、ウエハの表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】処理液を効率的に利用しつつ処理性能を向上させることのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【解決手段】
処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して基板Ｐの全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニット１０と、第１ノズルユニット１０より基板Ｐの搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニット１０と向き合うように配置され、処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニット２０とを有し、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって基板Ｐの幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成されるように第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液の吐出方向が設定された構成となる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物全面に超音波を照射し、洗浄時間を短縮することで洗浄液による被洗浄物へのダメージを低減させる超音波洗浄装置およびその方法を提供する。
【解決手段】
超音波振動子を接着した振動部材のサイズを被洗浄物のサイズに合わせ、少なくとも二つ以上の洗浄液供給口を設け、洗浄液供給口に通した洗浄液供給ノズルから洗浄液を流しながら被洗浄物表面に平行に微小な間隙を設けて対向させ、被洗浄物全面にほぼ一様の厚さで洗浄液を流しながら、発振器から発振出力を超音波振動子に印加し、超音波を被洗浄物の表面に照射し、超音波を洗浄液が覆っている被洗浄物の全面に伝播する。 （もっと読む）

【課題】乾燥不良が生じることを抑制しつつ、基板を均一に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＤＩＷの液膜が形成されたウエハＷの表面に、処理液ノズル３からＤＩＷを供給させつつ、ガスノズル４から窒素ガスを供給させて、前記表面の周縁に、前記液膜除去された液膜除去領域Ｔを形成させる（図４（ｂ））。その後、ガスノズル４から前記
表面への窒素ガスの供給位置を、当該表面の中心部（中心Ｏおよびその近傍）に移動させることにより、液膜除去領域Ｔ内に中心Ｏを配置させる（図４（ｃ））。そして、液膜除去領域Ｔが前記中心部に配置された状態で、ウエハＷを所定の高回転速度まで加速回転させるとともに、前記窒素ガスの供給位置を前記周縁に向けて移動させることにより、液膜除去領域Ｔを拡大させつつＤＩＷを前記表面から排除していく（図４（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】ノズルの動作を簡単に教示することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供する。
【解決手段】記録開始指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、記録開始指令が入力されてからの経過時間をタイマー２５によって計測させる。さらに、ＣＰＵ２３は、ノズルの位置を検出するエンコーダ２２の出力と経過時間とをメモリー２４に記憶させる。そして、記録終了指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、エンコーダ２２の出力と経過時間の記憶を終了させる。記録開始指令の発生から記録終了指令の発生までのエンコーダ２２の出力は、経過時間と関連付けられて１つの動作データとしてメモリー２４に記憶される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１の剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間で被処理ウェハＷを搬送する第２の搬送装置３２と、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷの接合面を支持し、且つ被処理ウェハの接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面を保持するベルヌーイチャック２３１とを有し、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転自在になっている。 （もっと読む）

【課題】基板主面の全面に亙るウェット処理の均一化を図り、処理の歩留まりの向上や品質改善を達成することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スプレーパイプ部２２と、スプレーパイプ部２２の長手方向に一列に互いに近接して形設され薬液をその吐出口２６から基板Ｗの表面１０２へ吐出する複数のノズル部２４から構成される複数のスプレーノズル１４とを備え、基板Ｗの表面１０２に対する複数のノズル部２４の吐出口２６の対向角度を、傾斜させた姿勢で搬送される基板Ｗの表面１０２の傾斜下端方向に向けて、基板Ｗの表面１０２の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板Ｗの表面１０２の法線３００に対して漸次小さくなるように、複数のノズル部２４を複数のスプレーパイプ部２２に形設することにより、基板Ｗの表面１０２上において吐出後の薬液の流速を傾斜上端部付近では相対的に小さく傾斜下端部付近では相対的に大きくする。 （もっと読む）

【課題】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体（１８）から除去する方法を提供する。
【解決手段】硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。該支持体は、該液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。該支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、該液状硫酸組成物は、該液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。該支持体は次いで好ましくは洗浄されて該物質を除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４を備え、且つ当該被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１を備え、且つ当該支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の鉛直移動部１５１と第２の鉛直移動部１５２とを備えた移動機構１５０とを有している。第１の鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離するように、第２の保持部１１１の外周部を保持して鉛直方向に移動させる。 （もっと読む）