【課題】真空チャンバー内の静電チャック表面に静電吸着された異物の除去が困難である。
【解決手段】反応チャンバー１の出入口１ａに挿入可能な真空搬送ロボットのウェハローダー用ロボットハンド９の下部に、不活性ガスを噴射するガスノズル１０と、イオンにより静電気を中和させるイオナイザー１１とが付加された。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液ノズル４と、スピンチャックに保持された基板Ｗの周囲を間隔をあけて取り囲み、当該基板Ｗの上面周縁部から外方に排出される処理液に抵抗を与えるリング６とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の全面にわたって均一な品質の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を回転可能に保持する回転保持機構と、基板に処理液を吐出する吐出口を有する洗浄液ノズルと、前記洗浄液ノズルを平面視で基板Ｗの略中心と周縁との間で移動する洗浄液ノズル用移動機構と、回転保持機構と洗浄液ノズル用移動機構を制御して、基板を回転させ、かつ、処理液供給部を移動させて、処理液供給部から吐出された処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させる制御部と、を備えている。そして、処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させることで、基板Ｗの全面にわたって均一な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのような基板の全面においる液被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理装置１０は、基板Ｗの表面Ｓを処理する物理ツール４０を有する物理ツールユニット２３と、基板Ｗの表面Ｓに液体を供給する液供給ノズル４５と、基板Ｗの表面Ｓにガスを供給するガス供給ノズル４６とを有するノズルユニット２１と、物理ツールユニット２３を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部２３と、ノズルユニット２１を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させるノズルユニット移動機構部２４とを備える。 （もっと読む）

本発明の実施例は、洗浄溶液を半導体ウエハの一以上の表面に供する最適化されたすすぎ洗浄システム及び方法を供する。本発明の実施例は、製造サイクルにおける様々な時点でのウエハの処理に適用されて良い。前記ウエハは一層以上の金属層を有して良い。
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【課題】水蒸気と水とを組み合わせて照射する洗浄方法において、水分子の浸透時間に制限されず対象物を傷めることなく確実に洗浄する方法の提供。
【解決手段】水蒸気供給部Ａ、純水供給部Ｂ、水蒸気流体調整部Ｃ、混相流体照射部Ｄ、ウェハ保持・回転・上下機構部Ｅを有する構成であって、混相流体照射部Ｄの混合部１４４は、照射ノズル１４１の上流側に設置されており、該混合部１４４及び照射ノズル１４１は内壁面が略連続的な曲面を形成するとともに、該混合部１４４内壁面の一部に水導入部を有し、該照射ノズル１４１は、ノズル上流側からノズル出口へと向かうに従って縮径し、更に、最小断面積となるのど部を境に、拡径する末広構造を有し、前記混合部１４４内を流動する水蒸気に水を混合して、前記ノズル１４１の出口から混相流体として噴射することにより、対象物に液滴が衝突する際のキャビテーションを制御する。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄処理した後、ＩＰＡ等の乾燥用溶剤を用いて乾燥した場合に、スループットを低下させることなく薬液を回収することができる洗浄装置および洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを回転させながら、ウエハＷに薬液洗浄を施し、リンス処理を施し、その後ＩＰＡによる乾燥処理を施す洗浄機構１は、排液カップ６および排液配管３１を洗浄するための洗浄液を、ウエハＷに供給されない状態で、排液カップ６に供給する洗浄液供給機構３９を有し、さらに洗浄機構１の各構成部を制御する制御部４０を有し、この制御部４０は、ウエハＷの洗浄処理、その後のリンス処理を実施させた後、ＩＰＡによる乾燥処理を行わせている際に、乾燥処理が実施されているタイミングで洗浄液を排液カップ６に供給させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】ガス流の圧力損失を制御することにより、被処理物に対する処理レートを調整可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１内に、被処理物Ｓに対向して、プラズマ処理用のガスの流路を構成する穴３０を有する第１のガスノズル３と、穴４０を有する第２のガスノズル４とが、互いの間に隙間を保持した状態で重なり合う位置に配置され、第２のガスノズル４は、穴３０及び穴４０を通過するガスの圧力損失が変化するように、駆動機構６によって回動可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側縁部と端部と下面側縁部とからなる基板の縁部全体を良好に洗浄できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（２）の上面側縁部と端部と下面側縁部を洗浄するための基板処理装置（１）において、基板（２）を保持する基板保持手段（１９）と、基板（２）の上面側縁部を加圧した洗浄液で洗浄するための第１洗浄手段（２５）と、基板（２）の端部及び下面側縁部を洗浄部材に接触させた状態で洗浄するための第２洗浄手段（２６）とを有し、第１洗浄手段（２５）で基板（２）の上面側縁部を洗浄するとともに、第２洗浄手段（２６）で基板（２）の端部及び下面側縁部を洗浄するように構成することにした。 （もっと読む）

【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、基板（２）を処理するための基板処理部（２１）と、基板（２）を処理する処理流体を基板処理部（２１）に供給するための処理流体供給部（２２）と、噴霧ノズル（４８，４９）から処理流体を溶解する溶媒を基板処理部（２１）より排出された排気に向けて噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部（２３）とを設けることにした。また、前記排気処理部（２３）は、内部に排気を分散させるための多孔状の分散板（５２、５３、５４）を設けることにした。 （もっと読む）

【解決手段】実施形態は、基板表面から汚染物質を除去してデバイス歩留まりを向上させるための基板洗浄技術を提供する。基板洗浄技術は、固体成分と高分子量のポリマとを洗浄液中に分散させることによって形成された流体である洗浄材料を用いる。固体成分は、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を除去する。高分子量のポリマは、洗浄材料中の固体を捕えて閉じ込めるポリマ鎖及びポリマ網目を形成し、これは、微粒子汚染物質、不純物、及び洗浄材料中の固体成分などの固体が基板表面上に沈下することを阻止する。また、ポリマは、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を基板表面から除去することを助けることもできる。一実施形態では、洗浄材料は、基板表面上の突出特徴に強い衝撃を与えてそれらを損傷させることなくそれらの突出特徴の周囲を滑走する。 （もっと読む）

【課題】研削加工されたウエーハの被研削面に残存するコンタミを可及的に減少させることができる洗浄機構を備えた研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブル上に保持された被加工物を研削する研削手段と、研削加工された被加工物の被研削面を洗浄する洗浄機構とを具備する研削装置であって、洗浄機構は被加工物の被研削面を上側にして保持するスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に洗浄水を噴出する洗浄水供給手段と、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に柔軟な払拭部材を接触させて被加工物の被保持面を払拭する払拭清掃手段と、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面にオゾン水を噴出するオゾン水供給手段とを具備している。 （もっと読む）

【目的】 半導体ウェーハＷ等の下面周縁部のみを吸着しても撓みが発生し難い回転処理装置を提供する。
【構成】 吸引チャック５の上部形状は周縁部が内側部よりも高くなった皿状をなし、周縁部の上面には半導体ウェーハＷの製品とならない外縁部分を吸着するための吸引溝９が形成されている。この吸引溝９上に半導体ウェーハＷの下面周縁部の製品にならない部分が載置されるようにする。そして、吸引溝９を介して半導体ウェーハＷの下面周縁部を吸引する。吸引溝９は平面視で円形状をなすように形成されているため、半導体ウェーハＷの下面周縁部の全周が吸引され、撓みが発生し難い。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗの中央部上方に配置され、気体吐出口５５から基板Ｗに沿って窒素ガスを放射状に吐出して、基板Ｗを覆うための窒素ガスの流れを形成する気体吐出ノズル６とを含む。 （もっと読む）

【課題】吸着パッドの吸着面に偏磨耗を発生させることがないとともに、被加工物に貼着された保護テープを剥離することなく洗浄すること。
【解決手段】被加工物を研削する研削手段と、被加工物を吸引保持する吸着パッドを備えた被加工物搬出手段と、被加工物の被保持面および吸着パッドの吸着面を洗浄する洗浄機構８とを具備する研削装置であって、洗浄機構８は吸着パッドの吸着面に垂直な方向に配設された回転軸と、回転軸を回転駆動する回転駆動手段８３と、回転軸の上端部に径方向に突出して配設され吸着パッドの吸着面を洗浄するための研削部材８４２を備えた第１の洗浄手段８４と、被加工物の被保持面を洗浄ための柔軟部材を備えた第２の洗浄手段８５と、第１の洗浄手段８４と第２の洗浄手段８５のいずれか一方を軸方向に進退し他方の洗浄手段の上面より高い洗浄位置と他方の洗浄手段の上面より低い退避位置に位置付ける位置付け手段８６とを具備している。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理液が貯えられる貯液タンク３２と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体３１に給液管路３３を通じて供給する供給ポンプ３４と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第１の加熱ヒータ３７と、上部ノズル体が基板の上面から外れた待機位置にあるときに供給ポンプによって上部ノズル体から噴射される処理液の温度を測定する温度センサ４３と、温度センサが測定した処理液の温度が所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上部ノズル体を基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御装置を具備する。 （もっと読む）

【課題】 超音波照射装置、洗浄装置及び洗浄方法に関し、振動体を利用してダメージを低減するとともに、ウェーハ表面への異物の再付着を防止する。
【解決手段】 円筒状の外周側面を備えた中空回転体と、前記中空回転体を支持し且つ前記中空回転体の中心軸を中心に前記中空回転体を回転させるための手段と、前記中空回転体の外周側面に超音波振動を生じさせるための手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物にダメージを与えるのを抑制して超音波洗浄し、被洗浄物から異物を除去することができる超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 超音波洗浄装置であって、少なくとも、被洗浄物を載置して保持するテーブルと、該テーブルによって保持された前記被洗浄物にガス雰囲気下で圧電振動子の振動を超音波伝搬体によって前記雰囲気ガスを介して伝搬させて超音波洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段の圧電振動子に高周波電圧を印加する超音波発振器とを具備し、前記超音波伝搬体の前記被洗浄物に超音波振動を伝搬する側の端面が、該端面の逆側の前記圧電振動子が配置される端面より先細の形状に形成され、前記洗浄手段で前記被洗浄物の表面に超音波振動を伝搬させて無接触でドライ洗浄するものであることを特徴とする超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハの上面全体をエッチング液によって均一にエッチング処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理液によって処理する処理装置であって、
半導体ウエハを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、先端部に処理液を半導体ウエハに向けて噴射する上部ノズル体５１を有し、回転テーブルの上方で上部ノズル体が半導体ウエハを横切る方向に駆動されるアーム体５２と、ノズル体が半導体ウエハの周辺部から中心部に向かうときにアーム体の移動速度を次第に増加させ、中心部から周辺部に向かうときには揺動速度を次第に低下させるようアーム体の移動速度を制御する制御装置７を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させながら基板に処理液を供給して該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において、基板表面への処理液の再付着を効果的に防止する。
【解決手段】基板Ｗの下面周縁部に当接しつつ基板Ｗを支持する支持部７が複数個、スピンベース５の周縁部に上方に向けて突設され、この複数個の支持部７によって基板Ｗの下面と対向するスピンベース５から離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。スピンベース５はモータ３により回転される。また、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間に対向面９ａに設けられた複数のガス噴出口９ｂから不活性ガスを噴出する。基板Ｗに働く遠心力より基板Ｗの下面と支持部７との間に発生する摩擦力が大きくなる押圧支持条件が満たされるように制御して、支持部７に押圧させた基板Ｗをスピンベース５に保持させながら回転させる。 （もっと読む）