【課題】半導体ウエハの表面に貼り付けられた保護テープをウエハ外形に沿って切り抜く半導体ウエハの保護テープ切断方法において、保護テープ切断処理によって発生した塵埃を適切に除去する。
【解決手段】半導体ウエハＷの外周に沿ってカッタ刃１２を相対移動させるとともに、カッタ刃１２によるテープ切断部位に発生して保護テープＴの上面に付着した塵埃を、半導体ウエハＷに対してカッタ刃１２とともに相対移動する集塵部材５６で掃き集め、テープ切断終了後に、所定箇所に掃き集めた塵埃を吸引ノズル６１で吸引除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の汚れ状況に対応して、不必要な洗浄時間を費やすことのないノズル方式による基板洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】基板８０を設置して回転させる回転駆動部６０と、基板８０の表面に洗浄液７５を供給するノズル１０と、ノズル１０に洗浄液７５を供給する洗浄液供給部７０と、ノズル１０の基板８０の表面上での位置を検出するノズル位置検出部２０と、ノズル１０を基板８０の表面上で移動させるノズル移動部３０と、ノズル位置検出部２０の位置検出信号と外部から入力される基板８０の汚れ検査情報信号とからノズル移動部３０を制御するノズル移動制御部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面を均一にかつ迅速に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽２２の洗浄液にウエハＷが浸された状態で乾燥室２３内において乾燥ガスを略水平方向、略水平方向よりも斜め下方または鉛直方向下方に供給する。乾燥室２３内において乾燥ガスが供給されている状態でウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥室２３内まで移動させる。この際にウエハＷの一部分が洗浄槽２２に貯留された洗浄液に浸された状態のときに乾燥室２３内における乾燥ガスの供給を停止する。乾燥室２３内にウエハＷが移動し終わった後にこの乾燥室２３内において乾燥ガスを略水平方向よりも斜め上方または鉛直方向上方に供給する。 （もっと読む）

【課題】 大型化、薄型化した板ガラス等の板材に対してその品質の一層の向上を図り、迅速に効果的な洗浄処理を行いうる板材の洗浄設備を提供すること。
【解決手段】 縦状態の板ガラスの下端を支持するベルトコンベア２と、板ガラスＧの側面に流体圧を作用させることによって板ガラスを立った状態で支持する流体ガイド８と、流体ガイド８から洗浄液を板ガラスの表面に供給する洗剤洗浄装置３と、板ガラスの両面側から高圧液スプレーを噴射する高圧液スプレー部材１９を上下動可能に備えた高圧液スプレー洗浄装置４と、板ガラスの両面側から上下方向に延びる膜状の気流であるエアナイフを吹き付ける水切り部材３０を備えた水切り装置６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】薬液供給装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薬液供給装置は、それぞれ前後方向に移動可能な複数のノズルと、複数のノズルを内部に収容し、ノズルが出入り自在に一方の側が開放されたノズルカバー及びそれぞれのノズルを前後方向に移動させるノズル駆動部を備える。 （もっと読む）

【課題】純水と窒素ガスとを衝突させて純水の液滴を形成して供給する液滴供給方法、液滴を供給する二流体ノズルおよび液滴を基板に供給して基板処理を施す基板処理装置において、液滴の微粒化を高める。
【解決手段】液体吐出口３４２から純水が吐出されるとともに、液体吐出口３４２を挟み込むように設けられた気体吐出口３４１、３４３から窒素ガスが吐出され、純水と窒素ガスとの衝突によって純水の液滴が形成される。このように互いに異なる２経路で、しかも挟み込むように窒素ガスが純水の液流れに吐出されて純水に対してせん断力が作用する。しかも、いずれの気体吐出経路においても、窒素ガスが純水の液流れに対して直角に吐出されるため、上記せん断力がさらに高められる。その結果、微細な液滴が形成される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】装置は、ウエハに対して実行されるメニスカスプロセスを監視する。プロセッサによって受信される現在の処理の監視データは、ウエハおよび処理ヘッドの間のギャップの特徴を示す。プロセッサは、姿勢監視信号の形態であるデータと現行レシピとに応答するよう構成される。プロセッサは、さらなるメニスカス処理においてメニスカスを安定に保つことを可能にするためのメニスカス監視信号を生成する。監視は、現在のギャップが、（ｉ）現行レシピの所望のギャップ以外のギャップであり、かつ、（ｉｉ）安定したメニスカスに対応するか否かを判定するために現在のメニスカス処理に対して行われる。その場合、較正レシピが、現在の、ギャップを指定するものとして特定される。この較正レシピは、現在のギャップによるウエハ面のメニスカス処理のためのパラメータを指定する。ウエハ面のメニスカス処理は、特定された較正レシピによって指定されたパラメータを用いて継続される。 （もっと読む）

【課題】基板を効率良く洗浄しながらも基板へのダメージを低減することができる二流体ノズルおよび該二流体ノズルを用いた基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル３０１において、液体吐出口３２７を環状で且つスリット状に開口させるとともに、液体吐出口３２７の開口面積を１．８ｍｍ^２以上かつ３６ｍｍ^２以下に設定している。このため、従来ノズルに比べて単位時間当たりの供給液滴数を増加させ、基板Ｗを実用的かつ効率的に洗浄することが可能となる。しかも、液体吐出口３２７のスリット幅を０．１ｍｍ以上かつ１．０ｍｍ以下の範囲に設定しているので、基板Ｗへのダメージ発生に寄与する比較的大きな粒径の液滴が生成されるのを抑制することができる。したがって、基板Ｗを効率良く洗浄しながらも基板Ｗへのダメージを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板の上部面と下部面を効率的に洗浄またはエッチングできる基板加工方法を提供する。
【解決手段】 基板加工方法によると、基板を支持し、支持された基板を回転させる。薬液、洗浄液、及びガスのうち、少なくとも１つを回転する基板の下部面に選択的に噴射する。基板の下部面に噴射される薬液、洗浄液、及びガスと同一の薬液、洗浄液、及びガスのうち、少なくとも１つを回転する基板の上部面に選択的に噴射する。従って、基板の下部面を洗浄またはエッチングするために基板の下部で薬液、洗浄液、及びガスを噴射することで、基板の上部面と下部面に対する工程を同時に進行することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗの一面を覆うようにリンス液の液層Ｌが形成される。続いて、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。液供給ノズル６５０は、基板Ｗの中心部上方から所定距離移動した時点で一旦停止する。この期間に、遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部に乾燥コアＣが形成される。その後、液供給ノズル６５０が再び外方に向かって移動することにより、乾燥コアＣを始点としてリンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗが回転する状態で、液供給ノズル６５０がリンス液を吐出しつつ基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。この場合、リンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方まで移動すると、基板Ｗの回転速度が下降する。液供給ノズル６５０の移動速度はそのままで維持される。その後、リンス液の吐出が停止されるとともに液供給ノズル６５０が基板Ｗの外方に移動する。それにより、乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上の全体に広がり、基板Ｗが乾燥される。 （もっと読む）

【課題】基板を収容する容器の運用効率を向上しつつ、基板へのパーティクルの付着を防止することができる容器清浄度計測装置を提供する。
【解決手段】フープ検査装置１０は、フープ９０の内壁やフープ９０の内部においてウエハＷの周縁部を担持する担持部９４に付着したパーティクルＰの剥離を促進するパーティクル剥離促進ノズル１８と、フープ９０の内壁等から剥離したパーティクルＰを採集するパーティクル採集ノズル１９と、採集されたパーティクルの量を計測するパーティクルカウンタ２３とを備え、パーティクル剥離促進ノズル１８及びパーティクル採集ノズル１９はプローブノズル１５を構成し、該プローブノズル１５はフープ９０の内部に進入する。 （もっと読む）

【課題】被処理面以外の面に対する処理液の飛散を防止し、被処理面のみに処理液を用いた処理を施すことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面処理治具１は、半導体ウエハ５０の被処理面５０ａと対向する対向面１ａに形成された環状の溝１０と、溝１０に連通するように形成された、処理液を回収する貫通孔１１とを有する処理液回収部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数種類の液体を用いる基板処理方法において、液体を用いた処理の後に基板上に残留している当該液体を、次に使用される液体によって迅速かつより確実に置換することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、処理液によって基板Ｗを処理する工程と、基板上に置換液を供給し、基板上に残留する処理液を置換液で置換する工程と、を備える。置換する工程に用いられる置換液は、処理液の表面張力よりも小さい表面張力を有し、かつ、処理液の密度と同一の密度を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を洗浄する際に、所定の時間で、被処理基板の被洗浄面の全体を均一に、効率よくかつ確実に洗浄すること。
【解決手段】基板洗浄装置は、ウエハＷを回転可能に保持するスピンチャック２０と、スピンチャック２０によって保持されたウエハＷの表面に洗浄液を供給する二流体ノズル１０と、二流体ノズル１０に連結され、当該二流体ノズル１０を回転保持部２０に保持されたウエハＷの表面に沿って移動させる移動機構３０と、を備えている。移動機構３０には、移動機構３０によって二流体ノズル１０をウエハＷの中央部からウエハＷの周縁部に向かって移動させる際、ｎ段階に分けて二流体ノズル１０の移動速度ｖ_ｋを多段的に低下させるよう移動機構３０を制御する制御部５０が接続されている。制御部５０は、ウエハＷの中央部を洗浄する１段階目における二流体ノズル１０の移動速度ｖ_１を、１段階目における二流体ノズル１０の理想移動速度ｖ_d１よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止しながら表面処理を良好に行うことができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】ノズル３から回転駆動される基板Ｗの端部（表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ）に対して局部的に薬液が供給される。また、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル３からの薬液が供給される供給位置ＬＰに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで基板Ｗの端部がレーザユニット７から照射されるレーザ光によって局部的に加熱される。これにより、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温する。このため、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温された直後に基板Ｗの回転により加熱昇温された基板Ｗの端部に薬液が供給される。 （もっと読む）

【課題】枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル８０により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Ｗの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。 （もっと読む）

【課題】応力集中が発生するのを抑制しながら基板の被処理面に形成された液膜を効率的に凍結させる。
【解決手段】基板Ｗの下面に向けて、液膜１１ｆ、１１ｂを構成するＤＩＷの凝固点より低い温度を有する冷却ガスが供給されて液膜１１ｆ、１１ｂの凍結が行われる。また、冷却ガスは基板Ｗの下面中央部に向けて局部的に吐出され、該下面中央部に対する冷却能力が基板Ｗの下面周縁部に対する冷却能力よりも高くなっている。このため、液膜１１ｆ、１１ｂ全体のうち基板中央部に対応する液膜部分がまず凍結し、それに続いて、液膜凍結が基板周縁部に向けて進行する。したがって、基板Ｗの周縁部に対応する液膜部分が最終的に凍結することとなる。その結果、最終的に凍結する部分、つまり液膜の周縁部分では、体積膨張による応力の一部は外周方向に解放されて応力集中が抑制される。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、レジストを良好に除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＳＰＭ液ノズルに対し、１７０℃以上に温度調節された硫酸と、常温の過酸化水素水とが、１：０．１〜０．３５の流量比で供給される。硫酸と過酸化水素水とが混合して生成されたＳＰＭ液が、ＳＰＭ液ノズル３からウエハＷの表面に供給される。
【効果】ウエハＷの表面上のほぼ全域において、レジストを良好にかつ均一に除去することができる。 （もっと読む）

ディスク状物体のウェット処理用装置が開示されており、該装置は該ディスク状物体を保持、回転するスピンチャックと、該ディスク状物体の第１面の第１周辺領域の方へ向けられた処理液を分配する内側エッジノズルと、を具備しており、該第１面は該スピンチャックに面しており、該第１周辺領域は１ｃｍより大きく、該ディスク状物体の半径（ｒａ）より小さい内側半径（ｒｉ）を有する該第１面の領域として規定され、該内側エッジノズルは、該スピンチャック上に置かれた時の該ディスク状物体と該スピンチャックとの間に静止した仕方で位置付けられ、該内側エッジノズルは、該ディスク状物体の第１面に対し処理液を供給するために、静止した仕方で配置され、該スピンチャックを中央で貫通する中央パイプを通して供給を行っている。 （もっと読む）