【課題】この発明は半導体ウエハを高い清浄度で、しかもウオータマークを発生させることなく洗浄することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】上面に半導体ウエハを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、回転テーブルの上方に半導体ウエハを横切る方向に駆動可能に配置され半導体ウエハに処理液をミスト状にして供給する第１のノズル体４６と、半導体ウエハの第１のノズル体から供給されたミスト状の処理液によって処理された部分に処理液を液状の状態で供給する第２のノズル体５６と、第２のノズル体よる処理液の供給量或いは回転テーブルの回転数の少なくともどちらか一方を制御して第１のノズル体によって半導体ウエハにミスト状で供給された処理液を半導体ウエハから排出させる制御装置７を具備する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の酸化を抑制または防止しつつ、シリコン基板に対し処理液を用いた処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック３は、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する保持電極板５を備えている。保持電極板５には、直流回路２２の電源の負極が接続されている。保持電極板５の上方には、対向電極板１０が設けられている。対向電極板１０には、直流回路２２の電源の正極が接続されている。対向電極板１０と、ウエハＷの表面とを隙間ｄを隔てて対向させ、対向電極板１０と保持電極板５との間に電位差が与えられる。この状態で、処理液ノズルからＳＰＭが供給される。 （もっと読む）

【課題】上下ノズルの流量比を処理に応じて最適なものとすることにより、液中のパーティクル排出性能を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】、制御部４７は、上ノズル１３と下ノズル１１の流量比を調整するので、内槽３内におけるリフタ９の保持部７付近に適度な大きさの渦を発生させることができる。したがって、渦の大きさを調整して、内槽３内を下方から上方へと向かう処理液の流れを適切に形成させることができるので、特に、洗浄処理において液中のパーティクルの排出能力を向上できる。 （もっと読む）

【課題】装置構成を簡略化しつつ、洗浄性能を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを水平姿勢で保持する基板保持部１と、基板Ｗに接触して基板Ｗを洗浄する洗浄ブラシ７と、洗浄ブラシ７の側方に設けられ、処理液の液滴をキャリアガスとともに基板に噴射して基板を洗浄する二流体ノズル９と、洗浄ブラシ７と二流体ノズル９とを保持する保持アーム５と、この保持アーム５に連結して設けられ、基板Ｗ面に沿って洗浄ブラシ７と二流体ノズル９とを移動させる単一のアーム移動機構と、を備えている。このように構成される基板処理装置によれば、洗浄ブラシ７と二流体ノズル９を移動させる単一のアーム移動機構を備えているので、装置構成を簡略化しつつ、洗浄性能が一層向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、スピンベース６から離隔させた状態でウエハＷを水平に保持する複数個の挟持部材７を有するスピンチャック２を備えている。ウエハＷとスピンベース６との間には区画板３２が配置されている。ウエハＷとスピンベース６との間の空間は、区画板３２によって基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている。下側処理液吐出口３７から処理液が吐出されることにより、基板側の空間Ｓ１ａに処理液が供給され、ウエハＷの下面が処理される。また、洗浄液吐出口３０から洗浄液が吐出されることにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液が供給され、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂが洗浄される。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡ液などの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマーク等を発生させることなく、基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス液で濡れた基板表面Ｗｆを上方に向けた水平姿勢で基板Ｗが略水平面内にて回転されながらＩＰＡ液が基板表面Ｗｆに供給される。これによって、基板表面Ｗｆ上のリンス液がＩＰＡ液に置換されるが、置換処理中に基板表面Ｗｆから全てのリンス液が完全に排除されるタイミングで基板Ｗの側方に位置する案内部を第２案内部７２ａから第３案内部７３ａに切り替える。このため、第３案内部７３ａにリンス液が付着するのを確実に防止し、第３案内部７３ａで包囲された雰囲気を低湿度化し、当該低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される（パドル形成処理）。続いて、溶剤吐出ノズル７６５を基板中心から周縁に向けて方向Ｄnに移動させながらＩＰＡを供給することで、基板上のＤＩＷ液膜にＩＰＡを添加し表面張力を低下させる（溶剤供給処理）。溶剤吐出ノズル７６５が基板周縁に達し溶剤供給処理が終了した後に、中央に溶剤供給路９７を有する遮断部材９を基板に近接配置し、溶剤供給口９７ａからＩＰＡを供給しながら基板の回転速度を増大させて、ＩＰＡによる置換領域ＳＲを基板全体に広げる（置換処理）。 （もっと読む）

【課題】低湿度ガスの供給量を低減することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷが収容されるチャンバ１と、チャンバ１内でウエハＷを保持するスピンチャック２と、チャンバ１内のスピンチャック２の上方に上下動可能に設けられ、低湿度ガスおよび清浄空気のいずれかを下方に向けて吐出可能なガス吐出ヘッド７と、ガス吐出ヘッド７を、少なくとも前記チャンバの上部の退避位置と、前記基板保持部に保持された基板に近接した近接位置との間で移動させる駆動機構６７と、スピンチャック２に保持されたウエハＷに処理液を供給する処理液供給ノズル１５と、スピンチャック２に保持されたウエハＷにＩＰＡを供給するＩＰＡ供給ノズル３５とを具備し、少なくともＩＰＡの供給時にガス吐出ヘッド７を近接位置に位置させて前記ガス吐出ヘッドから低湿度ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される（パドル形成処理）。その後、所定量のＩＰＡを基板Ｗ上の液膜に供給してから（溶剤供給処理）、ＩＰＡを供給せずに基板を回転させることで液膜を攪拌する（攪拌処理）。これにより、基板上に残留していたＤＩＷがＩＰＡ内に溶け込む。さらにその後、ＩＰＡ供給を再開して基板の回転速度を高めることにより、基板Ｗ上のＤＩＷを完全にＩＰＡに置換する（置換処理）。 （もっと読む）

【課題】ウェハー研磨機とウェハー洗浄機とを備えたＣＭＰ装置において、ウェハー洗浄機による洗浄後にも残存する残存スラリーを低減することを課題とする。
【解決手段】ウェハーホルダーと、ウェハー研磨機と、ウェハー洗浄機とを備えたＣＭＰ装置であって、前記ウェハー洗浄機は、洗浄容器と、前記洗浄容器内に洗浄液を導入する洗浄液導入装置とを備え、前記洗浄容器は、前記ウェハーの研磨面に対応する前記ウェハーホルダーのウェハー担持面より大きな上部開口部を備え、かつその上端が洗浄時に前記ウェハーホルダーの少なくとも側面に位置することを特徴とするＣＭＰ装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、ＤＩＷ供給停止後、所定時間が経過してパドル状の液膜の膜厚Ｔ1がほぼ均一になるのを待ってから、基板Ｗの回転速度が４０ｒｐｍに加速される。これによって、基板上のＤＩＷ液膜の厚さが膜厚Ｔ2に減少する。こうして基板上のＤＩＷ量が減少した状態で、ＤＩＷを置換するためのＩＰＡの供給を開始することにより、置換に必要なＩＰＡの量を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板上に第１洗浄液の液膜が形成された状態で、基板を良好に洗浄できる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 回転保持部１０により回転される基板Ｗに、第１洗浄液供給部４０からの第１洗浄液が供給され、基板Ｗ上に液膜ＬＦ１が形成される。導入プレート６０ａおよび超音波付与部７０が、退避位置から洗浄処理位置に向けて揺動させられ、基板Ｗの外縁部付近に配置される。これにより、基板Ｗ上に液盛りされた第１洗浄液の一部が、表面張力により基板Ｗ上から導入プレート６０ａ上に導入され、導入プレート６０ａに外方液膜ＬＦ２が形成される。そして、超音波付与部７０による超音波振動と、第２洗浄液の供給に基づいた波立振動とが、外方液膜ＬＦ２に付与される。これにより、基板Ｗへのダメージを低減させつつ、基板Ｗに付着するパーティクルの除去率を各段に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板面内により均一に処理を施すと共にスループットの向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、基板２を水平搬送しながらその上面に現像液の液層Ｘを形成するための液ノズル１６と、基板２上に形成された液層Ｘを除去するための除去手段とを備える。この除去手段は、基板２を横断するように設けられて該基板２の上面に向かってエアを吐出するエアナイフ１８と、該エアナイフ１８によるエア吐出位置よりも基板２の後端側に隣接する位置に配置され、前記エアの吐出時に生じる液層Ｘの波打ちを抑える波消し部材２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】設置スペースの自由度の高い超音波洗浄装置の提供にある。
【解決手段】本発明の超音波洗浄装置は、筐体１１と、該筐体の先端部に取り付けられ吐出孔の直径が一定の直線状丸孔に形成され、かつ後端部面がその外縁から前記吐出孔に向かって所定の傾斜角で下降する円錐状に形成されたノズル１２と、該ノズルの後端部に対向して配置された円板状の超音波振動子１３と、前記筐体の側面に形成された伝達液供給口１７及び排出口１８とを備えた超音波洗浄装置であって、前記ノズルの吐出孔に連設して、該吐出孔から供給された伝達液を保持するとともに超音波振動子からの超音波を被洗浄物に対し伝達・照射するため超音波伝達管２０を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に対向部材を極めて微小な間隔を隔てて対向配置させて基板に処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板４の対向面には、中央部吐出口１２と多数個の周縁部吐出口１９とが形成されている。遮断板保持体１７は、ボールブッシュ機構２３を介してアーム１０に取り付けられている。そのため、遮断板保持体１７および遮断板４は、アーム１０に対して上下方向に変位可能に保持される。周縁部吐出口１９からの不活性ガスの吐出によって、遮断板４に、鉛直上向きの離反方向力が作用し、遮断板４はアーム１０に対して鉛直上向きに相対変位する。遮断板４は、この離反方向力と遮断板４等に働く重力とが釣り合う位置に保持される。 （もっと読む）

【課題】廃液処理の問題がなく設備費などを抑えながら、清浄効率や効果に優れた表面清浄化方法及び装置を提供する。
【解決手段】水中燃焼による表面清浄化方法であり、被洗浄物を保持しかつ被洗浄物表面を冠水ないしは水中に浸すとともに、燃焼炎を被洗浄物表面に該表面上の水を排除しながら照射し、該燃焼炎及び該燃焼炎にて発生する活性種に被洗浄物表面を曝すことにより該被洗浄物表面の汚染物を除去するようにした。また、前記燃焼炎は、保炎器を介して前記被洗浄物側へ照射されるとともに、前記被洗浄物が所定温度となるよう制御されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】超音波振動が付与された処理液により所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】メモリ２１には、超音波振動子１８の駆動電流値と、超音波ノズル４とウエハＷとの間の距離と、超音波ノズル４から供給される処理液流量と、ウエハＷ上における処理液中の超音波音圧値との対応関係を表す駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルが記憶されている。ＣＰＵ２０は、駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルを参照することにより、音圧値入力キー２４により設定された超音波音圧値に対応する駆動電流値を求める。ＣＰＵ２０は、その算出された駆動電流値で超音波振動子１８を駆動するように超音波発振器１７を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状の物品の一方の表面上の、縁部側の所定の部分を、或る液体で処理し、しかも、（ウエハの外縁から測定して）２ｍｍより多い縁部領域を処理する可能性を示すこと。
【解決手段】 洗浄ガスの大部分をウエハ状の物品（Ｗ）の縁部領域でウエハ状の物品（Ｗ）から導き出すガス排出装置（４）が周囲に設けられ、また、第２の主面上の液体が縁部付近の所定の部分を濡らし、続いて、液体がウエハ状の物品（Ｗ）から除去される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状の物品の一方の表面上の、縁部側の所定の部分を、或る液体で処理し、しかも、（ウエハの外縁から測定して）２ｍｍより多い縁部領域を処理する可能性を示すこと。
【解決手段】 洗浄ガスの大部分をウエハ状の物品（Ｗ）の縁部領域でウエハ状の物品（Ｗ）から導き出すガス排出装置（４）が周囲に設けられ、また、第２の主面上の液体が縁部付近の所定の部分を濡らし、続いて、液体がウエハ状の物品（Ｗ）から除去される。 （もっと読む）

【課題】処理液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理する。
【解決手段】基板Ｗを第１回転速度（例えば１０００ｒｐｍ）で回転させる一方、薬液吐出ノズル４から基板表面Ｗfにフッ酸を第１流量、例えば２（Ｌ／ｍｉｎ）で基板表面Ｗfに供給する。これにより、厚みＴ1のフッ酸液膜２７が基板表面Ｗf全体に形成され、基板表面Ｗf全体がフッ酸と馴染んだ状態となる。次に、薬液吐出ノズル４からのフッ酸の吐出流量を２（Ｌ／ｍｉｎ）に保ったまま、基板Ｗの回転速度を、第１回転速度よりも低速の第２回転速度、例えば１０ｒｐｍに減速する（第２工程）。このように回転速度を減速することにより、基板表面Ｗf上に厚さＴ2（＞Ｔ1）の液盛り２８が形成される。また、液盛り形成後の第３工程において、フッ酸をさらに継続してノズル４から吐出させて液盛り状態を継続して常にフレッシュなフッ酸が補給される。 （もっと読む）