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Fターム[5F157CE25]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 検知制御 (3,601) | 制御対象 (3,445) | 装置 (673) | 噴射ノズル (296) | 位置、姿勢 (210)

Fターム[5F157CE25]に分類される特許

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【課題】処理モジュールに処理液を共通の塗布ノズルを用いて供給するときに、複数準備される薬液ノズルの処理液供給配管同士の擦れを防ぎ、同時に塗布ノズルを把持して移動するときにノズル搬送アームへの無用な負荷を掛けないようにすること。
【解決手段】処理液供給ノズル10を接続し、上部に第1の把持穴40を設けるノズルブロック部17と、上部に第2の把持穴25を設ける把持用ブロック部18と、両ブロック部を直状に接続する接続管19と、を備える。処理液供給ノズルに連通される処理液供給管21は、接続管の中に配管され、ノズル把持アーム12は、第1の把持穴及び第2の把持穴にそれぞれ嵌合可能な第1及び第2の把持用凸部41,42を備え、ウエハWの上方に処理液供給ノズルを移動する際は、ノズルブロック部の第1の把持穴と把持用ブロック部の第2の把持穴にそれぞれ第1及び第2の把持用凸部を同時に嵌合して把持した状態で移動させる。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Wが薬液処理される。次に、基板Wを回転させながら、基板Wにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Wを回転させながら、基板Wを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Wの中心部にリンス液を供給しながら、基板Wの回転数をリンス処理工程時の基板Wの回転数より低い第1の回転数まで低下させる工程と、基板Wの回転数を第1の回転数まで低下させる工程の後、リンス液を供給するリンス液供給位置を、基板Wの中心部から周縁部に向けて移動させる工程と、リンス液供給位置を移動させる工程の後、基板に乾燥液を供給する工程と、を有している。 (もっと読む)


【課題】基板に付着するリンス液に起因する基板の処理不良を防止することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Wが回転するとともに、気液供給ノズル453の液体ノズル453aが回転する基板Wの中心部WCの上方の位置まで移動する。この状態で、液体ノズル453aから回転する基板Wにリンス液が吐出される。気液供給ノズル453が基板Wの外方位置に向かって移動する。ガスノズル453bが回転する基板Wの中心部WCの上方位置に到達することにより、気液供給ノズル453が一時的に停止する。気液供給ノズル453が停止した状態で、回転する基板W上の中心部WCに一定時間不活性ガスが吐出される。その後、気液供給ノズル453が再び基板Wの外方位置に向かって移動する。 (もっと読む)


本発明は、圧電素子の中心部で音圧が集中することなく広い面積に渡って均一な音圧が発生するようにし、被洗浄物に損傷を与えずに洗浄効率を高めることができる超音波精密洗浄装置に関する。本発明の超音波精密洗浄装置は、被洗浄物に洗浄液を供給する洗浄液供給装置と、セラミック体およびセラミック体の上部および下部にそれぞれ蒸着した上部電極、下部電極を備えて超音波を発生させる圧電素子と、圧電素子の端部に結合して被洗浄物と対向するように備えられ、圧電素子で発生する超音波を被洗浄物に伝達する超音波伝達体と、ハウジングと、電源線と、を含む超音波洗浄装置であって、圧電素子または超音波伝達体の中心には垂直ホールが形成される。
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【課題】ノズルを移動しながら基板を処理することができ、かつ、密閉チャンバの内部空間の狭空間化を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】密閉チャンバ2は、密閉された内部空間を区画する隔壁9を有している。密閉チャンバの内部空間でウエハWが保持される。密閉チャンバ2には、移動ノズルとしての形態を有する処理液ノズル4が設けられている。処理液ノズル4を支持するノズルアーム15は、隔壁9に形成された通過孔14を介して密閉チャンバ2の内外に跨って延びている。このノズルアーム15は、密閉チャンバ2外に配置された直線駆動機構36によって駆動されるようになっている。隔壁9とノズルアーム15の外表面との間は、第3シール構造によってシールされるようになっている。 (もっと読む)


【課題】ティーチング作業を軽減することができるとともに、より正確なティーチングを実現することができる基板処理装置のためのティーチング方法を提供すること。
【解決手段】透明シート30がノズル3に取り付けられる。このとき、透明シートの基準線上にノズル3が位置する。スピンベース6の上面には、模様シート50が貼着される。スピンベース6が鉛直軸線まわりに回転される。スピンベース6の上面16に、回転中心BCを中心とする同心円パターン52が表れる。回転中のスピンベース6の上面16の上方を、ノズル3および透明シート30が軌道に沿って移動する。透明シート30の縞パターンが同心円パターン52に重なると、線対称のモアレパターンが表れる。カメラによって撮像された画像に含まれるモアレパターンの対称軸が基準線に一致した時、ステッピングモータの回転量が取得される。 (もっと読む)


【課題】洗浄中での洗浄液と洗浄対象物との接触面積を制御する洗浄システム及び洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】洗浄システムは、ワーク1に洗浄液Lを供給可能な供給ノズル30と、ワーク1に供給された洗浄液Lに接触して振動させるホーン60と、ホーン60を振動させる発振器50と、ワーク1とホーン60とのクリアランスを変更可能にホーン60を移動させる昇降機80と、発振器50のインピーダンスを検出する検出分離部70と、インピーダンスに基づいて昇降機80を制御することによりクリアランスを制御する制御部10と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】チャックテーブルに侵入した数μmの研削屑も良好に除去することができ、かつ、チャックテーブル上に保持された被加工物の表面を良好に洗浄することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】高圧エアー及び液体で構成される2流体洗浄水820aを高圧噴射する構成とすることにより、数μmほどの屑も洗浄できるようにして、ブラシ等を不要とする。また、飛散防止チャンバー83と、飛散防止チャンバー83においてチャックテーブル2の上面2a又は被加工物Wの表面Wa上で飛散するミスト820bを外部へ排出する排出手段84とを備え、洗浄時は、飛散防止チャンバー83の側壁830の下端がチャックテーブル2の上面2a又は上面2aに保持された被加工物Wの表面Waと所定の隙間C1をもち、チャックテーブル2の上面2a上又は被加工物Wの表面Wa上に形成された洗浄水層87により隙間C1が封止されるようにすることにより、ミストが飛散しないようにする。 (もっと読む)


【課題】基板洗浄時に、洗浄対象の特定の部位に洗浄処理流体ノズルを当てることで基板へのダメージや回路パターン倒れを防ぎ、高品位な基板洗浄処理を実現できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板の特定の部位の異物に対し、異物の種類や大きさに応じた洗浄処理を施す。このとき、洗浄処理流体ノズルと基板の回転を同期させることで遠心力を発生させ、基板表面から離脱させられた異物を速やかに排除し、基板表面の洗浄を効率的に行う。 (もっと読む)


【課題】半導体基板からの剥離物(例えば、レジストや金属膜)等が周囲の飛散防止カバーに付着するのを効果的に防止する半導体基板の処理装置を提案する。
【解決手段】半導体基板11を保持する基板保持部材12と、これの回転駆動手段14と、半導体基板11に処理流体を噴射するノズル15と、基板保持部材12の周囲に設けられた飛散防止カバー16とを有する半導体基板の処理装置10において、飛散防止カバー16の内側上部に、シャワーヘッダー17を設け、飛散防止カバー16の下方には、不要物30を回収する取り外し式のメッシュ籠29を備えている。 (もっと読む)


【課題】ウエーハの表面を短時間で確実に洗浄することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】スピンナーテーブルに保持されたウエーハの表面に洗浄水噴射ノズルから洗浄水を噴射してウエーハの表面を洗浄するウエーハの洗浄方法であって、スピンナーテーブルに保持されたウエーハの回転中心に洗浄水噴射ノズルを位置付ける噴射ノズル位置付け工程と、スピンナーテーブルを回転させ洗浄水噴射ノズルから洗浄水を噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心から外周に向けて移動せしめる洗浄工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】洗浄後の基板を効率よく乾燥させることができる基板乾燥装置を提供すること。
【解決手段】基板乾燥装置1は、基板Wを回転させる回転機構10と、基板Wにリンス液流Rfを供給するリンス液ノズル20と、リンス液Rの表面張力を低下させる物質を含有する乾燥気体流Gfを供給する乾燥気体ノズル30と、リンス液ノズル20及び乾燥気体ノズル30を移動させる移動機構40とを備える。乾燥気体流Gfは、表面WAを投影面とする投影面上において乾燥気体ノズル30から吐出された位置よりも基板Wに衝突した位置の方がノズル移動方向Dnの下流側に位置しつつ、三次元空間において乾燥気体流Gfの軸線Gaと基板Wの垂線Wpとのなす角αが接触角の半分の角度である半分接触角以上かつ90°から半分接触角を差し引いた角度以下の範囲で傾斜するように、乾燥気体ノズル30が設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストを有している基体を加温又は加熱せしめ、該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して、極低温マイクロソリッド微粒化ノズルから極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体のジェット流を衝突させる。 (もっと読む)


【課題】一の被処理面と、被処理面の外周に配置された他の露出面とに、それぞれ別々の処理を施すことができる処理装置および処理方法、ならびに、表面処理治具を提供する。
【解決手段】本発明にかかる処理装置100は、第2被処理面18bと、該第2被処理面18bの外周に配置された第1被処理面18aとを含む被処理面を有する被処理体18に対して処理を行なう処理装置であって、前記被処理体18を載置する載置部10と、第1被処理面18aと第2被処理面18bとの略境界に第1処理液を供給する第1供給部24と、第2被処理面18bに第2処理液を供給する第2供給部46と、を含む処理治具20と、を含むことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】基板とそれに対向する対向部材との間の気流の乱れを抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック3と、基板Wの上面周縁部の一部に向けて処理液を吐出するノズル5と、ノズル5を回転軸線L2まわりに自転させるノズル回転機構35と、ノズル5に処理液を供給する処理液供給機構6と、基板Wの上面に対向する対向面26、および対向面26で開口し、ノズル5が挿入されるノズル挿入孔29を有する遮断板4とを含む。ノズル5は、ノズル5の下面5aに形成された吐出口を有している。ノズル5の吐出口は、回転軸線L2から離れた位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】微細なレジストパターンが形成された基板からリンス液を除去する際にパターン倒れを防止でき、また、疎水化剤の使用量を低減し、基板処理を行う際の処理コストを低減できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程S12と、レジストパターンを疎水化する第1の処理液の蒸気を含む雰囲気で、リンス液が供給された基板からリンス液を除去するリンス液除去工程S14〜S16とを有する。 (もっと読む)


【課題】マランゴニ乾燥に比べて、基板に液滴が残留することをより効果的に防止し、ウォーターマークの発生を抑えることができる基板乾燥装置及び基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥装置に、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石4と、磁石4を、基板に沿って該基板の縁側へ移動させる磁石搬送手段5とを備える。また、反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる際、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石4を、基板に接近させ、磁石4を前記基板に沿って該基板の縁側へ移動させる。 (もっと読む)


【課題】基板表面に形成された液膜に超音波振動を付与する基板処理装置および基板処理方法において基板へのダメージを低減する。
【解決手段】基板表面Wf上にHFE液(第1処理液)の液膜LF1が形成され、さらにHFE液の液膜LF1上にDIW(第2処理液)の液膜LF2が形成される。そして、この液膜LF2に対して超音波振動が付与される。したがって、超音波振動の付与により液膜LF2で発生した衝撃波の全てが液膜LF1を介して基板表面Wfに到達するのではなく、その一部は両液膜LF1、LF2の間に形成された界面BFにより反射される。また、界面BFを通過してきた衝撃波は液膜LF1を通過して基板表面Wfに達するまでの間に減衰される。したがって、超音波振動より液膜LF2中で発生して基板表面Wfに与えられる衝撃波のエネルギーが効果的に低減される。 (もっと読む)


【課題】基板に帯電した電荷が放電することによる静電破壊の発生を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)に液処理を施すための基板液処理装置(1)及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体(48)において、基板(2)の回路形成面を基板処理薬液で液処理する液処理工程を行う前に、基板(2)の回路形成面とは反対面を除電処理液で処理することによって基板(2)に帯電した電荷を放出させる除電処理工程を行うようにした。 (もっと読む)


【課題】ティーチングのための作業者による作業を軽減することができ、かつ、より正確なティーチングを実現することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供すること。
【解決手段】ティーチング時においては、制御部によって、ステッピングモータが駆動される。そして、処理液ノズルがホームポジションに位置することが第1センサによって検出された時、および処理液ノズルが第1周縁相当位置に位置することが第2センサによって検出された時に、それぞれ、ステッピングモータの回転量が取得される。それら取得された回転量に基づいて、第1教示情報および第2教示情報が演算され、これら第1教示情報および第2教示情報がモータ制御部21に登録される。 (もっと読む)


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