【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー１３上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー２０と回転モーター１５により駆動される回転可能なチャック１４とを備え、スプレーバー２０により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック１４上に支持されたウェハー１３の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 （もっと読む）

【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 （もっと読む）

【課題】基板に対する異物の付着力を低下させることができ、ランニングコストを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】液滴ノズル１５からの液滴が基板Ｗの上面内の一部の領域だけに供給される。その後、基板Ｗの上面に保持されている液滴が冷却または加熱される。これにより、基板Ｗ上の液滴の温度が変化する。液滴に接しているパーティクルは、液滴によって冷却または加熱され、収縮または膨張する。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板９を１枚ずつ処理する枚葉処理装置１、比抵抗がＳＰＭ液の比抵抗よりも大きい目標比抵抗に維持された除電液を貯溜する除電液貯溜部７１、および、基板９に対する減圧乾燥処理を行う基板乾燥部７５を備える。基板処理装置１０では、カートリッジ７３に保持された複数の基板９が、除電液貯溜部７１内の除電液に浸漬され、基板９の両側の主面が全面に亘って除電液に接触する。これにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理、および、基板乾燥部７５による乾燥処理の終了後に、処理液供給部３により基板９の上面９１上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時における薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板の温度調整を効率良く行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板（Ｗ）を水平に保持する基板保持部材（２２）と、基板保持部材を回転させる回転機構（２５）と、基板保持部材に保持された基板に加熱された薬液を供給する薬液ノズル（５６ａ）と、基板保持部材に保持された基板の上方を覆うトッププレート（５０）と、トッププレートの上方から、トッププレートを透過させて、所定の波長の光を基板保持部材に保持された基板に照射することにより薬液処理中に基板を加熱する少なくとも１つのＬＥＤランプ（６２）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成の液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハ２１に対してＳＰＭ液を吐出する吐出機構５０と、吐出機構５０に硫酸を供給する第１液供給機構１２と、吐出機構５０に過酸化水素水を供給する第２液供給機構１４と、を備えている。第１液供給機構１２は、第１温度に加熱された第１の液を保持する一次温調機構３０と、一次温調機構３０に接続された二次温調機構４０と、二次温調機構４０と吐出機構５０を接続する吐出ライン５１と、を有している。二次温調機構４０は、一次温調機構３０の第１循環ライン３３から分岐し、一次温調機構３０に戻る第２循環ライン４１と、第２循環ライン４１に設けられ、第１の液を第１温度よりも高い供給温度に加熱する第２加熱器４２と、を有している。吐出ライン５１は、第２加熱器４２よりも下流側で第２循環ライン４１から切替弁４４を介して分岐している。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ノズルに霜が付着するのを抑制し、霜に起因する基板の汚染を防止する。
【解決手段】基板上から側方に退避した退避位置において、冷却ガスノズル３のガス吐出口３０に対して上面３７ａが平面となった整流部材３７を近接対向配置し、ガス吐出口３０から少量の冷却ガスを吐出させる。不使用時にも冷却ガスを吐出させるアイドリングを行っておくことにより、ノズルの温度上昇を抑制し必要時に直ちに冷温の冷却ガスを吐出させることができる。また、アイドリング時に整流部材３７を配置し、ガス吐出口３０周りの隙間から冷却ガスを吹き出させることにより、高湿度の周囲雰囲気がノズル内に侵入するのを抑制し、ノズル内に下が付着するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供する。
【解決手段】冷却ガスノズル３のノズル筐体３１１の外周下部を外側に延伸させて、平板状のフランジ３１２を形成する。フランジ３１２の下面３１２ａが基板表面Ｗｆに近接対向配置される。ノズル筐体３１１の中央下部に設けたガス吐出口３０から低温の冷却ガスが吐出されると、冷却ガスは基板表面Ｗｆとフランジ３１２の下面３１２ａとの間隙空間を基板表面Ｗｆに沿って流れる。基板上の液膜が冷却ガスに触れる時間が長く、またガスの流速が増大するとともに周囲雰囲気の巻き込みに起因するガス温度の上昇が抑えられるので、液膜を効率よく短時間で冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる薬液温調装置および薬液温調方法を提供する。
【解決手段】温調槽２０に硫酸を含む薬液を貯留する。温調槽２０の薬液に添加液投入部３０から添加液として水を投入すると、硫酸の水和熱によって薬液の温度が上昇する。調合槽１０には硫酸の新液を貯留する。熱交換部４０を用いて調合槽１０の硫酸の新液と温調槽２０の薬液との間で熱交換を行い、新液を目標温度にまで昇温する。また、必要に応じて調合槽１０の新液を冷却部５０によって冷却する。調合槽１０の新液が予め設定された目標温度に到達した後に、その目標温度の新液を洗浄処理部８に送給する。硫酸と水とが反応することによって発生する反応熱を用いて調合槽１０の新たな薬液を目標温度にまで昇温しているため、ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】硫酸の温度の変更に容易に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板Ｗの表面に供給する。この基板処理装置は、レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズル２と、ノズル２に向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路３０と、過酸化水素水供給路３０上においてノズル２までの流路長が異なる複数の混合位置ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路３１，３２，３３，３４と、硫酸供給源２５からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニット３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】液交換後の温調時に内槽ドレイン配管への通液を行うことにより、廃液設備への悪影響が生じることを防止するとともに、装置への悪影響が生じること及びプロセス不良を防止することができる。
【解決手段】制御部３３が、古い燐酸溶液を排出した後、処理槽１に新たな燐酸溶液を供給する。その燐酸溶液をポンプＡＰで外槽５、循環配管７、内槽３に至る通常循環経路で循環させつつ燐酸溶液の温調を行うが、温調が完了するまでに少なくとも一度は内槽ドレイン配管１１を通る一時経路に処理液を流通させる。したがって、古い燐酸溶液が内槽ドレイン配管１１に残留していたとしても、新たな燐酸溶液で置換することができる。その結果、内槽ドレイン配管１１に残留していた古い燐酸溶液に起因して廃液設備に悪影響が及ぶことを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ処理時に天板に付着したヒュームが、ＳＰＭ処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板３２は、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。清浄化されたガスを下方向に流すためのエアフード７０は、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で昇降するようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路及び／又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び／又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート（特に銅エッチレート及びＴｉＷエッチレート）の低下したレジスト剥離剤及び、その使用方法の提供。
【解決手段】銅塩を添加するか、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するためのアミンを添加するか、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有し、更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造。 （もっと読む）

【課題】簡略な装置構成で電解装置への固形物の混入を防止して連続的かつ安定的な運転を実現する硫酸溶液供給システム及び硫酸溶液供給方法を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を冷却する冷却器２５、硫酸溶液を電解する電解セル４、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５、電解セル４をこの順に介してバッチ式洗浄機２に戻す電解側循環ラインと、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５を介さずにバッチ式洗浄機２に戻す使用側循環ラインを備え、電解側循環ラインと使用側循環ラインが、バッチ式洗浄機２から排液された硫酸溶液が流れる共通した共通排液ライン１０を有し、共通排液ライン１０の下流側端部にある分岐点１０ａからそれぞれが分岐しており、共通排液ライン１０に固形物を捕捉する洗浄機側フィルタ２１を備える。 （もっと読む）

【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器１では基板Ｗ表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ２は供給ライン５１を介して処理容器１に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ５１よりも吐出流量の大きな循環ポンプ３にて、処理容器１内の流体を循環ライン５３に循環させた後、処理容器１内の流体を排出ライン５２から排出する。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第１循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗは、表面Ｗｆを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック２に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル５から基板Ｗの表面Ｗｆに疎水化剤が供給されて、基板Ｗの表面Ｗｆが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル９７から基板Ｗの表面Ｗｆに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル６から基板Ｗの表面Ｗｆに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において、基板中央部から上方へと処理液雰囲気が拡散することを防止する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内では、複数の開口６３０が形成された整流板６３が、基板の上方に配置される。整流板６３は、チャンバ上部の導入口から導入されたエアを整流し、チャンバ内にダウンフローを発生させる。整流板６３では、基板の中央部の真上に位置する中央領域６３１における開口６３０の分布密度が、中央領域６３１の周囲の周辺領域６３２における開口６３０の分布密度よりも大きいため、中央領域６３１の開口率が周辺領域６３２の開口率よりも大きい。これにより、基板の中央部におけるダウンフローを、基板の中央部以外の部位におけるダウンフローよりも強くすることができる。その結果、基板の中央部から上方へと処理液雰囲気が拡散することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】密閉された真空容器の内部を洗浄し、真空容器内に堆積した塩化物を除去することができるドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０と、前記真空容器１０内にハロゲン系ガスを導入するガス供給手段１１と、前記真空容器１０内を排気して所定の圧力にする排気手段１２と、前記真空容器１０内に被処理物を載置するための置台１３と、前記真空容器１０内を加熱する加熱手段１４とを具備するドライ洗浄装置１において、前記真空容器１０内に洗浄液２０を導入して排出する液導入排出手段１５と、前記排気手段１２とは別に設けられ前記真空容器１０内を排気して乾燥する乾燥排気手段１６とを具備する。 （もっと読む）