リアクタ内の支持台座部上に保持されたウェハの背面から、弓状側方ガス注入ノズルを利用してポリマーを除去する。弓状側方ガス注入ノズルは、ウェハ縁部に適合した曲率でリアクタ側壁部を貫通して延び、また遠隔プラズマ源からプラズマ副生成物を供給される。
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【課題】超音波発振子から発せられる超音波を洗浄液の加振に効率よく利用しつつ、超音波発振子の作動状況と洗浄液の吐出圧力を含めて洗浄液の吐出状態を監視できる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超音波洗浄装置は、洗浄すべき基板を搭載して回転する回転テーブルと、超音波発振子を有し超音波が印加された洗浄液を吐出して基板の洗浄処理を行う洗浄ノズルと、洗浄ノズル近傍の湿度を測定する湿度センサと、湿度センサによって測定される湿度を監視する監視部とを備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理された半導体ウェハの表面上でパーティクル、金属及び有機不純物の濃度をさらに改善する洗浄法及び乾燥法を提供すること
【解決手段】次の工程を記載の順序で有する、半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法
ａ） 前記半導体ウェハを、フッ化水素を含有する液体水溶液で処理し、前記半導体ウェハを少なくとも一時的にその中心軸を中心に回転させ、及び
ｂ） オゾン含有雰囲気中で、前記半導体ウェハを、その中心軸を中心に１０００〜５０００ｒｐｍの回転速度で回転させることによりこの半導体ウェハを乾燥させ、フッ化水素を含有する液体水溶液を前記半導体ウェハから回転により生じる遠心力に基づき流れ去らせ、半導体ウェハの表面をオゾンにより親水化する （もっと読む）

【課題】純水使用量を節減しつつ研磨後のウェハに処理速度を高めた洗浄処理を施し、複数の洗浄処理槽を洗浄処理プロセス等に応じて、より最適な配列に入れ替え並べ替えることを可能とした装置構成の洗浄装置を提供する。
【解決手段】それぞれ複数の洗浄処理槽２ａ〜２ｄ，２ｅ〜２ｈを備えた洗浄ライン２Ａ，２Ｂを下層及び上層の２段に構成するとともに、下層及び上層の各洗浄処理槽２ａ〜２ｈに対し、被処理ウェハを搬入する機能及び処理されたウェハを搬出する機能を持つ中央搬送手段６と、下層及び上層の各洗浄ライン２Ａ，２Ｂにおいて隣合う洗浄処理槽へウェハを順次搬送する槽間搬送手段１６と、上層の洗浄ライン２Ｂにおける精密洗浄を行う洗浄処理槽で使用した純水を、下層の洗浄ライン２Ａにおける粗洗浄を行う洗浄処理槽に当該粗洗浄用の洗浄水として導入する導入手段とを具備する洗浄装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 （もっと読む）

フルウエハ処理モジュールと、組み合わせ処理モジュールとを備える、統合処理ツールを記載する。組み合わせ処理モジュールで使用するための化学物質は、一式の第１の多岐管を含む送達システムから供給される。各第１の多岐管の産出は、少なくとも１つの混合容器に連結される。各混合容器の産出は、一式の第２の多岐管のうちの２つ以上に供給する。各一式の第２の多岐管の産出は、組み合わせ処理モジュールの複数の部位単離リアクタのうちの１つに供給する。
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【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄・乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板が在置されるチャックを有する基板支持機構と、基板の上面に乾燥用流体を噴射する第１のノズルユニットと、上部が開放され、チャックの周辺を囲むような形状を有する下部カバーと、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で行なわれるように、下部カバーの上部を開閉する上部カバーと、を含むことを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】一実施形態では、基板を処理する方法を提供する。方法は、基板の表面に溶液を供給するステップを含む。光等のエネルギを溶液に加えることによる溶液の解離により、少なくとも一つの反応化学種が生成される。前記基板上の第一の材料を反応させ、反応させた第一の材料を除去する。基板を処理するシステムについても説明する。 （もっと読む）