【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減する半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程を備える。さらに、前記チャンバ内の圧力を下げた後に、前記チャンバ内に酸素ガス又はオゾンガスを供給し、ベーク処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高圧流体と接触させて基板に付着した液体を除去する処理を実施する過程で、基板にパーティクルが付着しにくい基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面の乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器３１内に高圧流体を供給する際、流体供給路３５１に設けられた遮断部を開き、流量調整部３５４により流量を調整した状態で開閉弁３５２を開いて処理容器３１に高圧流体を導入し（または原料流体を処理容器３１内で高圧流体に変化させ）、基板Ｗの表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とする一方、開閉弁３５２と減圧弁３４２とを開き、処理容器３１に接続された排出路３４１を介して流体供給路３５１と処理容器３１とを併せて減圧するステップと、その後、前記基板Ｗを当該処理容器３１から搬出するステップと、を実行するように制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、乾燥処理に要する時間を短縮することができる半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、微細パターンが形成された半導体基板の純水リンス後に、半導体基板の表面を水溶性有機溶媒に置換し、水溶性有機溶媒に濡れた状態でチャンバ内に導入する。そして、チャンバ内の温度を昇温して、水溶性有機溶媒を超臨界状態にする。その後、チャンバ内を純水が液化しない温度に保ちながら圧力を下げ、超臨界状態の水溶性有機溶媒を気体に変化させてチャンバから排出し、半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】表面に微細な溝がある被洗浄物についても良好に洗浄することのできる洗浄方法及び洗浄装置を提供することである。
【解決手段】被洗浄物を洗浄液によって洗浄する洗浄方法及び装置であって、液体に気体を溶融させて気体溶存の洗浄液を生成し（Ｓ２）、洗浄槽において前記生成された洗浄液中に前記被洗浄物を浸け（Ｓ１、Ｓ３）前記洗浄槽内における前記洗浄液中の溶存気体を気化させて微細バブルを発生させる（Ｓ４、Ｓ５）する構成となる。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部３４は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Ｗを横向きに保持した状態で処理容器３１内に搬入し、このとき前記基板保持部３４と一体に形成され蓋部材３４１が処理容器３１の開口部３１１を塞ぐ。雰囲気形成部７１１、３９は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構６が処理容器３１の姿勢を変換して、当該処理容器３１内の被処理基板Ｗを縦に向ける。これにより被処理基板Ｗの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部７３１より超臨界流体を排出することにより処理容器３１内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】液槽３２は、被処理基板Ｗを液体に浸漬した状態で保持し、処理容器３１では、この液槽３２を内部の処理空間３１０に配置し、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換して被処理基板を乾燥する処理を行う。移動機構３５２、３５３は、液槽３２を、前記処理容器３１内の処理位置と当該処理容器の外部の準備位置との間で移動させ、当該処理容器３１に設けられた加熱機構３１２は、前記流体を超臨界状態としたり、その超臨界状態を維持する一方、冷却機構３３４、３３５は、前記処理容器３１の外部の準備位置に移動した液槽３２を冷却する。 （もっと読む）

【課題】基板の清浄度を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】第１処理室８および第２処理室９は、それぞれ、第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２を区画している。第２処理空間Ｓ２は、第１処理空間Ｓ１内に設けられ、第１処理空間Ｓ１に通じている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗは、チャック昇降機構３６によって第１処理空間Ｓ１または第２処理空間Ｓ２に配置される。処理液供給機構１２は、第２処理空間Ｓ２で基板Ｗに処理液を供給する。第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２の気圧は、排気機構２３およびＦＦＵ２４によって、第１処理空間Ｓ１の気圧が第１処理空間Ｓ１の外の気圧よりも高く、第２処理空間Ｓ２の気圧が第１処理空間Ｓ１の気圧よりも低くなるように制御されている。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】この発明は、ＣＦ_４以外の最適なフッ素系ガスを使用すると共にプラズマ処理能力を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】この発明は、処理ワークが配される処理空間と、該処理空間内にガスを導入するガス導入手段と、前記処理空間内に放電プラズマを形成するプラズマ生成手段とによって少なくとも構成されるプラズマ処理装置において、前記処理空間に導入されるガスは、フッ化カルボニル（ＣＯＦ_２）又はトリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）を含むガスであり、このガス圧力は、０．００１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲内であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽６と、ベーパー洗浄槽６内における下方部分に蓄えた洗浄剤１６と、ベーパー洗浄槽６に連通した乾燥槽５と、ベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を遮断又は開放可能とした遮断蓋１３と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体２と、装置本体２に連結された、装置本体２の内部を加減圧する圧力調整手段３と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁１７と、洗浄剤１６を加熱するための加熱システム１９と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを低減でき、かつ、パーティクル除去性能を最大限に確保できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部４７は、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内を所定圧力環境とするように制御し、かつ、噴出管１３から処理槽１内へ供給される純水の窒素ガス溶存量を所定溶存量となるように制御するとともに、処理槽１内に貯留された窒素ガス溶存水に付与する超音波振動の出力を所定出力値とするように制御するので、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内の圧力値、処理液の気体溶存量および超音波振動の出力値を変更することができ、基板Ｗの種類に応じてキャビテーションでの気泡崩壊発生圧力を調整でき、処理液の気体溶存量を飽和溶存量とすることができ、各種の基板に対してもダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能を最大限に確保できる。 （もっと読む）

【課題】基板処理方法が提供される。
【解決手段】工程チャンバ内にローディングされた基板は、支持プレート上に載置される。以降、工程チャンバは外部から遮断され、工程チャンバ内部の圧力を既設定の圧力まで増加させる。既設定の圧力で基板の温度は一定の温度に安定化し、工程チャンバ内の圧力は工程圧力に減圧される。工程チャンバ内で基板に対する工程が完了すると、基板は工程チャンバの外部にアンローディングされる。工程チャンバ内部の圧力を増加させる方法には、パージガスを供給する方法と、工程ガスを供給する方法がある。 （もっと読む）

【課題】 微細気泡を安定して生成することのできる、新規な構造を有する微細気泡発生器および十分に多量の微細気泡を安定して供給することのできる微細気泡供給システムの提供。
【解決手段】 微細気泡発生器は、一方の開口が微細気泡吐出口とされた筒状のケーシングの他方の開口部に、供給される気体溶解液が流過される複数の細孔が形成された減圧プレートが設けられており、前記気体溶解液が、当該気体溶解液が減圧プレートを流過されることにより発生する気泡流体中の音波の速度を超える速度で減圧プレートの細孔を流過されると共に、これにより生ずる衝撃波のエネルギーが気体溶解液の流出方向に拡散することを禁止する半密閉領域を区画する衝撃波伝播方向規制プレートが、ケーシングの内部における減圧プレートと離間した位置において当該減圧プレートと平行に設けられている。微細気泡供給システムは、上記微細気泡発生器を具えてなる。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理方法と、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供する。
【解決手段】金属層が形成された被処理基板を第１の温度に設定し、有機化合物を含む処理ガスを前記金属層に吸着させて金属錯体を形成する第１の工程と、前記被処理基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度となるように加熱して、前記金属錯体を昇華させる第２の工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 （もっと読む）

超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス過酸化物を含有するプロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。この過酸化水素ベースの成分が開始剤とともに使用される。ここで、開始剤は、プロセス過酸化物のラジカルの生成を促進する。
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超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。このプロセス成分はフルオロケイ酸を有する。
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加圧・排出サイクルを用いて基材に化学種を挿入および除去する方法が本発明の実施形態において開示される。様々な実施形態が圧力を高いレベルに設定しながら基材を含む容器に流体を導入する。圧力はあらかじめ決定した時間にわたり高いレベルに維持され、容器から流体を除去することによって下げられる。流体を導入し、圧力を維持し、また圧力を下げるステップが少なくとも１回繰り返される。本発明の実施形態では、基材のボイドから化学種を除去することを可能にし、ボイド内に新しい化学種を挿入することを可能にする。特定の実施形態では、前調整、活性化、および／または、ガス精製基材再生のまたは半導体基材に対して化学種を除去および／または送達することに特定の適用例も有する。本発明の実施形態では、パージまたは充てん流体の少ない使用量で、基材へ、また基材から化学種を迅速に移動することを可能にする。 （もっと読む）

プラズマ加工システムで利用する半導体基板加工法が開示されている。プラズマ加工システムはプラズマ加工チャンバと、バイアス補償回路に結合された静電チャックとを含んでいる。加工法はプラズマ点火ステップでのプラズマ点火を含んでいる。プラズマ点火ステップは、バイアス補償回路によって静電チャックに提供される第１バイアス補償電圧が実質ゼロであり、プラズマ加工チャンバ内の第１チャンバ圧が約９０ｍトル以下であるときに実施される。加工法はプラズマ点火後の基板加工ステップでの基板加工をさらに含む。基板加工ステップは、バイアス補償回路で提供される第１補償電圧よりも高い第２バイアス補償電圧と、第１チャンバ圧と実質同圧の第２チャンバ圧とを利用する。
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