【課題】表面に凹凸パターンを有するウェハの該表面の洗浄において、前記凹凸パターンに働く毛細管力の影響を低減し、パターン倒れを低減する、ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸パターンを形成したウェハの該表面を洗浄液で洗浄する、洗浄工程、
洗浄工程後の前記ウェハの凹部に残留する洗浄液を、昇華性物質を含む充填用処理剤を加熱により融解した充填用融液で置換し、充填する、融液充填工程、
前記凹部に充填された前記融液を冷却することにより固体の昇華性物質を析出させる、冷却析出工程、
前記凹部に析出した固体の昇華性物質を昇華により除去する、昇華除去工程
を有するウェハの洗浄方法であって、前記充填用融液が、含有する昇華性物質の融点以上、融点＋２５℃以下の温度範囲内で充填用処理剤を融解させた融液であることを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリングの温度を基板の温度とは独立して制御することで，これにより基板の面内処理特性を制御する。
【解決手段】ウエハＷを載置する基板載置面１１５とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面１１６を有するサセプタ１１４を備えた載置台１１０と，ウエハ裏面を基板載置面に静電吸着するとともに，フォーカスリング裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する静電チャック１２０と，伝熱ガス供給機構２００とを備え，伝熱ガス供給機構は，基板裏面に第１伝熱ガスを供給する第１伝熱ガス供給部２１０と，フォーカスリング裏面に第２伝熱ガスを供給する第２伝熱ガス供給部２２０とを独立して設けた。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、処理不良の基板が発生するのを未然に防止するとともに、無駄な凝固体の形成・解凍除去を抑制して稼動効率を高める。
【解決手段】基板の表面に形成される液膜の膜厚が所定範囲内となっている場合のみ、その基板に対して凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を実行している。したがって、液膜の膜厚が所定範囲を超えて十分なパーティクル除去率が期待できない場合には、レシピの途中であるが、基板に対する凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を行うことなく、基板処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】断面矩形状のエキシマランプを収容し、光取出用し開口が形成されたハウジングと、該ハウジングの内部に不活性ガスを供給するガス供給機構とからなる光照射装置において、エキシマランプによって加熱された不活性ガスが、そのままワークに吹き付けられることのないようにした構造を提供することである。
【解決手段】前記ケーシングの光取出し開口に伝熱性スクリーンが設けられ、該伝熱性スクリーンを冷却する冷却機構が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生や、処理用の液体を構成する物質の基板内への取り込みを抑えた超臨界処理装置及び超臨界処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器は超臨界流体により処理が行われる基板を収容し、液体供給部は処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する。流体排出部は処理容器から超臨界流体を排出し、熱分解成分排除部は前記処理容器内または前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体の熱分解を促進する成分を排除する一方、加熱部は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであるフッ素化合物を含む前記処理用の液体を加熱する。 （もっと読む）

【課題】 可燃性の処理流体又はその蒸気を基板に供給して処理を行う装置において、基板周辺からの排気を冷却することにより排気中の引火性のガスの濃度を低下することを可能にした基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンチャック２に保持され液体が付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し可燃性の処理流体であるＩＰＡを供給することにより、基板Ｗを洗浄等する装置において、スピンチャック２及び基板Ｗから飛散して処理カップ２０１により受け止められ、スピンチャック周辺に浮遊する液体の微粒子を含む雰囲気を排気する排気液ライン２０２に排気冷却部２０３を介挿し、排気冷却部２０３に冷却用の冷媒を供給することにより排気液ライン２０２内を流れる排気を冷却し、排気に含まれる可燃性の処理流体の蒸気の濃度を低減する。これにより、装置内の可燃性の処理流体の蒸気の濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】ランプ温度に影響を受ける紫外線ランプと冷却ユニットとの距離に制限を加えることで、高入力電力の場合での早期の失透や黒化等を抑制する。
【解決手段】紫外線透過性の石英ガラスで気密性を有する放電空間１３を備えた発光管１４内の軸方向に一対の放電用の電極１５ａ，１５ｂを対向して配置する。放電空間１３内にアーク放電させた状態を維持するために十分な量の希ガス、水銀、ハロゲン、発光金属からなる封入物を封入することで紫外線ランプ１００を構成し、点灯時に紫外光を発光させる。紫外線ランプ１００は、内管２１と外管２２との間に紫外線ランプ１００を冷却させる冷却液２４を循環させ、紫外線を透過させる二重構造の冷却ユニット２００の内管２１内に収容する。紫外線ランプ１００と冷却ユニット２００の内管２１との距離Ｄ［ｍｍ］と紫外線ランプ１００の入力電力Ｐ［Ｗ／ｃｍ］は、Ｄ≦−０．２Ｐ＋３５の関係を満足するものとした。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する、基板処理方法および装置においてパーティクル除去効率をさらに高める。
【解決手段】基板表面ＷｆにＤＩＷの液膜１１を形成し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを入り込ませた後、ＨＦＥ液が基板表面Ｗｆに供給されてパターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを孤立して残留させながらパターンＦＰ上面を含む基板表面Ｗｆ全体にＨＦＥ液の液膜１２を形成している。このため、パターンＦＰ上面に付着するパーティクルＰはＨＦＥ液の液膜１２中に存在し、パターンＦＰの間隙内部のＤＩＷを凝固させた後も当該凝固体から完全に縁切りされる。したがって、パーティクルが凝固体に埋もれてしまうことがあった従来技術に比べて物理洗浄によりパーティクルを効率的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、スループットが高く、メンテナンス周期の長い超臨界処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Ｗに付着した液体を超臨界状態の処理流体によって除去する超臨界処理装置３において、加熱部３２３は処理容器３１内に供給された処理流体を超臨界状態とするために当該処理流体を加熱し、冷却機構３２２は基板Ｗが載置台３２１に載置されるまでに基板Ｗからの液体の蒸発を抑えるため、前記加熱部３２３から当該基板へと熱が伝わる領域を強制冷却する。 （もっと読む）

【課題】チャックプレート３の表面に堆積した汚染物質を、プラズマエッチングを行うことなく、安価且つ簡便に除去できるようにした静電チャックのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャックプレート３の表面にダミー基板６を吸着した状態で、ダミー基板６を加熱又は冷却してクリーニングを行う。ダミー基板６のチャックプレート３に対する接触面６ｂの硬度を、被処理基板の硬度よりも高く、チャックプレートの硬度よりも低くする。チャックプレートが窒化アルミニウム製であり、被処理基板がシリコンウエハである場合、前記接触面６ｂは窒化シリコンで形成される。ダミー基板６を加熱又は冷却すると、ダミー基板６とチャックプレート３との熱膨張差により、チャックプレート３の表面に堆積した汚染物質Ｓがダミー基板６で擦り取られる。 （もっと読む）

【課題】配管を介して供給される冷却流体によって基板を処理する基板処理装置において、低い温度に保たれた冷却流体を安定的に基板に供給する。
【解決手段】二重配管７１により冷却ガスが処理チャンバ１内の冷却ガス吐出ノズル３に供給される。二重配管７１は円環プレート８１に保持され、さらに円環プレート８１がベローズ８２により処理チャンバ１に対して移動自在に連結されている。このため、二重配管７１のうち処理チャンバ１内でノズル３と接続された冷却ガス供給管部７１Ｂは、冷却ガス吐出ノズル３の走査移動に伴い大きく移動変位するが、その移動に伴いプレート８１が移動して冷却ガス吐出ノズル３との距離がほぼ一定値に保たれて冷却ガス供給管部７１Ｂはほぼ直線状態を維持したまま変位する。このように冷却ガス供給管部７１Ｂが湾曲変形するのを抑制し、冷却ガス供給管部７１Ｂの移動により発生する負荷が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の乾燥用流体の使用量を抑えつつ、基板を効率的に乾燥させる。
【解決手段】純水リンス工程の後、純水が付着した基板を回転させながら、乾燥用流体および不活性ガスを基板に供給する乾燥工程を行う。このとき、基板に対する不活性ガスの供給位置が乾燥用流体の供給位置よりも基板回転中心（Ｐｏ）に近くなるように保ちつつ、流体ノズル（１２）及び不活性ガスノズル（１３）の位置を基板回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させる。乾燥工程の開始時には、まず不活性ガスノズルを基板回転中心より手前側に位置させた状態で流体ノズル及び不活性ガスノズルの移動を開始すると共に乾燥用流体の供給を開始し、次いで、不活性ガスノズルが基板回転中心にきたときに不活性ガスの供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路基板と半導体素子との隙間の洗浄効果を高める。
【解決手段】回路基板２に半導体素子３を実装する半導体装置１の製造方法において、回路基板２に形成された電極２１および半導体素子３に形成された半田バンプ３１の少なくとも一方にフラックス７を供給する工程と、フラックス７を供給した後、電極２１と半田バンプ３１とを接合する工程と、電極２１と半田バンプ３１とを接合した後、回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１を供給して、回路基板２と半導体素子３との隙間を洗浄する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】洗浄効率が高く、被洗浄物に与えるダメージが小さい洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置１には、熱交換部材８と、熱交換部材８内に挿通された一次冷却ライン１１と、熱交換部材８内に挿通された二次冷却ライン１２と、二次冷却ライン１２から噴射された二次冷媒が接触する位置に被洗浄物である半導体基板Ｓを保持する保持部材９と、が設けられている。そして、一次冷却ライン１１に一次冷媒である液体窒素を流通させ、二次冷却ライン１２に二次冷媒であるヘリウムガスを流通させる。これにより、液体窒素により熱交換部材８を介してヘリウムガスを冷却し、十分に冷却され且つ液体飛沫を含まないヘリウムガスを真空雰囲気中で半導体基板Ｓに向けて噴射して、半導体基板Ｓを冷却する。 （もっと読む）

可動プラテンに搭載された基板（５）を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面（５）を溶剤（７）で湿潤化する溶剤吐出ノズル（２５）を有する第１のチャンバ（２０）を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面（５）から所定の高さ（ｈ）に高温ソース（３０）を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤（７）を蒸発させ、プラテンが基板を第１のチャンバ（２０）からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子（３５）を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
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