【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器１では基板Ｗ表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ２は供給ライン５１を介して処理容器１に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ５１よりも吐出流量の大きな循環ポンプ３にて、処理容器１内の流体を循環ライン５３に循環させた後、処理容器１内の流体を排出ライン５２から排出する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、金属膜が形成された半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を７５℃以上かつ前記アルコールの臨界温度未満の所定温度にして、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバ内の温度を前記所定温度に維持しながら、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フッ素を含有する溶媒からの遊離フッ素による、チャンバの腐食や半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】超臨界乾燥装置は、密閉可能な第１容器と、前記第１容器内に設けられたフッ素吸着剤と、前記第１容器内に設けられ、半導体基板を収容する第２容器と、前記第１容器の内部を加熱するヒータと、前記第１容器に連結された配管と、前記配管に設けられたバルブと、を備える。フッ素含有溶媒の加熱により発生した遊離フッ素はフッ素吸着剤に吸着される。 （もっと読む）

【課題】剥離処理により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制する。
【解決手段】剥離システム１は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間に設けられた搬送ステーション７とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、第１の洗浄装置３１と、第２の洗浄装置３３とを有している。搬送ステーション７内の圧力は、剥離装置３０内の圧力、第１の洗浄装置３１内の圧力及び第２の洗浄装置３３内の圧力に対して陽圧である。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態を実現するために必要な圧力よりも低い圧力環境下で、基板Ｗに設けられたパターンを倒壊させることなく基板Ｗを乾燥できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理ユニット３０は、主に、乾燥処理チャンバ３１、二酸化炭素供給機構３２、第１窒素供給機構３３、液体窒素供給機構３４、第２窒素供給機構４４、及び排出機構３５を備える。置換液であるＩＰＡ液で覆われた基板Ｗが乾燥処理チャンバ３１内に保持された状態で、液体二酸化炭素が基板Ｗの表面を覆う。乾燥処理チャンバ３１内が、液体窒素供給機構３４により冷却されることで液体二酸化炭素は固体二酸化炭素へと凝固する。そして排出機構３５により、乾燥処理チャンバ３１内を大気圧に戻すとともに、第１窒素供給機構３３が気体窒素を供給することで昇温され、基板Ｗ表面の液体は昇華する。 （もっと読む）

【課題】二酸化炭素を回収、再生、再利用し、かつ、半導体基板上に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が超臨界置換溶媒で濡れた半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、チャンバ内に第１の二酸化炭素に基づく第１の超臨界流体を供給する工程と、前記第１の超臨界流体の供給後に、前記チャンバ内に、第２の二酸化炭素に基づく第２の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記第２の超臨界流体を気化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。第１の二酸化炭素は、チャンバから排出される二酸化炭素を回収し再生したものである。第２の二酸化炭素は、超臨界置換溶媒を含まないか又は第１の二酸化炭素よりも超臨界置換溶媒の含有濃度が低いものである。 （もっと読む）

【課題】水分濃度が低い有機溶媒を処理部又は被処理体に供給して処理を行うことにより、被処理体や処理部の腐食を抑えること。
【解決手段】イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の供給源３０からＩＰＡを貯留タンク３に供給し、貯留タンク３内のＩＰＡを、水分除去フィルタ４及び濃度測定部５を備えた循環路３２を介して循環供給する。ＩＰＡは、循環路３２内を循環させることにより、水分除去フィルタ４により徐々に水分が除去される。そして、濃度測定部５により測定された水分濃度が０．０１重量％以下であるときには、中間タンク６にＩＰＡを送液する。中間タンク６からは、処理チャンバ１１に水分濃度が０．０１重量％以下のＩＰＡが供給され、処理チャンバ１１では、当該ＩＰＡを高温、高圧状態として、ウエハＷの処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】効率良く且つ確実に超臨界二酸化炭素を用いた超臨界乾燥を行うことが可能な超臨界乾燥方法および超臨界乾燥装置を提供すること。
【解決手段】隣接する複数のパターンを一面に有する基板を洗浄液で洗浄する第１工程と、前記基板上の前記洗浄液を置換液で置換する第２工程と、前記置換液が気化しない条件の不活性ガスにより、前記複数のパターン間に前記置換液が残存するように前記基板上の前記置換液の一部を液体状態で除去する第３工程と、前記基板を超臨界流体中に保持して前記複数のパターン間の前記置換液を超臨界流体で置換する第４工程と、前記基板に付着した超臨界流体を気化する第５工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】容器内部に付着した金属の錯体化の効率を向上させることができる洗浄方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】容器内部にガスを供給し、容器内部に付着した金属を供給したガスと化合させ、金属及びガスが化合した金属化合物を気化させて該容器を洗浄する洗浄方法において、容器内部に酸化ガス又はハロゲン化ガスを供給して、容器内部に付着した金属に酸化処理又はハロゲン化処理を施す第一工程と、容器内部に錯体化ガスを供給して、酸化処理又はハロゲン化処理を施した金属に錯体化処理を施す第二工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生や、処理用の液体を構成する物質の基板内への取り込みを抑えた超臨界処理装置及び超臨界処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器は超臨界流体により処理が行われる基板を収容し、液体供給部は処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する。流体排出部は処理容器から超臨界流体を排出し、熱分解成分排除部は前記処理容器内または前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体の熱分解を促進する成分を排除する一方、加熱部は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであるフッ素化合物を含む前記処理用の液体を加熱する。 （もっと読む）

【課題】装置内部の部品の劣化を抑制しつつ、装置内部に付着した付着物を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、反応室内を、水が液膜として存在し得る温度、例えば、室温に維持する。また、制御部１００は、反応室内を５３２００Ｐａに設定する。反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、制御部１００は、処理ガス導入管１７からフッ化水素と窒素とからなるクリーニングガスを反応管２内に導入し、装置内部に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】処理空間の開閉動作に伴う基板の汚染を抑制しつつ開閉動作を行うことが可能な高圧処理装置を提供する。
【解決手段】上部材２２と下部材２１とを重ね合わせることにより形成される処理空間２０内にて、基板Ｗに対して高圧の処理流体により処理を行う高圧処理装置において、係止用突起部２１１は前記処理空間２０の外側にて下部材２１に固定して設けられ、前記下部材２１の周方向に沿って互いに間隔をおいて複数配置されると共に、各々横方向に突出してその下面が係止面２１２を形成し、押圧部材２３は上部材２２を下部材２１側に押圧する。また被係止用突起部２３１は押圧部材２３に前記複数の係止用突起部２１１に夫々対応して設けられ、各々横方向に突出してその上面が前記係止面２１２に係止される被係止面２３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を２０％以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】枚葉式洗浄装置に断続的にオゾン水の供給を繰り返しても安定した濃度のオゾン水を供給可能で、送水ポンプが不要なオゾン水供給装置を提供する。
【解決手段】オゾン水と少なくとも大気圧以上の一定圧のオゾンガスが供給される計量槽と、計量槽の内圧が一定の圧力を超えたときオゾンガスを放出して計量槽の内圧をオゾンガス供給圧より低い一定圧に保つオゾンガス放出手段と、計量槽からオゾン水を供給するオゾン水供給給配管とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、簡素な構成の基板搬送装置等を提供する。
【解決手段】基板搬送装置の搬送トレイ５０は基板を保持する底板５１１、５２１と、その周囲に設けられた側周壁５１２、５２２とから構成されると共に、底板５１１、５２１には基板の受け渡しを行う相手である昇降部材が通過するための開口部５３が設けられている。さらに搬送トレイ５０には、開口部５３内の昇降部材を搬送トレイ５０の外側に通り抜けさせる空間５４が一時的に形成されると共に、基板の搬送時には搬送トレイ５０内に液体が溜められ、基板の上面側が当該液体に接した状態で基板を搬送する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で、半導体基板のおもて面側へのエッチング液の巻き込みを抑制する手段を提供する。
【解決手段】 半導体基板を、噴出口から半導体基板の半径方向外側に向けて噴出させた噴出ガスにより非接触で保持する回転基台と、回転基台に設けられ、半導体基板の外周面に接触する複数の位置決めピンとを備えた半導体装置の製造装置において、位置決めピンの外周面に、噴出ガスの流れを半径方向外側に案内する案内溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】所定の間隔を隔てて配置される容器内方に効率よく気体を導入しうるノズルの提供。
【解決手段】容器２００と非接触状態で容器２００の内方に気体を導入するためのノズル１００であって、第一流量の気体が吐出される主吐出口１０１と、主吐出口１０１を囲む環状であり、第二流量の気体が、主吐出口１０１が吐出する気体と同方向に吐出される副吐出口１０２とを備える。 （もっと読む）