【課題】被処理物表面に対する親水化の処理効率を向上させる。
【解決手段】第１プラズマ生成部１１の第１電極１２，１２間に略大気圧の第１の放電空間１５を形成し、そこに第１処理ガスの窒素（Ｎ_２）を通してプラズマ化し、紫外領域の発光性を付与する。一方、第２空間形成部２１の第２空間２５で第２処理ガスの酸素（Ｏ_２）をオゾン化又はラジカル化して酸化能を付与又は強化する。第１放電空間１５を通過後の第１処理ガスを噴出部３０の第１噴出路３３から処理位置Ｐへ噴き付けるとともに、第２空間２５からの第２処理ガスを処理位置Ｐの近傍で前記第１処理ガスと合流させながら処理位置Ｐへ噴き付ける。第１放電空間１５を、第２空間２５より処理位置Ｐの近くに配置する。 （もっと読む）

【課題】マガジン挿入基板や石英ボード挿入シリコンウエハ等を均一且つダメージレスに短時間でバッチ洗浄処理するマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】左右に分岐した導波管より導入されたマイクロ波がそれぞれ左右対向したスロット板を通した誘電体に伝播し減圧された処理室内に中空孔加工したガス噴出口から供給された反応ガスを励起し高密度で安定したプラズマ放電を実現する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を用いたプラズマ発生装置において、導波管内部における放電現象の発生を簡単且つ確実に防止する。
【解決手段】プラズマ発生装置ＰＵは、マイクロ波μを発生するマイクロ波発生装置１０、このマイクロ波発生装置１０に接続され前記マイクロ波μを伝搬させる導波管２０、及び、該導波管２０に設けられたプラズマ発生部３０を備える。プラズマ発生部３０は、マイクロ波μを受信する棒状のアンテナ４０を有する。アンテナ４０は、導波管２０の内部に導入される第１端部４１の側と、導波管２０の外部へ突出する第２端部４２の側とを含む。そして、第１端部４１が接地され、第２端部４２において処理ガスにマイクロ波μのエネルギーを与える。 （もっと読む）

【課題】ウエハの周辺へ誘導される反応ガスの圧力にバラツキが生じることなく、その圧力を均一に保持することができ、プラズマによるガス分配板の汚染を最小化することができるプラズマエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】ウエハの周縁へ反応ガスを誘導するガス分配板と、上記ガス分配板から離間して配設されるプレートと、上記ガス分配板とプレートとの互いに対向する面のうちの少なくとも一方の面に突設され、上記ウエハの周縁に流れていく反応ガスの圧力を均一にする緩衝部と、を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン−二酸化シリコン高寿命消耗プラズマ処理構成部品
【解決手段】プラズマエッチングチャンバの平均洗浄間隔時間及びチャンバパーツの寿命を延ばす方法が提供される。イオン衝撃及び／又はイオン化ハロゲンガスに曝される少なくとも１つの焼結窒化シリコン構成部品を使用しつつ、チャンバ内において一度に１枚ずつ半導体基板がプラズマエッチングされる。焼結窒化シリコン構成部品は、高純度の窒化シリコンと、二酸化シリコンからなる焼結助剤とからなる。焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理時のシリコン基板の表面上における金属汚染を軽減する方法が、１つ又は２つ以上の焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理装置によって提供される。プラズマエッチングチャンバ内においてイオン衝撃及び／又はプラズマ浸食に曝される構成部品を製造する方法は、高純度の窒化シリコンと二酸化シリコンとからなる粉末組成を成形することと、該成形構成部品を緻密化することとを含む。 （もっと読む）

【課題】全てのチャックピンが基板との接触を高速回転時にも維持でき、スピンヘッド本体の熱変形によるチャックピンの設定位置のずれを防止できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本体と、本体から上方に突出して設置されるチャックピンと、本体上に置かれた基板の側部を支持する支持位置及び本体の中心から支持位置より離れた待機位置の間でチャックピンを移動させ、且つチャックピンが待機位置にある場合には本体上に基板を着脱可能に置く余地を与えるように、チャックピンと固定結合される移動ロッド、回転可能で支持位置に位置したチャックピンが待機位置に移動できるように外側面に突起を有するカム、及びチャックピン各々が互いに独立して待機位置から支持位置に向かう方向へ移動できるように、移動ロッド各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器を有するチャックピン移動ユニットと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の洗浄効率が向上した基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板洗浄装置は、基板がロードされるステージと、前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記基板に一端で接触して、音波を伝達しつつ前記基板を洗浄する振動子と、前記振動子の他端部に備わって前記音波を発生する圧電ユニットであって、互いに離隔された少なくとも二つ以上の圧電体を有する圧電ユニットと、を含み、好ましくは、前記音波は、前記圧電体から各々発生され、前記各発生された音波は前記基板に隣接する前記振動子の一端の表面で互いに補強干渉する（同位相で重畳する）、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板中の構造体に熱ストレスが加わり難いドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方が基板表面に形成、もしくは付着した被処理基板をチャンバ内に設置する工程（ステップ１）と、チャンバ内の雰囲気を有機化合物ガス雰囲気として被処理基板の基板表面にガスクラスターイオンビームを照射し、基板表面に形成、もしくは付着した酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方を除去する工程（ステップ２）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ウエット処理時に異種材料接触部で発生する腐食を防ぎ、また、ウエハ上の微小粒子の除去も可能にする半導体プロセスおよびウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する下部電極１と、下部電極１に向かって移動可能であると共に注入された薬液を下部電極１に通す上部電極４とを備え、下部電極１と上部電極４との間に電圧を印加しながらウエット処理する。 （もっと読む）

【課題】非接触式シールを用いた構成において、非回転環と回転環との非接触状態を確実に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】非接触式シール機構２９は、スピンベース１０に固定された回転環３４と、基部３０によって鉛直方向に移動可能に保持され、回転環３４に対向配置された非回転環３２とを備えている。非回転環３２は、基部３０に保持された複数のばね３１の付勢力によって上方に付勢されている。また、回転環３２および非回転環３４はそれぞれ互いに反発するように働く永久磁石によって構成されている。非回転環３２は、永久磁石の反発力によって前記付勢力に抗して数μｍ〜数十μｍ回転環３４から離間しており、これによって、非回転環３２と回転環３４とが互いに非接触になっている。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって水素が離脱して硬化（炭化）したレジストを除去可能とする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１からプラズマ化したガスを照射することで、ウエハＷに残存したレジストを分解・燃焼させて除去するにあたって、前記ウエハＷを搬送手段Ｃによって浸漬槽Ｔに貯留された純水８０中を通過させるようにし、前記ウエハＷが純水８０に浸漬された状態でプラズマ照射を行う。これによって、水酸基ラジカルを効率良く発生させ、前記水酸基ラジカルによって、前記硬化（炭化）したレジスト表面に水素を供給して改質した上で、その表面を含めて総てのレジストを分解・燃焼させて除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において、純水が飛散する際に生じるカップ部の帯電による基板の誘導帯電を抑制し、導電性液体の供給開始時における基板上の放電を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、基板９の洗浄および乾燥時において基板９上に供給された純水が周壁部４１１へ飛散する期間の途中から純水の飛散が終了するまでの間、カップ部４１の内部空間４１５の純水がエアに置換されてカップ部４１の静電容量が第１容量から第１容量よりも小さい第２容量とされることにより、カップ部４１の電荷量が小さくされる。そして、次の基板９上に薬液の供給が開始される際に、内部空間４１５に純水が充填されてカップ部４１の静電容量が第１容量とされ、カップ部４１の電位が小さくされる。これにより、カップ部４１の帯電による基板９の誘導帯電を抑制して基板９の表面電位を低くすることができ、導電性の薬液の供給開始時における基板９上の放電が防止される。 （もっと読む）

基材の処理を容易にするためにプラズマ処理環境内のプラズマ均一性を管理する統合ステアアビリティアレイ配置が提供される。配置は、電気素子のアレイを含む。また、配置は、ガスインジェクタのアレイを含み、電気素子のアレイおよびガスインジェクタのアレイは複数のプラズマ領域を形成するように配置され、複数のプラズマ領域の各プラズマ領域は実質的に同じである。配置は、さらに、ポンプのアレイを含み、ポンプのアレイの個々は電気素子のアレイおよびガスインジェクタのアレイの中に組み入れられている。ポンプのアレイは、プラズマ処理環境内の均一なプラズマ領域を維持するために排ガスの局所的除去を容易にするように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマ発生ノズルにマイクロ波発生手段からのマイクロ波が導波管を介して伝搬され、前記プラズマ発生ノズルが内側電極と外側電極とが同心状に配置されて構成される場合、消耗する前記内側電極の交換を容易に行えるようにする。
【解決手段】内側電極となり、アンテナとなる中心導電体３２を外側電極の中心に保持する絶縁性の保持部材３５において、前記中心導電体３２を内部に収容して筒状に延長し、把持部３５１とする。一方、前記導波管（１３）のプラズマ発生ノズルが取付けられる壁面とは反対側の壁面（１３Ｂ）には、前記保持部材３５に保持された中心導電体３２が遊挿可能な大きさの点検口１３５を形成しておき、キャップ部材１３６を締付けることで固定する。したがって、ワーク側から交換を行う場合に比べて、容易に交換を行える。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマ発生ノズルの導波管への電気的な接触（接合）を安定させる。
【解決手段】ノズル本体３３と導波管の下面板１３Ｂとの接合部分に、導電性を有する弾性部材３７を介在する。前記弾性部材３７は、コイルばねが環状に連結されたＯリングによって形成されている。一方、前記下面板１３Ｂには、中心導電体（内側電極）が遊挿する開口１３１が形成されており、その開口１３１の回りに環状の突条１３３を形成しておく。また、ノズル本体３３には、前記中心導電体が遊挿する開口３４５が形成されており、その開口３４５の回りに環状の凹溝３４７を形成しておく。したがって、ノズル本体３３を下面板１３Ｂにねじ止めすると、前記Ｏリングが凹溝３４７と突条１３３とに挟み込まれて弾性変形し、前記電気的な接触（接合）を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、点状の吹出し口を有する低コストで制御が容易な小径のプラズマ発生ノズルを用いても、広い面積の被照射対象物に均等なプラズマ照射を行えるようにする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に、前記点状の吹出し口を長手状の吹出し口３８７に変換するアダプタ３８を装着し、さらに複数のプラズマ発生ノズル３１を覆うカバー部材９３を設け、そのカバー部材９３とワークとの間に狭小な空間を形成し、吹出し口から吹出され、ワークに当って跳ね返されたプラズマを再び押し返して、前記空間内に滞留させるようにする。したがって、広い面積のワークに均等なプラズマ照射を行うことができるとともに、前記空間でプラズマの冷却を抑え、比較的長い時間プラズマを生存させることができ（消失する割合が小さくなり）、照射効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、マイクロ波の伝搬に導波管を用いるにあたって、マイクロ波発生手段の交換を容易に行うことができるとともに、前記マイクロ波発生手段の導波管への取付けの信頼性を向上する。
【解決手段】マグネトロンから成るマイクロ波発生装置２０を、その一方側に形成したフック２１１をＵ字状の係合片１１２に引掛け、他方側に取付けたばね式キャッチクリップ２１２をフック１１３に引掛けることで、第１導波管ピース１１の上面板１１Ｕに、脱着自在に取付ける。したがって、工具を使わないで容易にマイクロ波発生装置２０の交換（脱着）を行うことができる。また、温度によるストレスなどに対しても、前記ばね式キャッチクリップ２１２の弾発力によって、マイクロ波発生装置２０は上面板１１Ｕに押圧して取付けられ、接合部分にガタを生じることはなく、取付けの信頼性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、冷却水流路の引回しが煩雑になることなく冷却を行う。
【解決手段】プラズマを吹出すプラズマ発生ノズル３１が導波管１０に複数並設される場合に、プラズマの発生によって高温になる該プラズマ発生ノズル３１を、全体を一括して、或いは幾つかのグループに分けるなどして、複数のプラズマ発生ノズル３１に纏めて共通の冷却配管９１を引回して冷却する。したがって、ポンプなどからの冷却水流路の引回しが煩雑になることなく冷却を行うことができ、前記プラズマ発生ノズル３１近傍に設けられ、センサ等を搭載した電子回路基板などを保護することができる。 （もっと読む）

基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも１つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 （もっと読む）