【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れを生じさせることなく基板に付着した異物を除去する基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法では、基板が載置台に載置され（ステップＳ１）、載置台に載置された基板に所定の金属に対して化学結合性を有する有機物質、例えばフタロシアニンが蒸気の状態で供給され（ステップＳ２）、基板に付着した金属を含む異物と有機物質との結合物質の生成を促進するエネルギが基板に供給され（ステップＳ３）、載置台に載置された基板が所定温度に加熱されることにより基板から結合物質が揮発させられる（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】装置の製造コストの増大を抑制することができるとともに、プラズマ処理状態の微細な制御を行うことができプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように配置された上部電極と、下部電極又は上部電極にプラズマ生成用の第１の周波数の高周波電力を印加するための第１の高周波電源と、下部電極に第１の周波数より周波数の低いイオン引き込み用の第２の周波数の高周波電力を印加するための第２の高周波電源と、下部電極と絶縁された状態で、当該下部電極上の少なくとも周縁部に設けられたバイアス分布制御用電極と、バイアス分布制御用電極に、第２の周波数より周波数の低い第３の周波数の交流又は矩形波の電圧を印加するためのバイアス分布制御用電源とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 高い洗浄処理能力を得ることができ、しかも、結合エネルギーが高い化学結合を有する有機化合物についても確実に除去することができる照射装置を提供する。
【解決手段】 放電容器および一対の電極を有するエキシマランプと、エキシマランプにおける一方の電極に誘電体を介して対向するよう配置されたプラズマ放電用電極とを備え、エキシマランプにおける一方の電極およびプラズマ放電用電極を介してプラズマ発生回路が形成されてなり、エキシマランプにおける一対の電極間に印加される高周波電界によって放電容器内にエキシマ放電が発生されると共に、エキシマランプとプラズマ放電用電極との間にプラズマ発生用反応性ガスが流過された状態で、エキシマランプにおける一方の電極とプラズマ放電用電極との間に印加された高周波電界によってプラズマ放電が発生されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面をスピン洗浄するにあたり、基板上に残存する水滴を低減し、例えば露光後の加熱処理時における水滴あるいはウオータマークによる加熱むらを抑えること。
【解決手段】 洗浄液ノズル５の吐出口よりもウエハＷの回転方向における下流側に洗浄液を拘束する液押さえ面部を設ける。具体的には洗浄液ノズル５の底面７０は長方形状に成形され、底面７０にはスキャン方向前方に向けて開いている概ねＶ字状の凹部７１が形成されると共に凹部７１の天井面７２における根元側に吐出口７３が形成される。洗浄液ノズル５からの洗浄液の供給位置を基板の中央部から周縁に向かって移動させると、洗浄液ノズルから吐出された洗浄液は、液押さえ面部により拘束されて液の塊ができるので、低回転でも遠心力が大きくなってその液の塊が外に向かう作用が大きくなる。 （もっと読む）

【課題】シャワープレートガス孔内で生じる異常放電を抑制し、異常放電に伴うプラズマの不安定性や異物の発生を防止する。
【解決手段】プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、上部電極は、第一のガス孔が施されたシャワープレートと、シャワープレート背面に配置され第二のガス孔が施された導体板と、導体板の中心部に配置され第三のガス孔が施された絶縁板と、導体板の背面に配置され温度制御機能及びガス分散部を有するアンテナ基材部からなり、シャワープレートと絶縁板との界面には径方向に第一の微小隙間を有し、絶縁板と導体板との界面には径方向に第二の微小隙間を有し、第一のガス孔と第三のガス孔の中心が周方向または径方向にずれている。 （もっと読む）

【課題】平面状の被照射体に対して効率よく均一に、かつ安定してエキシマ光を照射することができるとともに、使用する放電用ガスの交換によって複数種類の波長のエキシマ光の何れかを選択的に照射することができるようにする。
【解決手段】放電容器２を、側面に流入口２１１及び流出口２１２を備えるとともに厚さ方向に直交する２面の一方が開放面にされた筐体形状の本体２１と、開放面に接合される平板状の蓋体２２で構成した。蓋体２２は、加工容易な平板状であるため、広い波長域のエキシマ光に対する透過性の高いフッ化物で構成できる。本体２１の流入口２１１を経由して放電容器２内に放電用ガス供給装置９から処理内容に応じた波長のエキシマ光を発生する放電用ガスを選択的に供給できる。放電容器２内で発生したエキシマ光は、平板状の蓋体２２の全面から均一に照射される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、上部電極５に第１の高周波電力を印加してプラズマを発生させると共に第１の高周波電力より周波数の低い第２の高周波電力をウエハＷの下部電極４に印加するプラズマ処理装置１を用いて、下部電極４上に載置されたウエハＷの端部に付着した堆積物Ｄを酸素ガスのプラズマによって除去する際に、酸素ガスの圧力を４００〜８００ｍＴｏｒｒに設定し、下部電極４からウエハＷを離した状態で上部電極５によって酸素ガスをプラズマ化することを特徴とする （もっと読む）

【課題】被洗浄物にダメージを与えることなく、洗浄液の使用量を抑えることが可能な超
音波洗浄ユニット及び超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明の超音波洗浄ユニット２０は、間隙を持って被洗浄物Ｓの被洗浄面Ｓ
ａに対向するように配置された超音波伝達手段２５と、前記超音波伝達手段２５に設けら
れ前記超音波伝達手段２５を介して前記被洗浄面Ｓａ上の洗浄液Ｌに超音波を与える超音
波振動子２３と、前記洗浄液Ｌが流通する流路４０ａを前記超音波伝達手段２５の外周側
面に有して囲み前記超音波伝達手段２５よりも前記被洗浄面Ｓａに近接するように配置さ
れ前記洗浄液Ｌを前記間隙に吐出する導液手段４０とを具備していることを特徴とする。
この超音波洗浄ユニット２０により、超音波伝達手段２５と被洗浄物Ｓとの間で洗浄液Ｌ
を維持され、被洗浄物にダメージを与えることなく、少量の洗浄液で効率のよい超音波洗
浄を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 スタブ導波管を備えたスロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スタブ導波管の直下の電界強度を高めることにより、スロットアンテナ付近の電界分布を効果的に調節し、スロットアンテナ全体に均一な電界分布を形成させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。スタブ４３Ａは、導電性のカバー部材３４に設けられている。スタブ４３Ａは、平面アンテナ板３１の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット３２と上下に重なるように配置されている。透過板２８の下面には、スタブ４３Ａと上下に重なるように環状溝２８ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＶＬＳＩ技術及びＵＬＳＩ技術において多段相互接続は、アスペクト比の高いバイアや他の相互接続が注意深く処理されることを要する。これらの相互接続の確実な形成技術を提供する。
【解決手段】窒素と水素を含有する化合物、一般にアンモニアを使用し、次層を上へ堆積するに先立ち相対的に低い温度で酸化物又は他の汚染物質を還元する、プラズマ還元プロセスを提供する。酸化物の層の典型的な物理的スパッタ洗浄プロセスと比較して、層の粘着特性が改善され酸素の存在が減少する。このプロセスは、デュアルダマシン構造、とりわけ銅が応用されている場合の複雑な要求に特に有効であろう。 （もっと読む）

【課題】微細パターンが形成されている基板を、その微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄する基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】代表長が０．１μｍ以下の溝又は穴を有する微細パターンが形成されたウエハＷを、水分を含んだ空間において、所定位置に配置された対向電極４６を挟んで、鋭角状の先端部を有する冷却自在の放電電極４５の先端部に対して一定間隔で対面するように、ウエハＷを配置する配置ステップと、放電電極４５を冷却して放電電極４５に結露を生じさせると共に、放電電極４５と対向電極４６との間に一定電圧を印加する洗浄ステップと、により洗浄する。この洗浄ステップでは、放電電極４５の先端部で直径が１０ｎｍ以下の水微粒子を含有するエアロゾルを発生させ、エアロゾルをウエハＷに噴霧することによりウエハＷを洗浄する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器６と、前記処理容器内を減圧する減圧手段３と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段２と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段４と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段３０と、前記除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第１の温度制御手段５１と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置１。 （もっと読む）

【課題】第１電極への直流電圧を印加する方式を採用しながら、対向電極を実質的に必要としないプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、半導体ウエハＷが収容され、内部が真空排気可能なチャンバ１０と、チャンバ１０内に互いに対向して配置される、上部電極３４および半導体ウエハＷを載置する下部電極１６と、チャンバ１０内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニット６６と、下部電極１６にプラズマ生成用の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８およびバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０と、上部電極３４に正負交互に変化する直流電圧を印加する直流電圧印加ユニット５０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのパーティクルの付着や被処理基板へのダメージを防止することができる被処理基板の除電方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置する載置台１２とを備え、該載置台１２は、載置されたウエハＷの裏面に接触して当該ウエハＷを静電吸着する静電チャック２１と、該静電チャック２１からウエハＷの裏面に向けて伝熱ガスを噴出する外周部伝熱ガス供給系２５を有し、裏面に負の電荷が蓄積され且つ表面に正の電荷が蓄積されているウエハＷを除電する際、まず、プラズマＰ中の電子によってウエハＷの表面の正の電荷を中和し、その後、外周部伝熱ガス供給系２５からウエハＷに向けてイオン化ガスを供給し、イオン化ガス中の陽イオンによってウエハＷの裏面の負の電荷を中和する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）

【課題】真空容器パージ作業時の圧力差による部品の破損を防ぐと共に、真空容器内の処理ガスの残留を抑えることができるプラズマ処理装置およびそのパージ方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の減圧された処理室（Ｖ１）２２６内に側壁の不活性ガス導入用開口２３３から不活性ガスを導入して、処理室処理室（Ｖ１）２２６内を不活性ガスにより所定の圧力にしたのち、処理用ガスを導入する複数の貫通孔２２４に連通する処理用ガスの導入経路２１３、２１６（Ｖ２）に不活性ガスを供給して、複数の貫通孔２２４から処理室（Ｖ１）２２６内に不活性ガスを導入する。 （もっと読む）