【課題】半導体基板等の品質への悪影響を抑制しつつ、再付着の発生を有効に抑制することが可能な半導体基板等の洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、半導体または半導体を含む素材からなる被洗浄物であるＳｉＣ基板５０を洗浄する洗浄装置であって、洗浄液１６を保持する洗浄槽１１と、洗浄槽１１の内部に配置され、ＳｉＣ基板５０を保持する基板ホルダ１２と、洗浄液１６に対して磁界を加える電磁石コイル１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】装置稼働状態を適正に監視するための真空ポンプの排気能力や真空配管系の異常をオンライン状態で簡便に監視することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室３ａ内の基板８を対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置１において、処理室３ａ内部の到達真空度を計測する第１の真空センサ１５に加えて、排気配管系１２において処理室３ａと真空ポンプ１４とを断接する真空バルブ１３と真空ポンプ１４との間に第２の真空センサ１７を設け、真空バルブ１３を閉にした状態での第２の真空センサ１７の計測結果に基づいて、真空ポンプ１４の排気能力の異常や、真空排気配管１２ｂの真空リークなどの異常の有無を、制御部２２によって検出する。 （もっと読む）

【課題】試料台の貫通孔周辺の冷却ガス圧力の均一化を図ると共に、プッシャピンと試料台との温度差の発生を防止したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、プラズマ生成用高周波電源と、被処理体が載置され内部に前記被処理体の温度を制御するための冷媒通路を有した試料台と、前記被処理体を前記試料台に静電吸着する静電吸着電源と、前記被処理体と前記試料台との間に前記被処理体の温度を制御するためのガスを供給する手段と、前記試料台に設けられた貫通孔に配置され前記被処理体を昇降させるプッシャピンとを有する真空処理装置であって、前記プッシャピンは、前記被処理体の処理中、前記試料台に密着接触することにより、前記貫通孔を塞ぐと共に、良好な伝熱が得られるように構成される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマ処理システムの処理チャンバ内の安定化プラズマを特定するための方法が提供される。方法は、処理チャンバ内においてストライクステップを実行してプラズマを発生させることを含む。ストライクステップは、処理チャンバ内において十分に高いガス圧を印加すること及び処理チャンバ内において低い高周波（ＲＦ）電力を維持することを含む。方法は、また、ストライクステップ中に、基板表面にごく接近している処理チャンバの表面上にあるプローブヘッドを利用して特性パラメータ測定結果の集合を収集することを含む。方法は、更に、特性パラメータ測定結果の集合を所定の範囲と照らして比較することを含む。もし特性パラメータ測定結果の集合が所定の範囲内である場合は、安定化プラズマが存在する。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で基板を把持することができる基板把持機構を提供する。
【解決手段】基板把持機構は、基台１と、基台１に支持され、該基台１に対して上下方向に相対移動可能な複数の基板支持部材２と、基板支持部材２の上端にそれぞれ設けられた基板把持部２８と、基板支持部材２を上下動させる駆動機構２０と、少なくとも１つの基板支持部材２および基台１のうちのいずれか一方に取り付けられた第１の磁石３１と、少なくとも１つの基板支持部材２および基台１のうちの他方に取り付けられた第２の磁石３２とを備える。第１の磁石３１の磁石は、基板支持部材２の上下動に伴って、第２の磁石３２と近接した位置となるように配置され、第１の磁石３１と第２の磁石３２が近接したときに、第１の磁石３１と第２の磁石３２との間に発生する磁力により基板把持部２８が基板Ｗの端部を押圧する方向に基板支持部材２を移動させる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、電装部を密閉しつつ、その密閉された電装部の内部を冷却する紫外線照射装置を提供することである。
【解決手段】
第１の発明に係る紫外線照射装置は、放電容器と該放電容器の放電空間を介して対向配置された電極とからなるエキシマランプと、複数の該エキシマランプにそれぞれ電気的に接続されたトランスと、該複数のエキシマランプと該複数のトランスとを保持すると共に、該複数のエキシマランプと該複数のトランスとの間に設けられた隔壁を具備する筐体と、該筐体内で該隔壁を介して該複数のトランスを取り囲む電装部と、からなる紫外線照射装置において、該電装部には、冷却液の流路を具備する冷却手段が設けられ、該各トランスの外方には、該各トランスを個別に囲うと共に、該トランスを介して対向された一対の開口部を具備した風洞体が設けられ、該電装部の内部には、該風洞体の一方の開口部から他方の開口部に送風する送風手段が設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】載置台とフォーカスリングとの間の隙間をなくし、プラズマの回り込みによる載置台側壁の損傷、及び被処理基板へのパーティクルの付着を回避することができるフォーカスリングを提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容してプラズマ処理を施す収容室１１と、収容室１１内に設けられ、ウエハＷを載置する静電チャック２７とを有するプラズマ処理装置１０の静電チャック２７の上面外周縁部に設けられた環状のフォーカスリング２９であって、環状の周方向に沿って２分割されたフォーカスリング片の組合せ体からなり、フォーカスリング片を、それぞれフォーカスリング２９の中心に向かって付勢するＯリング２９ｄを設けたフォーカスリング。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセス等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムで精度良くモニタリングする。
【解決手段】チャンバ５１内のステージ５８上に載置されたウェハ５７に対してエッチング処理を行う際に、プラズマ５６から発生する紫外光ＵＶのモニタを行う場合、電圧源８７により、負のバイアス電圧（例えば、−３０Ｖ）をセンサ７０へ印加する。すると、プラズマ５６から発生した紫外光ＵＶが、センサ７０にて誘起電流として測定され、この誘導電流が電流計８８にてリアルタイムに計測される。これにより、誘導電流を紫外光ＵＶによるセンサ７０へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。センサ７０は、ＲＦバイアス電圧の印加されないチャンバ５１の上部に設置されているので、このセンサ７０がエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。 （もっと読む）

【課題】万が一シャワープレートが割れても、毒性ガスが装置外部に放出するのを防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１とスペーサ１ｂとアッパープレート１ａとから構成される処理容器の上部開口を閉鎖するようにシャワープレート７を配置し、シャワープレート７の開口部９からチャンバー１内にプラズマ励起用ガスを放射する。シャワープレート７の外側に配置されたスロットアンテナ１２にマイクロ波を供給してプラズマを発生し、スペーサ１ｂの内壁と、シャワープレート７の外周面との間の第１の隙間１６、スロットアンテナ１２の放射面と誘電体カバープレート６との間の第２の隙間１９の大気をガス排気口１８，２２からガス吸引装置２８により吸引し、ガス除害装置２９により毒性ガスを除害することにより、シャワープレート７が割れても有毒な毒性ガスがプラズマ処理装置５０の周辺に放出されることがない。 （もっと読む）

【課題】大型基板に対しても、均一なプラズマ分布を得ることができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室４の上方に誘電体壁２を介して、処理室４内の主に外側部分に誘導電界を形成する外側アンテナ部１３ａと主に内側部分に誘導電界を形成する内側アンテナ部１３ｂとその中間部分に誘導電界を形成する中間アンテナ部１３ｃを有する高周波アンテナ１３を有し、外側アンテナ部１３ａおよび中間アンテナ部１３ｃにそれぞれ誘導結合プラズマのプラズマ密度分布を制御する可変コンデンサ２１ａ，２１ｃを接続する。各アンテナ部は、渦巻き状の多重アンテナを構成し、かつその配置領域において均一な電界が形成されるように巻き方が設定され、各アンテナ部の配置領域間で電界の均一化が可能なように巻き数が設定される。 （もっと読む）

【課題】基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理を行う場合でもトレイの温度上昇を抑えることができるようにする。
【解決手段】前記トレイ１６は、下部電極１２の上面とほぼ同じ直径寸法を有する円板状の部材で、その上面には円形状の凹部２０が設けられている。前記凹部２０の数及び直径寸法は載置される基板の直径寸法に応じた適宜の値に設定されている。トレイ１６には、前記凹部２０の底面に温度制御面が接するようにペルチェ素子２２が配設されている。下部電極１２には、前記ペルチェ素子２２に直流の電流を供給する電流供給機構２５が設けられている。トレイ１６を下部電極１２に載置することによりペルチェ素子２２と電流供給機構２５が電気的に接続されてペルチェ素子２２に電流が供給される。 （もっと読む）

【課題】過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極１２および陰極１４が隔膜１０側の面と集電体１６，１８側の面に通ずる少なくとも１つの流路を有し、集電体１６，１８が電極１２，１４側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも１つの溝を有することにより、あるいは、陽極１２および陰極１４が隔膜１０側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも１つの溝を有することにより、過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置１。 （もっと読む）

【課題】被処理体へのパーティクルの付着を抑制できる雰囲気清浄化装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの位置する雰囲気にダウンフローを形成するＦＦＵ１５と、ウエハＷの位置する領域よりも上方位置に領域を挟んで対称に配置され、各々ダウンフローに対して正または負の一方に帯電した気体を供給する複数のイオナイザー５と、イオナイザー５の電極に印加されている電圧と同符号の直流電圧をウエハＷに印加する電源とを備え、イオナイザー５同士を互いに向き合わせた。この結果パーティクルに対して適切な静電斥力を作用させることができるので、微細なパーティクルであってもウエハＷへの付着を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄装置に用いられる、高周波電流に適応した補正コイルの小型化により、スリム設計が図れる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、被洗浄物を洗浄するための洗浄液５に超音波振動を与える超音波振動子２と、該超音波振動子２を振動させるための超音波発振器３を具備し、前記超音波発振器３と超音波振動子２で直列共振回路６を形成するために挿入する補正コイル１を有する超音波洗浄装置１０において、前記補正コイル１は、スリット入りトロイダルコアを有するものであることを特徴とする被洗浄物を超音波洗浄する超音波洗浄装置１０。 （もっと読む）

単色空間電荷で中性化された中性ビームで活性化される化学プロセスによって基板を処理する化学プロセスシステム及び当該化学プロセスシステムの使用方法が記載されている。当該化学プロセスシステムは、第1プラズマポテンシャルで第1プラズマを生成する第1プラズマチャンバ、及び、前記第1プラズマポテンシャルよりも大きい第2プラズマポテンシャルで第2プラズマを生成する第2プラズマチャンバを有する。前記第2プラズマは前記第1プラズマからの電子束を用いて生成される。さらに当該化学プロセスシステムは、前記第2プラズマチャンバ内に基板を設置するように備えられた基板ホルダを有する。
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【課題】本発明は半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、半導体装置の洗浄工程において半導体装置の半導体層の腐食防止を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層と、前記半導体層に接続した電極部と、前記電極部に接続した、前記半導体層および前記電極部の構成材料よりイオン化傾向の大きい金属からなる犠牲金属層と、を備える。本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハに、半導体層と前記半導体層に接続した電極部を有する半導体装置と、前記半導体層と電気的に接続した電気接触領域と、を形成する形成工程と、洗浄液の電位に対して負の電位を導き得る導電体を、前記電気接触領域に接続する接続工程と、前記半導体ウェハを前記洗浄液に浸漬した状態で、前記電気接触領域に前記負の電位を印加しながら、洗浄する洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理において、固体誘電体層がヒートショック等で破損するのを防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０に電極１１，１２を設け、これら電極１１，１２の放電生成面を固体誘電体層１３，１４でそれぞれ覆う。電極１１，１２の長手方向の中央部に対応する箇所には温度センサ３０を設け、その検出結果を制御部５に入力する。制御部５は、センサ３０の検出値に基づき電源３からの供給電力を制御する。 （もっと読む）

【課題】量産用の常圧プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】直流パルスまたは交流電源に連結される電源電極と、前記電源電極から離れて設けられ、プラズマガスが通過可能な噴射通孔を有する接地電極と、前記電源電極と接地電極を収容固定するフレームと、前記フレームの外部から電源電極と接地電極との間にガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部から配管により連結されてフレームの内部に流入するガスの温度を調節するガス恒温調節装置と、を備えてなる量産用の常圧プラズマ発生装置。本発明によれば、プラズマ発生装置の初期から前記プラズマ発生装置を量産に必要とされる所定の温度以上に昇温することができることから、初期段階から量産可能なプラズマ発生装置を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で処理槽の中央部と壁側との超音波出力を調節可能にし、超音波振動子ごとに超音波出力を調整して音圧分布の均一化を図る超音波処理装置を提供する。
【解決手段】超音波発振器より超音波出力を入力することが可能な超音波振動子３を処理液２で満たされた処理槽１０底面の輻射板１２に外側底部の設置面１２ｂから配置させて励振させることで処理液２中の被洗浄物１を洗浄する超音波洗浄装置であって、処理槽１０の輻射板１２に中央の中央部Ａ及びその周囲の壁側Ｂからなる設置面１２ｂを設定し、この設置面１２ｂ内で処理槽１０の洗浄状態に応じて、超音波発振器により中央部Ａに低い超音波出力を入力して励振させる超音波振動子３Ａと、壁側Ｂに高い超音波出力を入力して励振させる超音波振動子３Ｂとを各々分けて備える。 （もっと読む）

【課題】水素ラジカルを用いるアッシング処理の後でも，同一の処理室内で回復処理を連続して実行できるようにする。
【解決手段】ウエハＷを所定の温度に加熱しつつこのウエハ上に水素ラジカルを供給することによってエッチングマスクをアッシングして除去するアッシング処理と，アッシング処理が施されたウエハＷに発火温度が３００℃以上のβ−ジケトン化合物を含むガスを供給することによって，凹部に露出した低誘電率絶縁膜を疎水化しつつエッチングによってダメージを受けた低誘電率絶縁膜の膜質を回復させる回復処理を行う。 （もっと読む）