【課題】安価で素早く高度な洗浄性能を発揮することができる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超音波洗浄装置１は、洗浄液７００を用いて被洗浄物８００を超音波洗浄処理する洗浄処理部１００と、洗浄液７００に対して超音波振動を照射する振動子２００と、振動子２００を圧電効果によって超音波振動させるために、所望の周波数で、且つ所望の振幅の電気信号を振動子２００に付与する発振器３００と、洗浄液７００に所望の濃度を有する気体４１０を溶解する気体溶解部４００と、振動子２００より発振される超音波振動（圧力変動）から音圧Ｐを測定する音圧測定部５６０と、音圧測定部５６０によって測定された音圧Ｐを基に、気体溶解部４００によって洗浄液７００に溶解する気体４１０の濃度を制御する制御部６００とを有している。 （もっと読む）

【課題】希釈された溶液を用いて、貴金属を含む被処理膜等を迅速に且つ効果的にエッチングでき、且つ、設備の稼働率を向上できるようにする。
【解決手段】薬液を調合する薬液調合槽２４と、調合された薬液を貯蔵する薬液貯蔵槽２８と、貯蔵された薬液を用いて半導体基板を処理する処理チャンバ２１とを有する半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法は、薬液調合槽２４において、酸化剤と錯化剤とを混合して第１の薬液を調合し、薬液調合槽２４において、第１の薬液を活性化する。続いて、薬液貯蔵槽２８において、活性化された第１の薬液と純水とを混合し、第１の薬液の濃度及び温度を調整することにより、第１の薬液を希釈した第２の薬液を調整する。続いて、処理チャンバ２１に投入された半導体基板に第２の薬液を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを非回転状態で保持する基板保持手段と、ノズル４と、処理液供給手段と、制御手段とを含む。ノズル４は、基板保持手段に保持された基板Ｗの主面の中央部に向けて流体を吐出する中央吐出口１１、主面の中央部を取り囲む環状の中間領域Ｔ１に向けて外向きに流体を吐出する中間吐出口１２、および中間領域Ｔ１を取り囲む環状の周縁領域Ｔ２に向けて外向きに流体を吐出する周縁吐出口１３を有する。処理液供給手段は、中央吐出口１１、中間吐出口１２、および周縁吐出口１３に個別に処理液を供給する。制御手段は、処理液供給手段を制御して、中央吐出口１１、中間吐出口１２、周縁吐出口１３の順番で処理液を吐出させる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の処理を悪影響がなく、オゾン気泡が容易に脱気しないことにより、充分な処理効果を得ることのできるオゾン水処理方法及びオゾン水処理装置を提供する。
【解決手段】添加物を含めない方法によって生成された超微細粒径のオゾン気泡を含有するオゾン水を用いて被処理物を処理するオゾン水処理方法及びオゾン水処理装置で、特に、超微細粒径のオゾン気泡を含有するオゾン水を加熱して被処理物の処理効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】キャピラリ内でのパーティクルの発生を防止できるドライアイススノー洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給源から供給された液化炭酸ガスを膨張させ冷却させるオリフィス３と、上記オリフィス３から噴射ノズル１に至るキャピラリ２と、上記キャピラリ２が接続されてドライアイススノーを噴射する噴射ノズル１と、上記噴射ノズル１に対してドライアイススノーの噴射ガスを供給する噴射ガス供給管４とを備え、上記キャピラリ２における噴射ガス供給管４の合流部よりも上流側の部分に、キャピラリ２を外側から加温する加温手段を設けたことにより、キャピラリ２内面をドライアイスの温度よりも高い温度に保ってキャピラリ２内面に薄いガス層を形成し、固体のドライアイスがキャピラリ２内面に衝突することを防止してパーティクルの発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】枚葉式洗浄装置に断続的にオゾン水の供給を繰り返しても安定した濃度のオゾン水を供給可能で、送水ポンプが不要なオゾン水供給装置を提供する。
【解決手段】オゾン水と少なくとも大気圧以上の一定圧のオゾンガスが供給される計量槽と、計量槽の内圧が一定の圧力を超えたときオゾンガスを放出して計量槽の内圧をオゾンガス供給圧より低い一定圧に保つオゾンガス放出手段と、計量槽からオゾン水を供給するオゾン水供給給配管とを有する。 （もっと読む）

【課題】オゾン水を貯蔵することも、無駄に廃棄することもなく、半導体ウェハを洗浄する技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ洗浄システム１０は、洗浄装置１２とオゾン水製造装置４を含んでいる。洗浄装置１２の第１制御部１６は、半導体ウェハをオゾン水で洗浄する洗浄処理の開始時刻に先立って、オゾン水製造装置４が予め定められた濃度のオゾン水を製造するのに要する設定時間前に供給予報信号８をオゾン水製造装置へ送信し、洗浄処理の開始時刻に供給指示信号１４をオゾン水製造装置へ送信する。オゾン水製造装置４の第２制御部６は、洗浄装置１２から供給予報信号８を受信するとバルブ１８を閉じたままガス発生部２を起動し、洗浄装置１２から供給指示信号１４を受信するとバルブ１８を開く。 （もっと読む）

【課題】 所定濃度以上のオゾン水を複数のユースポイントへ効率良く供給することができるオゾン水供給装置を提供する。また、被洗浄物を確実かつ効率良く洗浄することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】 オゾンガス導入管１１及び純水導入管１０に接続され、オゾンガス導入管１１を介して導入されたオゾンガスを、純水導入管１０を介して導入された純水に溶解させる複数の溶解モジュール５と、各溶解モジュール５により生成されたオゾン水をそれぞれユースポイントに供給する複数のオゾン水供給管１２と、純水導入管１０を開閉する開閉弁３１と、オゾンガス導入管１１にオゾンガスを供給するオゾンガス供給装置２０と、オゾンガス導入管１１内のオゾンガス圧力を検知する圧力検知装置２３とを備え、オゾンガス供給装置２０は、圧力検知装置２３の検知に基づいて、オゾンガス導入管１１内のオゾンガス圧力が一定になるようにオゾンガスを供給するオゾン水供給装置。 （もっと読む）

【課題】ノズルへ供給される処理液を一定温度に維持できる処理液供給ユニットと、これを利用する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置及び方法は、ノズルアームと待機ポートとの間の熱伝達、そしてノズルアームとノズル移動ユニットとの間の熱伝達を通じて、待機位置での待機の時、工程位置での工程進行の時、待機位置と工程位置との間で移動する時、にノズルアームに内蔵された処理液配管内の処理液の温度を調節することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】立ち上げ期間の短縮の可能な温超純水製造装置のユースポイント配管の立上洗浄方法を提供する。
【解決手段】温超純水製造装置のユースポイント配管の立上洗浄方法は、サブシシテム３に供給された一次純水Ｗ１をサブシステム３の超純水加熱装置７で加熱する。このとき、通常は、運転時の温超純水Ｗ２と同じ温度の洗浄水により、立上洗浄を行うが、本実施形態においては、超純水加熱装置７では運転時にラインＬ３に供給される温超純水Ｗ２の温度よりも高い温度、温超純水Ｗ２の温度よりも５℃以上高い温度の洗浄水を供給する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理液が貯えられる貯液タンク３２と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体３１に給液管路３３を通じて供給する供給ポンプ３４と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第１の加熱ヒータ３７と、上部ノズル体が基板の上面から外れた待機位置にあるときに供給ポンプによって上部ノズル体から噴射される処理液の温度を測定する温度センサ４３と、温度センサが測定した処理液の温度が所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上部ノズル体を基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御装置を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】オゾン濃度が高くしかもオゾン気泡を全く又は殆ど含まないオゾン水が洗浄部に供給されるよう構成されたオゾン洗浄槽及びオゾン洗浄装置を提供する。
【解決手段】オゾン水生成器１に対し超純水などの水とオゾンガスとが供給され、オゾン水−オゾンガス混合水が生成する。この混合水は、配管２、受入口３を介して気液分離室４に導入され、混合水中の未溶解オゾンガスよりなる気泡が浮上分離される。気液分離室４内で気液分離されて気泡を含まないようになったオゾン水は、連通部６から洗浄室７に導入される。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾン水中のオゾン濃度の減衰を抑制して、オゾン濃度の高い加熱オゾン水を効率的に製造することができる加熱オゾン水の製造方法を提供する。
【解決手段】純水又は炭酸ガス含有純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を加熱する加熱オゾン水の製造方法において、オゾン水を、液体を加熱媒体とする熱交換手段２により昇温速度６．０〜１０．０℃／秒で６０〜９０℃に加熱する加熱オゾン水の製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５であって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４から再びウェハＷの表面に供給するように構成した。 （もっと読む）

【課題】薬液の劣化を抑え、気化効率が高くキャリアガスの流量を少なくすることができる気化装置、及びこの気化装置を備えることにより気化された処理ガスの漏洩のリスクを低減させた基板処理装置、基板処理方法を提供すること。
【解決手段】気化プレート３１の表面に多数の溝部３６を形成し、毛細管現象により薬液であるＨＭＤＳ液をこれら溝部３６を介して気化面の上に広げ、この状態でキャリアガスを気化面に供給してＨＭＤＳ液を気化させ処理ガスを得ている。従って気化を行わないときには、貯留されたＨＭＤＳ液がキャリアガスに接触するといったことがないので、ＨＭＤＳ液の劣化が抑えられる。また小型化を図ることができる上、気化効率が高いのでキャリアガスが少なくて済む。また気化装置３を小型化できることから、処理容器２２の側に置くことができ、処理ガスの配管を短くする、若しくは無くすことができるので、処理ガスの漏れが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】オゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明によるオゾン水混合液供給装置は、処理液供給ライン及びオゾン水供給ライン夫々から処理液及びオゾン水の供給を受けこれを混合して予め設定された濃度範囲内のオゾン水混合液を製造する混合ラインと、混合ラインから製造するオゾン水混合液を処理ユニットに分配させる分配ラインと、を有する。混合ラインには、混合バルブ及びスタティックミキサを設ける。本発明は、混合タンクのような混合容器なしにインライン混合方式で予め設定のオゾン水混合液を製造及び供給する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物がたとえ複雑形状を有する場合であっても、被洗浄物表面上の汚染物質を十分に除去できる洗浄方法および洗浄装置を提供する。
【解決手段】純水にオゾンを溶解させたオゾン水に紫外線を照射して洗浄液を得るための紫外線照射処理槽６、紫外線照射処理槽６内で得られた洗浄液を供給する管路１５および洗浄液を被洗浄物に接触させるための手段７を備え、オゾン水に紫外線を照射して洗浄液を得た直後に、当該洗浄液を被洗浄物に接触させる。 （もっと読む）

【課題】高温のＳＰＭなどの処理液を用いる場合でも、基板の処理時に生じる廃液を工場の廃液ユーティリティラインなどに排出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷへの処理液の供給時に生じる高濃度廃液は、廃液配管７２および高濃度廃液導入管７３を通して希釈タンク８に導入され、ウエハＷの水洗時に生じる低濃度廃液は、廃液配管７２および一般廃液導入管７４を通して気液分離タンク９に導入される。希釈タンク８には、高濃度廃液を希釈および冷却するための冷却水が供給されるようになっている。希釈タンク８の底面には、希釈廃液オーバフロー配管８３が挿通されている。この希釈廃液オーバフロー配管８３の一端は、希釈タンク８内の所定高さの位置で開放されており、廃液オーバフロー配管８３の他端は、たとえば、基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに接続されている。 （もっと読む）