エルビウム添加(Ｅｒ添加)超蛍光性のファイバー光源（ＳＦＳ）は、高い平均波長安定性を持つ。方法は、ＳＦＳ（１０)の推定平均波長を決定する。方法は、実平均波長を有するＥｒ添加ＳＦＳ（１０）を備えることを含む。方法は、ＳＦＳ（１０）を構成することをさらに含み、実平均波長がＥＤＦ（２０）の温度に依存する。方法は、ＥＤＦ（２０）の温度への実平均波長の依存度を得ることをさらに含む。方法は、ＥＤＦ（２０）の温度を測定することをさらに含む。方法は、測定したＥＤＦ（２０）の温度およびＥＤＦ（２０）の温度に対する実平均波長の依存度を用いて、推定平均波長を算出することを含む。
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【課題】 信号光増幅用光ファイバに、よりいっそうの光パワーを供給することのできる光ファイバ通信システムを提供すること目的とする。
【解決手段】 信号光を伝送する光ファイバの両端に設置される２つの端局間で通信を行う光ファイバ通信システムにおいて、信号光増幅用励起光を前記光ファイバに出力する一次の励起光源１２と、励起光増幅用励起光を前記光ファイバに出力する二次の励起光源１３と、前記光ファイバの途中に設置され、前記信号光増幅用励起光と前記信号光とが重畳して入力すると、前記信号光を増幅させる少なくとも１つの信号光増幅用光ファイバ６１と、前記光ファイバの途中に設置され、前記励起光増幅用励起光と信号光増幅用励起光とが重畳して入力すると、前記信号光増幅用励起光を増幅させる少なくとも１つの励起光増幅用光ファイバ５１とを備える。 （もっと読む）

波長分割多重ＷＤＭ光向けの光分波器（１３，３０）であって、波長スペクトル上で間隔をあけて配置された複数の波長チャネル（Ｃｈ₁...Ｃｈ_１６）を備え、光分波器は、ＷＤＭ光を個別の波長チャネルに分離する。光分波器は、それぞれが複数の隣接波長チャネルを備えた複数のサブバンド（Ｃｈ₁...Ｃｈ_４、Ｃｈ_５...Ｃｈ_８、Ｃｈ_９...Ｃｈ_１２、Ｃｈ_１３...Ｃｈ_１６）にＷＤＭ光を分離するための第１の分波器であって、複数のサブバンドのそれぞれが分波器（１２）のそれぞれの出力端（１３）に出力される第１の分波器（１２）と、各サブバンドを個別の波長チャネルに分離するための１つ以上の分波器装置であって、各チャネルがそれぞれの出力端（２０）に出力されるような分波器装置（３０）とを備える。１つ又は各分波器装置（３０）は、サブバンドに含まれる全てのチャネルを光増幅する光増幅器（１５）と、サブバンドに含まれるチャネルを分離するための分波器であって、各チャネルがそれぞれの出力端（２０）に出力されるような分波器（１６）と、それぞれの出力端で各チャネル（Ｃｈ₁...Ｃｈ_４）のパワー（Ｐ_１...Ｐ_４）を測定するためのパワーモニタ手段（１８）と、各波長チャネルのパワー測定値に依存して、各波長チャネルのパワーを所定のパワーレベルになるように調整するために、光増幅器（１５）の動作を制御するための制御手段（３４）とを備える。
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光信号のブロードバンド増幅のためのファイバ増幅器の用途に適したゲルマニウム酸塩ガラス組成物を提供する。ガラスは、好ましくは、３５−７５％のＧｅＯ_２、０−４５％のＰｂＯ、５−２０％のＢａＯ、５−２０％のＺｎＯ及び２−１０％のＲ_２Ｏ（Ｒ＝Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ）含む。ツリウムイオン(Ｔｍ^３＋)がドープされ、ホルミウムイオン（Ｈｏ^３＋）が共ドープされている。本発明のガラス組成物は以前のガラスに比べてはるかに大きな帯域幅を与える。また、既存のシリカ光ファイバとの相性も非常に優れている。 （もっと読む）

パルスレーザは、発振器と増幅器を有する。レーザからのレーザパルス出力の性能と或いは品質とを改善するために、発振器と増幅器との間に減衰器及び/或いは予備圧縮器が配置されてもよい。そのような予備圧縮器は、発振器と増幅器の間のスペクトルフィルタ及び/或いは分散素子で実施される。パルスレーザは、通信コード等級の品質と信頼性を持つモジュール型デバイスを有するモジュール型デザインを持っても良い。デバイスモジュールから伸びるファイバピッグテールが、レーザシステムを形成するために一緒にスプライスされる。一実施例において、約１０５０nmで動作するレーザシステムは、約１９nmのスペクトルバンド幅を持つ発振器を有する。この発振器信号は、約９０ｆｓを下回る幅を持つパルスを生成するために操作される。

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本発明は、広い波長範囲において発光機能や光増幅機能を示すガラス組成物を提供する。このガラス組成物は、ビスマス酸化物、酸化アルミニウム、およびガラス網目形成体を含み、ガラス網目形成体の主成分が二酸化ゲルマニウムであり、ビスマス酸化物に含まれるビスマスが発光種として機能し、励起光の照射により赤外波長域で蛍光を発する。このガラス組成物は、さらに１価または２価の金属の酸化物を含んでいてもよい。 （もっと読む）

二重クラッド能動光ファイバは、（１）希土類元素がドープされた第１の屈折率ｎ₁を有するシリカベースのコアと、（２）ｎ_１＞ｎ_２となるような第２の屈折率ｎ_２を有してコアを取り囲み、かつ０．１５〜０．５の間の開口数を有するシリカベースの内側クラッドと、（３）第３の屈折率ｎ_３を有して内側クラッドを取り囲み、かつｎ_２＞ｎ_３となるように屈折率を低下させるドーパントを含んだシリカベースの密実な外側クラッドとを備え、内側クラッドの外径が少なくとも１２５μｍである。内側クラッドの外径は１２５〜３５０μｍの範囲にあるのが好ましく、前記外側クラッドの外径は１４５〜５００μｍの範囲にあるのが好ましい。この光ファイバは、ハイパワーの光源ともに用い、または光ファイバー・レーザーおよび光増幅器に用いるためのものである。
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本発明は、パルスデカップリング原理に従い特にフェムト秒又はピコ秒パルスからなる超短パルスを生成するための高繰り返しレーザーシステムに関する。前記システムは、少なくとも一つの増幅用レーザー媒質（１１）と、レーザー共振器と、前記レーザー媒質（１１）をポンピングするためのポンプ源とからなる。前記システムは、パルスデカップリング部品（１）としての電気光学的変調器を用いて、短いパルス持続時間で高いパルスエネルギーを得るために動作する。
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少なくとも２つの増幅光ファイバセクション２４、５６、８４、９４と、増幅光ファイバセクション２４、５６、８４、９４に光ポンピングを行うためのポンピング手段とを含む光増幅器５０、６６を説明する。２つ以上の増幅光ファイバセクション２４、５６、８４、９４を使用中に実質的に直線に保持する光ファイバ支持手段、例えば、基板におけるチャネルまたはチャネル群２０、２６、４２、４４、５４も設けられる。また、光ファイバ支持手段は、少なくとも２つの増幅光ファイバセクションの間で光を結合するための手段も含む。少なくとも１つの増幅光ファイバ２４、５６、８４、９４は、エルビウムドープファイバ増幅器ＥＤＦＡをもたらすエルビウムドープコアを含むことができる。
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光学コネクタアダプタ(10)は光学信号伝送用の光導波路(20)を有する基板(12)を有する。光学コネクタアダプタ(10)はパッシブアライメント技術を行うことで、光学ポンプ源(74)を光導波路に接続するためのものである。基板(12)は、光伝送方向に垂直な端面(14)、光導波路(20)に対して整合する上部参照面(16)及び側部参照面(18)を有する。各キャリアブラケット(22)は基板(12)の各端面(14)で受け渡される。基板整合基準マーク(24)の各々は基板(12)に対してキャリアブラケット(22)を整合させる。基板キャリア(28)は基板(12)及びキャリアブラケット(22)を受け取る。光カプラ(64)は基板キャリア(28)で受け渡される。光カプラ(64)が光導波路(20)に対して整合するように、カプラ整合基準マーク(66)は基板(12)に対して光カプラ(64)を整合させる。
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複数の活性利得材料（９３）が、フォトニックバンドギャップ結晶ファイバ（２０）の誘電体コア（１２）に隣接する誘電体バンドギャップクラッド閉じ込め領域（２２）の活性界面部（４４）に配置されるが、この場合、動作中に、複数の活性利得材料（９３）が、コア（１２）の第１の導波モードとオーバーラップするための、第２の周波数範囲における第２の周波数の第２の導波モードにおけるＥＭエネルギによる刺激のための潜在的なエネルギ貯蔵として、ポンプエネルギを吸収し、かつポンプエネルギを蓄積して、フォトニックバンドギャップクラッド（２２）と、界面（４４）を伝搬する少なくとも１つ表面モードを支持する誘電体コア（１２）との間の界面によって定義される表面が、誘電体クラッド閉じ込め領域の活性界面部、および誘電体コア（１２）に関連する状態をオーバーラップさせるようにする。
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１．５μｍ帯域における動作に対して、ブロードエリアレーザダイオードによって光励起するファイバレーザ（１８）または増幅器（１６）を作製するために、光学活性ファイバ（３０）が使用されている。このダブルクラッド構造の活性ファイバ（３０）は、準３準位遷移を有する光励起エルビウムイオンでドープされたコア（３４）を有する。コア（３４）は、コア屈折率およびコア断面積を有する。内部クラッド（３２）はコア（３４）を取り囲む。内部クラッド（３２）は、コア屈折率より小さい内部クラッド屈折率，コア断面積より２から２５倍大きい内部クラッド断面積および１．５：１より大きいアスペクト比を有する。外部クラッド（３６）は内部クラッド（３２）を取り囲み、内部クラッド屈折率より小さい外部クラッド屈折率を有する。
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ダイオードレーザによってポンプされる固体マイクロチップアセンブリを受け入れるように変更された標準半導体レーザパッケージを含む小型化レーザパッケージが提供される。本発明に記載される標準パッケージは、小さな寸法、十分に封止されたハウジング、頑丈な取り付け構造物、半導体プロセス加工産業の既知の特徴を有する材料ならびに経済的な製造および組み立て技法特性を特徴とするＴＯおよびＨＨＬパッケージを含む。詳しくは、これらのマイクロチップレーザは、大量生産に有用である高密度技法を用いて製造され、その結果、非常に低い単位コストとなる。同時に、これらのコンパクトなレーザ素子は、いまだに主としてダイオードレーザ製造に共通の標準化された設計、材料および技法に立脚するダイオードレーザからは得られないさまざまな波長および動作特性、ならびに低いノイズ雑音特徴で、高いビーム品質および良好な信頼性特徴のレーザ放射を提供するという課題に解決法を提供する。従って、本発明が教示する方法によって構築されたデバイスは、パワー、信頼性および性能は高度であるが低いコストが不可欠である多数の用途に容易に集積化され、最終的には多数の既存のシステムのダイオードレーザを置き換えるばかりか、多数の新しい商業、生物医学、科学および軍事システムを可能にする。 （もっと読む）

本発明は、導波路を励起するよう使用され、光源としても使用される半導体ダイオードレーザに係る。ＩＲ波長放射から可視光線放射を作り出す本発明に従った導波路レーザは、ａ）ＩＲ波長放射を作り出す少なくとも１つの半導体ダイオードレーザ又はダイオードレーザ・バーと、ｂ）後に放射が続く光子吸収エネルギ移動のアップコンバージョン工程によってＩＲ波長放射を可視光線へと変換する半導体ダイオードレーザにおいて放射層の厚さより少なくとも１μｍ厚い厚さを有する少なくとも１つのアップコンバージョン層と、ｃ）可視光線放射を再循環する少なくとも１つの光学的感知手段及び／又はＩＲ波長放射を再循環する少なくとも１つの光学的感知手段と、を有する。レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、同一の基板上又は別個の基板上に配置される。レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、近接して配置される。近接して配置されたダイオードレーザ・バーとアップコンバージョン層との間にギャップが形成される。あるいは、レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、このオーダにおいて接触して配置され、導波路レーザは、
【数５６】


乃至
【数５７】


であるビーム質Ｍ２を有する。
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高エネルギピコ秒、ナノ秒パルス用ファイバベース光源が記載される。ファイバ増幅器での非線形エネルギ制限を最小化することで、光ファイバの損傷閾値に近いパルスエネルギが発生され得る。少なくとも一つの非線形ファイバ増幅器を含む増幅器チェーンと共に最適化されたシード光源を実施することは、バンド幅制限近い高エネルギピコ秒パルスの発生を可能にする。高エネルギパルス化されるファイバ増幅器の最適化シード光源は、半導体レーザも伸長モードロックファイバレーザも含む。ファイバ増幅器から得られるパルスエネルギの最大化は、さらに高繰り返し周期で高エネルギ紫外、赤外パルスの発生を可能にする。

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