【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】安定したレーザ発振が得られる外部共振器型レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置(100)は、端面発光型の発光素子(10)と、液晶レンズ(23)を含み前記発光素子(10)の端面から出射される光を屈折させるレンズ部(20)と、前記レンズ部(20)から出射される光を回折し、その回折光の一部を前記発光素子(10)に帰還させ該発光素子(10)においてレーザ光を生じさせる回折光学素子(30)と、前記レーザ光の縦モードの単一性及び／又は光出力を監視するレーザ光監視部(40)と、前記レーザ光監視部(40)で得られる前記縦モードの単一性及び／又は光出力に基づいて前記液晶レンズ(23)を制御する液晶制御装置(25)と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 波長掃引の高速化と、発振スペクトル線幅の狭小化と、を同時に達成し得る光源装置を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光利得媒体を備えた光共振器と、前記光利得媒体より放出された光を波長に応じて分散させる分散素子と、前記分散素子を経た特定の波長の光を反射または透過する波長選択部と、を有する光源装置であって、前記光利得媒体より放出された光が前記光共振器内を一往復する間に前記波長選択部で複数回の波長選択がなされ、該複数回の波長選択により得られた重複した波長帯域の光を出射させる光源装置。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態、または半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマをマスクの端部にて所定の濃度で前記開口部の幅方向においてマスク１９００の端部から開口部へ拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を維持しながら光パワーモニタとしての機能を併せ持つ光パワーモニタ集積ＤＦＢレーザを提供する。
【解決手段】分布ブラッグ反射領域が集積された半導体レーザにおいて、前記半導体レーザの導波路の活性層が細線構造を有し、前記分布ブラッグ反射領域の吸収電流により前記半導体レーザの出力をモニタすることとした。 （もっと読む）

【課題】広帯域で波長チューニングおよび単一波長発振が可能な波長可変光源を提供する。
【解決手段】波長可変光源１は、筐体１０、量子カスケードレーザ２０、反射低減膜３０、第２反射部４０、レンズ５０、レンズ６０および第１反射部１１０を備える。レンズ５０は、量子カスケードレーザ２０の第１端２１から出射される光をコリメートする。第１反射部１１０は、回折特性が互いに異なり格子面方位が可変である回折格子１１１〜１１３を含み、これらの回折格子から選択される何れかの回折格子にレンズ５０によりコリメートされた光が入射され、その選択された回折格子の回折特性および格子面方位に応じた特定波長の光を当該入射方向と逆の方向に回折させて量子カスケードレーザ２０の第１端２１に帰還させる。第１反射部１１０と第２反射部４０とはリトロー型の外部共振器を構成している。 （もっと読む）

【課題】従来技術の外部共振器レーザにおいて、モードホップを回避しつつ、高速で広帯域を波長掃引することは、発信波長および位相の２つのパラメータを同時に高速に連続的に調整する必要がある。この調整のためには、複雑な機構を必要とした。外部共振器レーザ以外の導波路型の分布帰還型（ＤＦＢ）レーザなどでは、外部共振器型レーザに匹敵するような広帯域の波長可変性能は、構造などの制限により未だ実現できていない。
【解決手段】本発明は、回折格子を含む外部共振器型の波長可変光源において、半導体レーザ部と回折格子との間の光路上に、異なる制御電圧で制御される屈折率変調部および偏向部を有する点に特徴がある。波長可変帯域の設定と、モードホップフリー発振の条件とを屈折率変調部および偏向部の各制御電圧Ｅ_１、Ｅ_２で別個に独立に行なうことができる。屈折率変調部および偏向部には、ＫＴＮなどの電気光学結晶を利用し、異なる電極材料を使用する。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子間の光結合効率の向上と、光半導体素子で生じた熱の放熱性の向上を図る。
【解決手段】光半導体装置１は、第１光半導体素子１０及び第２光半導体素子２０を備える。第１光半導体素子１０は、半導体基板１１上に絶縁層１２を介して設けられた第１光導波路層１５、及び半導体基板１１が露出する凹部１６を含む。第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 （もっと読む）

【課題】従来とは異なる構成でスペックルノイズを低減する半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射する光を略平行光にするコリメータレンズと、前記コリメータレンズから出射する光を分光する分光手段と、前記分光手段によって分光された光の中から特定波長の光を前記半導体レーザ素子へ帰還させる帰還手段と、前記分光手段、前記帰還手段、又は前記分光手段及び前記帰還手段を所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる移動手段と、を備えた半導体レーザ装置である。 （もっと読む）

【課題】所望の波長の光を高い光取り出し効率で出力することのできるレーザ光波長変換装置を提供すること。
【解決手段】レーザ光波長変換装置は、基本波光としてレーザ光を放射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に対して外部共振器を構成する体積ブラッググレーティング（ＶＢＧ）よりなる基本波光反射素子と、前記半導体レーザ素子と前記基本波光反射素子との間に配置された、基本波光の一部の基本波光の波長を変換して波長変換光とする波長変換素子とを有するレーザ光波長変換装置において、前記波長変換素子より出射されて前記基本波光反射素子に向かう光のうち、基本波光を透過し、波長変換光を反射する選択性反射部材を備えると共に、前記半導体レーザ素子と前記波長変換素子との間に、基本波光を透過し、波長変換光を反射させて取り出すダイクロイックミラーが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示すモード同期半導体レーザ素子において、出射されるパルス状のレーザ光の持続時間内での光強度の揺らぎを無くし得る半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示すモード同期半導体レーザ素子１０、外部共振器８０、及び、波長選択素子８２を備えており、モード同期半導体レーザ素子１０から外部共振器８０を介して出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子８２によって抽出し、外部に出力する。 （もっと読む）

【課題】モード同期動作が不安定になるという問題の発生を抑制することができ、しかも、大きな出力を得ることができる半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）モード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）外部共振器を構成し、１次以上の回折光をモード同期半導体レーザ素子１０に戻し、０次の回折光を外部に出力する回折格子１００を備えており、モード同期半導体レーザ素子１０と回折格子１００との間に、モード同期半導体レーザ素子１０の光出射端面の像を回折格子上に結像させる結像手段１０１を有する。 （もっと読む）

【課題】従来技術の電気光学結晶をプリズム型に加工した電気光学偏向器を利用した波長可変光源では、以下の問題があった。（１）印加電圧の変化を通じて変化させることのできる波長範囲が狭い。（２) 共振器モード番号を不変に保った、モードホップのない滑らかな波長変化動作が実現されていない。（３）大きな寸法の電気光学偏向器を用いるために、高速動作が困難であって光学的均一性の確保も難しい。
【解決手段】本発明の波長可変光源は、共振器内に利得媒質と回折格子とを有し、利得媒質と回折格子との間に電気光学偏向器を挿入し、回折格子の電気光学偏向器の挿入したのと異なる側に直入射端面鏡を配置する。回折格子への電気光学偏向器側からの光入射角θと、回折格子への直入射端面鏡側からの光入射角φとの間で、｜θ｜＞｜φ｜の関係を満たす。回折格子と電気光学偏向器との間に、２分の１波長板を挿入することもできる。さらに、凹面回折格子を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】雑音の誘発を抑制する半導体光装置を提供すること。
【解決手段】光を増幅する第１光素子２と、第１光素子２の一端面から入射する光から所定波長帯域の光を選択する第２光素子１３と、第２光素子１３と第１光素子２を光結合させる第１の光導波路２２と、第１光素子２の他端面から入射する光を反射する反射鏡３８と、反射鏡３８と第１光素子２を光結合させる光第２の導波路３７とを備える光共振器２，３８、１３と、光共振器２、３８、１３に光結合される光出力部２４ａとを有し、第２の光導波路３７が光ファイバを有することを特徴とする半導体光装置。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ光同士のコヒーレンスを低減させ、スペックルノイズを抑えた光源装置、画像表示装置及びモニタ装置を提供すること。
【解決手段】光を発する複数の発光素子１１ａ〜１１ｆと、該複数の発光素子１１ａ〜１１ｆから射出された光に対してそれぞれ選択が行われる複数の光選択領域Ａ〜Ｆを有し、複数の発光素子１１ａ〜１１ｆから射出された光を選択的に反射させる波長選択素子１２と、該波長選択素子１２の複数の光選択領域Ａ〜Ｆの状態を検出する状態検出手段２１と、該状態検出手段２１により検出された複数の光選択領域Ａ〜Ｆの状態に応じて、複数の光選択領域Ａ〜Ｆによって選択される光の波長が互いに異なるように、波長選択素子１２の光選択領域Ａ〜Ｆの状態を変化させる状態変化手段２２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ光同士のコヒーレンスを低減させ、スペックルノイズを抑えた光源装置、画像表示装置及びモニタ装置を提供すること。
【解決手段】光を発する複数の発光素子１１ａ〜１１ｆと、該複数の発光素子１１ａ〜１１ｆから射出された光に対してそれぞれ選択が行われる複数の光選択領域Ａ〜Ｆを有し、複数の発光素子１１ａ〜１１ｆから射出された光を選択的に反射させる波長選択素子１２と、該波長選択素子１２の複数の光選択領域Ａ〜Ｆの状態を検出する状態検出手段２１と、該状態検出手段２１により検出された複数の光選択領域Ａ〜Ｆの状態に応じて、複数の光選択領域Ａ〜Ｆによって選択される光の波長が互いに異なるように、波長選択素子１２の光選択領域Ａ〜Ｆの状態を変化させる状態変化手段２２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体光装置において温度が変化しても出力光の変動を抑制する。
【解決手段】半導体光装置１は、半導体光増幅器２と光波長選択素子３とを有し、光波長選択素子３は第１の光導波路２１と、第１の光導波路２１の結合導波路３２に光学的に結合されるリング共振器２２を有する。さらに、リング共振器２２と光学的に結合される結合導波路４１を含む第２の光導波路２３が設けられており、第２の光導波路２３には、波長選択反射鏡２４が形成されている。波長選択反射鏡２４は、垂直回折格子２５からなり、リング共振器２２で選択された共振モードのピークのうち、１つの共振モードのピークの波長を有する光を反射する。 （もっと読む）

【課題】キャリア寿命時間に制限を受けることなく、高速波長切り替え動作が可能な波長切り替え半導体光源を提供する。
【解決手段】出力する光の波長を切り替えることのできる波長切り替え半導体光源において、第１の位相制御光導波路電極１０２を備えた第１の位相制御光導波路１００と、第２の位相制御光導波路電極１０３を備えた第２の位相制御光導波路１０１と、第１の位相制御光導波路１００の一端側及び第２の位相制御光導波路１０１の一端側に結合された第１の光合分波器１０４Ａと、第１の位相制御光導波路１００の他端側及び第２の位相制御光導波路１０１の他端側に結合された第２の光合分波器１０４Ｂとを有して成る半導体マッハツェンダ型光スイッチ１２０を備え、この半導体マッハツェンダ型光スイッチ１２０によって、前記出力する光の波長の切り替えを行う構成とする。 （もっと読む）

【課題】寄生発振を抑え、高出力動作においても特性劣化の起こりにくい外部共振器レーザ、それに用いられるレーザチップ及びビームフィルタを提供する。
【解決手段】光乱散乱体薄膜を用いたビームフィルタとする。ピンホールが形成された光散乱体薄膜を用いたビームフィルタとする。光乱散乱体薄膜を用いたビームフィルタを備えたレーザチップとする。または、光乱散乱体薄膜を用いたビームフィルタを備えたレーザチップと、レーザチップからの光を回折させる回折格子と、回折格子からの光を反射するミラーと、を有する外部共振器レーザとする。 （もっと読む）