【課題】２次元フォトニック結晶と、これと同一周期の網目構造を有する放熱層との位置合わせをすることなく同時に形成することができ、放熱特性が良く、光学特性を損なうことを抑制することが可能となるフォトニック結晶面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】フォトニック結晶面発光レーザであって、基板１０１上の活性層１０４で発光した光を面内で共振させる、第１の半導体１０６ａ及び第１の半導体よりも低屈折率の低屈折率媒質１０６ｂとが２次元的に配置された２次元フォトニック結晶層１０６と、２次元フォトニック結晶層上の第２の半導体を有する層１０７と、第２の半導体を有する層上の放熱層１０８と、を有し、放熱層は、第２の半導体よりも熱伝導率の高い材料からなる放熱部１０８ａと、第３の半導体１０８ｂとで構成され、放熱部は第１の半導体の上部に形成される。 （もっと読む）

【課題】構造の簡素化が図られた多光周波数発生光源を提供する。
【解決手段】多光周波数発生光源は，光共振器と，前記光共振器内に配置され，発生する光周波数が互いに異なり，かつ光学的，電気的に結合されない複数の微少発光体を含む発光部材と，前記光共振器内に前記発光部材と共に配置され，複数または単一の光周波数を選択するための光学部材とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 量子光半導体装置に関し、近接積層型の量子ドットのエネルギーバンドギャップを小さくして長波長化に対応させるとともに、エネルギーバンドギャップのばらつきを小さくする。
【解決手段】 量子構造を、圧縮歪を受けた島状形状半導体結晶と、島状形状半導体結晶を被うように形成された第１の中間層と、第１の中間層上に設けた第２の中間層とを順次繰り返して積層した繰り返し積層構造とし、第１の中間層は、島状形状半導体結晶より大きなエネルギーバンドギャップを有するＡｌＡｓを含む第１の半導体層状結晶からなり、第２の中間層は、島状形状半導体結晶より大きなエネルギーバンドギャップを有するＡｌＡｓを含まない第２の半導体層状結晶よりなり、第１の中間層及び第２の中間層を介して整列した島状形状半導体結晶の間隔がキャリアのエネルギー的な結合が生じる間隔となるように、半導体基板の主面に垂直な方向に実質的に整列させる。 （もっと読む）

【課題】極性面と異なる半導体面への電極の接触に良好なコンタクト特性を提供できるIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子４１は、III族窒化物半導体からなる主面を有する基板５５と、基板５５の主面５５ａの上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域５１と、窒化ガリウム系半導体領域５１の主面５１ａに接触を成す電極５３ａとを備える。窒化ガリウム系半導体領域５１は不純物として酸素を含み、窒化ガリウム系半導体領域５１の酸素濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３より小さい。基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にしてゼロより大きい角度を成す。主面５１ａ、５５ａは半極性及び無極性のいずれか一方を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む化合物半導体とＩｎを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるＩｎの拡散／偏析による変成層を少なくする。
【解決手段】この発明に係るＬＤ４０は、ｎ−半導体基板１２と、このｎ−半導体基板１２上に配設され、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰまたはｎ−ＧａＩｎＰで形成された第１ｎ−クラッド層４２ａと、この第１ｎ−クラッド層４２ａの上に配設された、ｎ−ＡｌＧａＡｓの第２ｎ−クラッド層４２ｂと、この第２ｎ−クラッド層４２ｂと第１ｎ−クラッド層４２ａとの間に介在し、第１ｎ−クラッド層４２ａに対応してｎ−ＡｌＧａＡｓＰで形成され、ＩＩＩ属元素のＡｌ、Ｇａは第２ｎ−クラッド層４２ｂと同じ組成で、Ｖ属元素のＡｓとＰの組成はＰよりもＡｓを多くした挿入層４２ｃと、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記ＩＩＩは、周期表のＩＩＩ族に属する１つ以上の元素であり、上記（ＩＩ）は、任意の元素であって、周期表のＩＩ族に属する１つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 （もっと読む）

【課題】良好な発光特性を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層と、を備える。また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンス強度が高い井戸層を有する量子井戸構造、半導体レーザ、フォトルミネッセンス強度が高い化合物半導体層を製造する方法及び化合物半導体層のフォトルミネッセンス強度を用いてＭＢＥ装置の状態を管理する方法を提供する。
【解決手段】量子井戸構造は、ＩｎＧａＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓからなる井戸層を有し、井戸層の酸素濃度が５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性を大きく改善し、さらに良好な電子移動度を有するインジウム系化合物半導体薄膜を備えた半導体素子及びそれを備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子は、ガリウム砒素からなる基板１上に形成されるインジウム系化合物半導体薄膜を備えている。ガリウム砒素の表面が、ガリウム砒素（１００）面又はこのガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な面に対して（０−１−１）方向、又はガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な方向に、０．２度以上２．４度以下の角度で傾斜している。インジウム系化合物半導体薄膜は、ｐ型インジウム系化合物半導体薄膜３とｎ型インジウム系化合物半導体薄膜２との積層構造を有する。この半導体素子は各種の光デバイスに適用可能である。 （もっと読む）

【課題】 活性層の禁制帯幅の温度変化を小さくした発光装置を提供すること。
【解決手段】
温度が上昇すると禁制帯の幅が広くなる第１の材料で形成された量子ドットと、温度が上昇すると禁制帯の幅が狭くなる第２の材料で形成され、前記量子ドットを埋め込む障壁層とを有する活性層を具備すること。 （もっと読む）

本発明は、分子線エピタキシーによって半導体ヘテロ構造を製造するための方法に関するものであり、以下のステップを有する。それらは、基板を第１の真空チャンバに導入するステップと、基板を第１の温度に加熱するステップと、第１のエピタキシャル層を生成するステップであって、当該層は、III族およびV族典型元素の２元、３元または４元化合物を含む第１の材料を含み、少なくとも１つの分子線から堆積されるステップと、前記基板を第２の温度に冷却するステップであって、III族およびV族典型元素の分子線を遮るステップと、基板を第３の温度に加熱するステップと、第２のエピタキシャル層を生成するステップであって、当該層は、III族およびV族典型元素の２元、３元または４元化合物を含む第２の材料を含み、少なくとも１つの分子線から堆積されるステップとである。さらに、本発明は、ここで述べた方法によって得ることができる半導体素子に関する。
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【課題】電気伝導度の大きなｐ型クラッド層を備えたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】上部クラッド層１６内の超格子構造において交互に積層された上部クラッド層１６Ａ（ＭｇＳｅ層）および第２上部クラッド層１６Ｂ（ＢｅＺｎＴｅ層）の間に、中間層１６Ｃ，１６Ｄ（ＺｎＳｅ層またはＺｎＴｅ層）が配置されている。さらに、中間層１６Ｃ，１６Ｄ（ＺｎＳｅ層）のうち第２上部クラッド層１６Ｂ（ＢｅＺｎＴｅ層）との界面にＺｎ原子が配置されている。これにより、上部クラッド層１６を形成するに際して、特定的に反応性の高いＢｅとＳｅとが互いに接することがない。 （もっと読む）

【課題】閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】主面がａ面の基板１０を用い、この上に成長させる活性層１６を、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）の組成等の障壁層とＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１、ｘ＜ｙ）の組成等の井戸層を備えた量子井戸構造のものとし、当該活性層１６の結晶成長の主面の法線方向をｃ軸方向と４０°〜９０°の範囲内の角度を成すようにして、該活性層１６からの発光が、ｃ軸と平行な電界成分Ｅ（Ｅ//ｃ）が支配的となる偏光特性を有するようにした。また、活性層１６の井戸層と障壁層の組成を適正な範囲に設計することとして、井戸層の面内圧縮歪みを低減させ、活性層１６から発光する光の更なる効率的光導波を実現することとした。 （もっと読む）

【課題】不純物を直接ドーピングしても良好な結晶性を得ることができる量子ドットの形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓバッファ層の厚さが所定値に達すると、Ｉｎ及びＡｓの原料を供給し始める。この結果、ぬれ層が成長し始める。ぬれ層の成長開始から１２０秒程度経過すると、核生成が生じる（段階Ａ）。更に５秒間程度経過すると、核生成が停止し、各核を起点として量子ドットに原料が凝集し始める（段階Ｂ）。この段階においてＳｉの供給を開始し、量子ドットに不純物としてＳｉをドーピングする。更に３０秒間程度経過すると、量子ドットの凝集が停止し始める（段階Ｃ）。凝集が停止し始める時に不純物の供給を停止する。つまり、Ｓｉのドーピングを停止する。その後、不純物の供給を停止してから４５秒間経過した時にＩｎの供給を停止し、Ｇａの供給を再開することにより、キャップ層の形成を開始する。 （もっと読む）

【課題】量子ドットのサイズ制御を可能とし、かつ設計自由度の大きい、量子ドット作製装置及びその生産方法を提供すること。
【解決手段】基板３０が搭載される基板ホルダ４０と、基板３０で形成される複数の量子ドットのサイズを熱放射により制御する当該基板に近接した構造体１０と、構造体１０の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、構造体１０が搭載される構造体ホルダ２０と、を備える量子ドット作製装置。 （もっと読む）

【課題】性層の成長にＭＢＥ装置を用いるハイブリッド方式において、製品のスループットの向上が図られる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１の製造方法では、水素プラズマクリーニングと活性層１４の成長とを別々の真空装置で分離して実行することにより、クリーニング終了時の成長室３３内の水素残留濃度を考慮する必要が無くなり、成長室３３への基板搬送後に速やかに窒素プラズマ発生用のＲＦガン４４の窒素プラズマを点火して活性層１４の再成長を行うことが可能となる。したがって、この半導体レーザ素子の製造方法では、従来のように同一の真空装置内で水素プラズマクリーニングと活性層の成長とを連続して行う場合と比較して、製品のスループットの向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】基板および活性領域を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体デバイスの作製方法が提供される。
【解決手段】当該方法は、活性領域を、（ｉ）プラズマアシスト分子線エピタキシーと、（ｉｉ）上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において解離する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーと、の組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の良好な高In組成のInGaN活性層が得られ、長波長域（緑色）でのレーザ発振を可能にした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード１０はInGaNと格子整合するZnO単結晶基板１２と、ZnO単結晶基板１２上に形成されたInGaNからなりZnO単結晶基板１２と格子整合する格子整合系下部クラッド層１４と、下部クラッド層１４上に形成されたInGaNからなる活性層１５と、活性層１５上に形成されたInGaNからなり、活性層１５と格子整合する格子整合系上部クラッド層１６と、上部クラッド層１６上に形成されたｐ型コンタクト層１７と、を備える。InGaNからなる活性層１５を、4nm以上臨界膜厚以下の膜厚に厚膜化した。活性層１５は、複数対の井戸層と障壁層を有する多重量子井戸構造からなり、各井戸層の膜厚は4nm以上20nm以下である。 （もっと読む）

【課題】生成された結晶に含まれる酸素の濃度を低くすることができるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３と還元性ガスＨ_２２１ｂとを加熱状態で反応させて、ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３の還元物ガスＧａ_２Ｏを生成させる還元物ガス生成工程と、還元物ガスＧａ_２Ｏと窒素含有ガス２３ｃとを反応させて、ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４を生成する結晶生成工程とを有する。ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４は、ＧａＮ結晶である。 （もっと読む）

【課題】大口径で貫通転位の少ないＧａＮ系半導体基板、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮテンプレート基板１０は、ＺｎＯ単結晶基板１１と、この基板１１の裏面１１ａと側面１１ｂに形成された保護膜１２と、ＺｎＯ単結晶基板１１の表面１１ｃに形成された界面層１３と、界面層上に形成されたＺｎＯ単結晶基板１１と格子整合するＩｎＧａＮ層１４と、ＩｎＧａＮ層上に形成された数μｍ以上の厚いＧａＮ層１５と、を備える。転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。ＧａＮ層１５を成長する際に、ＺｎＯ単結晶基板１１がアンモニアによって破壊されるのを保護膜１２により抑制でき、ＩｎＧａＮ層やＧａＮ層へのＺｎ，Ｏの混入を抑制できる。 （もっと読む）