【課題】複数のレーザ素子から出射されるレーザ光を受光してその電流値をモニタする際に、複数のレーザ素子が実装されたサブマウントの表面状態によるモニタ電流値のバラツキを低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント５２の表面には、半導体レーザチップ５０が実装されている。サブマウント５２の実装面には、拡張共通電極３０ｂが形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０に設けられた共通電極３０と接続されて連続的に一体的に形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０の後方側に開口部３０ａを有する。また、半導体レーザチップ５０の後方側には、半導体レーザチップ５０の一端から放射される光を検出するための受光素子５５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】温度変化および発光素子の発光波長の変化に起因するフォトダイオードの受光感度の変動幅を小さくすることができるフォトダイオード内蔵サブマウントおよび発光素子モジュールを提供すること。
【解決手段】フォトダイオード領域３を有するサブマウント４において、フォトダイオード領域３におけるサブマウント４（Ｓｉ基板）からなるＰＤ−ｎ型半導体層３５と、ＰＤ−ｎ型半導体層３５の表面部にウェル状に形成されたＰＤ−ｐ型半導体層３６とを含むフォトダイオード６を形成し、そのフォトダイオード６の光電流が最大となるときのピーク受光波長を、半導体レーザダイオード５の発光波長の最小値以上、最大値以下にする。 （もっと読む）

【課題】光素子を外気の水分や外力等から保護し、長期信頼性を確保した光モジュールの提供を目的とする。
【解決手段】本体部１０と、封止部とを備えている。本体部１０は、光素子４Ａ、４Ｂと信号処理部５と第１ワイヤー１３ａと第２ワイヤー１３ｂとを備えている。封止部は、光素子４Ａ、４Ｂを封止した光素子封止部２１と、信号処理部５を封止した信号処理封止部２２と、第１ワイヤー１３ａ及び第２ワイヤー１３ｂを封止したワイヤー封止部２３ａ、２３ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で高精度に組み立てでき小型化できること。
【解決手段】実装基板１０１上には、光学素子としてＬＤ素子１０２と、波長変換素子１０３が実装される。光ファイバ１０５の端部は、サブ基板１０４のファイバ固定溝３０１に所定長さ固定される。このサブ基板１０４は、実装基板１０１に対し、光ファイバ１０５が支持された面が対向して実装され、波長変換素子１０３と光ファイバ１０５とが結合される。実装基板１０１にサブ基板１０４が実装されることにより、波長変換素子１０３の出射端と光ファイバ１０５の入射端との結合箇所は、実装基板１０１の端部から所定距離内部の位置に設けられる。 （もっと読む）

【課題】データ処理装置などの機器間又は機器内において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、安価な作製手段で伝送速度高速化、小型・集積化、および部品実装性に優れるＳｉ集積の光モジュールおよび光電気混載ボードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ同一基板１００上に、レーザ光源素子１０１と、Ｓｉ基板１００に直接設けられたＳｉ導波路１０２とを具備し、Ｓｉ導波路１０２が基板水平方向に形成され、Ｓｉ導波路光出射端からの光軸延長線上に、基板平行に対して傾斜角を有する第１のテーパ面１０６と、それと対向する位置に基板平行に対して傾斜角を有する第２のテーパ面１０７がそれぞれ表面に露呈した光路変換部１０６を設け、基板外部との間でやりとりされる光信号が、光路変換部１０４およびＳｉ基板１００内部を介して基板垂直方向に光学的に接続される光モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】 放熱性がよく、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことのない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置１は、少なくとも１つ以上のレーザ発光部１２を含む半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０と、サブマウント２０が搭載される搭載面３１ａを有するパッケージ３０とを含み、サブマウント２０の厚み方向Ｚ２の一方の表面部は、半導体レーザ素子１０が実装される平坦な実装面２１ａを有し、他方の表面部である接合側表面部２１ｂは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分２５ａと、平坦部分２５ａに囲繞される部分であって、平坦部分２５ａの表面よりも窪んだ凹部２６を有する凹凸部分２５ｂとから成り、接合側表面部２１ｂを介して、サブマウント２０がパッケージ３０に接合される。 （もっと読む）

【課題】光電気複合ケーブルの接合が可能であり、小型化が可能な光モジュールを提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１の第１主面１１Ａ側に備えられた光素子２１と、基板１１に設けられる基板１１の第２主面１１Ｂ側から光芯線２３を挿入するための貫通孔１２とを備える光モジュール１０を構成する。光モジュール１０は、第２主面１１Ｂ側から電気芯線２４を接続するための第１電極１８と、第１主面１１Ａ側に形成される光素子２１と接続する第２電極１４と、基板１１の側面１１Ｃに設けられる第２電極１４と電気的に接続する第３電極１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加、歩留りや信頼性の低下が生じ難い構成、構造を有し、斜め導波路を有するサブマウントを提供する。
【解決手段】本発明のサブマウント１００は、光入出射端面の法線に対して軸線がθ_WG（度）傾き、屈折率ｎ_LEを有する半導体材料から成る導波路１１を備えた半導体発光素子１０を固定するものであり、半導体発光素子を取り付ける第１面１０１には、半導体発光素子を固定するための融着材料層１０３が設けられており、半導体発光素子の光入出射端面の外側近傍の光通過媒質の屈折率をｎ₀としたとき、角度θ_SM＝ｓｉｎ^-1［ｎ_LE・ｓｉｎ（θ_WG）／ｎ₀］を識別できるアライメントマーク１０７が、融着材料層１０３に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションダウン方式を採用した場合にも、融着時に電流通路部に加えられる熱に起因する半導体レーザ素子の動作電圧の上昇を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、放熱基台部１と、放熱基台部１に半田層１２を介して接合され、活性層２２およびリッジ部２３ａを含む青紫色半導体レーザ素子２とを備え、半田層１２は、リッジ部２３ａに対応しない領域Ｂに配置されているとともに、青紫色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２６の下面２６ａは、リッジ部２３ａに対応しない領域Ｂに配置された半田層１２ａおよび１２ｂを介して、放熱基台部１に接合されている。 （もっと読む）

【課題】気密封止されたオプトエレクトロニクスデバイスパッケージを提供する。
【解決手段】パッケージは、ベース基体であって、前記ベース基体の表面上のオプトエレクトロニクスデバイス１２の取り付け領域１０と、蓋２００の取り付け領域とを含むベース基体を含む。ベース基体と蓋との間に密閉容積が形成され、オプトエレクトロニクスデバイスは密閉容積内にある。前記蓋は、前記オプトエレクトロニクスデバイスを出入りする光路に沿って所与の波長の光を伝送するのに好適な光伝送領域を有し、前記蓋取り付け領域の少なくとも一部は、前記ベース基体の表面より下で前記光路より下の深さで光路に沿って配置される。 （もっと読む）

【課題】光発生装置を構成する半導体レーザ、光学部品及び光導波路を基板上に搭載固定するに際して、各半導体レーザ、光学部品及び光導波路相互間の位置合わせを精度良く行うことが可能な光発生装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板２上にて半導体レーザ４が搭載固定される半導体レーザ搭載領域８の基準面６からの高さが大きくなるとともに、光学部品３が搭載固定される光学部品搭載領域７及び放熱部材１３を介して光導波路５が搭載固定される光導波路搭載領域９の基準面６からの高さが小さくなるように、シリコン基板２に選択的エッチングが行われてシリコン基板２に各搭載領域７、８、９による凹凸形状が形成され、これに基づき半導体レーザ４、光学部品３、光導波路５の相互間における高さ方向の位置合わせが行われるように光発生装置１を構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子を狭ピッチで精度よく積層できる発光装置を提供する。
【解決手段】底部１０と、底部１０の両端にそれぞれ立設する側壁部１２ａ，１２ｂと、底部１０の奥端に立設する後壁部１４とを備えて内側にキャビティＣが設けられ、絶縁層２０で被覆されたシリコン立体部材から形成されたパッケージ部品５と、パッケージ部品５の後壁部１４の内側面に実装され、上側端部に光出射面Ａを備えた発光素子５０とを含む発光素子実装部品６が、同一方向を向いてキャビティＣの奥行き方向に積層されている。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体レーザ素子が搭載される場合に小型化を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この３波長半導体レーザ装置１００（半導体レーザ装置）は、放熱基台４０と、放熱基台４０の上面４０ａ上にＢ２方向に沿って配置されるパッド電極４１、４２および４３と、パッド電極４１、４２および４３の各々の上面に接合されるとともに、Ｂ２方向と交差するＡ１方向にレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０と、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０に対して後方側（Ａ２側）に受光面６０ａが配置されるＰＤ６０とを備える。そして、パッド電極４２は、ＰＤ６０の受光面６０ａ上に配置される引き出し用配線部分４２ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】光デバイスの製造工程を簡略化し、且つ光導波路と光素子との位置決めを高精度で行えるようにする。
【解決手段】 基板１１上に光導波性材料からなる第１の層を形成し、その第１の層上に金属材料からなる第２の層を形成する。その第２の層を、光導波路１２に応じた形状の第１の金属パターンと、位置決めマーク１４ａ，１４ｂに応じた形状の第２の金属パターンと、接合部１３に応じた形状の第３の金属パターンとに加工し、その加工された第２の層をマスクとして、第１の層を光導波路１２および位置決めマーク１４ａ，１４ｂと接合部１３に応じた形状にエッチング加工し、その後、第１の金属パターンを除去して第１層による光導波路１２を完成し、第２、第３の金属パターンによる位置決めマーク１４ａ，１４ｂと接合部１３とを用いて、光素子２を基板１に搭載する。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードと高調波変換素子との光結合を高精度に行い、かつ製造コストを削減すること。
【解決手段】第１上面１２と、第２上面１４と、有限系である１つのレンズ４０の上部および側部を覆い下部を覆わないように形成された囲い部１６と、を備えたベース１０を配置する工程と、レーザ光を出射するレーザダイオード２０を前記第１上面上に固定し、前記レーザ光を前記レーザ光の高調波に変換する高調波変換素子３０を前記第２上面上に固定する工程と、前記レーザダイオードと前記高調波変換素子とを固定する工程の後、前記レンズの下部から前記レンズを保持し前記レーザダイオードと前記高調波変換素子とが光結合するように、前記レンズの位置を調整する工程と、前記レンズの位置を調整する工程の後、前記レンズを前記囲い部に固定する工程と、を含むレーザモジュールの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光導波路構造の全反射信号の伝送技術を利用し、より簡単な半導体製造工程により送信端モジュールまたは受信端モジュールを製造することができる。
【解決手段】本発明は、電気信号または光信号に対する変換および伝送に応用する、光導波路構造を有する信号伝送モジュールであって、半導体基板と、第１膜層と、電気信号伝送デバイスと、光電気信号変換デバイスと、第２膜層と、光導波路構造と、を含む信号伝送モジュールである。その中、光電気信号変換デバイスは、電気信号または光信号を対応光信号または対応電気信号に変換する。光導波路構造のリフレクタの位置は、光電気信号変換デバイスに対応する。また、対応光信号は、第１膜層と、半導体基板と、第２膜層とを通り抜け、光導波路構造に入って伝送され、または光信号は逆方向で伝送されて光電気信号変換デバイスにより受信され対応電気信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の発振波長を変化させる波長変換素子を備えた光デバイスにおいて、波長変換素子の温度調整を簡単な構造で効率よく高精度に実現する光デバイスを提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に光素子としての波長変換素子２０が搭載された光デバイス１において、シリコン基板１０上に形成されたヒータ４０ａ、４０ｂと、Ａｕからなり、シリコン基板１０と波長変換素子２０とを接合するとともに、ヒータ４０ａ、４０ｂで発生した熱を波長変換素子２０に伝えるマイクロバンプ３０ａ、３０ｂと、を備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】 光吸収特性が異なる２種類の光定着トナーに対応できるレーザ定着装置、該レーザ定着装置を備える画像形成装置、および該画像形成装置を用いる画像形成方法を提供する。
【解決手段】 レーザ定着装置１００に、レーザ光を発射するレーザ光発射部１１０と、前記レーザ光が入射すると該レーザ光とは波長が異なる出射光が出射する波長変換部１３０とを設ける。 （もっと読む）

【課題】安価で大量生産可能な小型・薄型化されたレーザー光源を提供する。
【解決手段】赤のＬＤ素子１Ｒと青のＬＤ素子１Ｂ及び赤外のＬＤ素子１ＩＲは、互いに近接して支持基板３の同一面上に実装されている。さらに赤外のＬＤ素子１ＩＲの出射軸上には、波長変換するための波長変換素子２も前記支持基板３の同一面上に配設されている。赤外のＬＤ素子１ＩＲから出射された赤外光は、波長変換素子にて１，０６４ｎｍの赤外波長を５３２ｎｍの波長に変換され、緑に変換されるものである。このような構成によれば、安価で大量生産可能な、小型・薄型化されたレーザー光源を提供することができる。また、赤外光を緑色に変換する波長変換素子と組み合わせる構成なので、高効率で低消電の白色光が得られる。 （もっと読む）