【課題】 レーザ素子の端面への導電部材の這い上がりが抑制され、且つ、放熱性に優れたレーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０と、該基板１０上に設けられた導電部材１１と、該導電部材１１上に設けられた光導波路領域２０ａを有するレーザ素子２０と、を備えるレーザ装置１００である。導電部材１１は、導電部材１１の端部に設けられ、且つ、レーザ素子２０よりも幅が狭い幅狭部１１ａと、幅狭部１１ａよりも幅が広い幅広部１１ｂと、を有し、幅狭部１１ａ及び幅広部１１ｂは、光導波路領域２０ａの直下に設けられている。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ１１はサブマウント７とヒートシンク９との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ１１はｐアップ形態でサブマウント７上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体１３を介してサブマウント７に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極１５及びパッド電極４５を介して低い温度のヒートシンク９に伝わり、この熱は、オーミック電極１５から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク９の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ１１の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ１１の温度はヒートシンク９の温度より低いので、ヒートシンク９の熱はIII族窒化物半導体レーザ１１に伝搬する。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ素子から出射されるレーザ光を受光してその電流値をモニタする際に、複数のレーザ素子が実装されたサブマウントの表面状態によるモニタ電流値のバラツキを低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント５２の表面には、半導体レーザチップ５０が実装されている。サブマウント５２の実装面には、拡張共通電極３０ｂが形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０に設けられた共通電極３０と接続されて連続的に一体的に形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０の後方側に開口部３０ａを有する。また、半導体レーザチップ５０の後方側には、半導体レーザチップ５０の一端から放射される光を検出するための受光素子５５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる２波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長レーザの２つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、２波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。
【解決手段】 複数のブロック上にそれぞれレーザダイオードを載置し、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となるようにステム上にブロックを配置して多波長半導体レーザ装置を構成する。複数のレーザダイオードの発光点間の光学設計を容易にし、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】温度変化による補正を容易に行うことができるファイバレーザ発振器を提供する。
【解決手段】発熱部品である励起用レーザダイオード１１ａを当接配置するベース部３１ａと該ベース部３１ａから延設されて筐体１７外部に取り出される放熱部３１ｂとを備えて筐体１７よりも熱伝導率の高い材質からなる熱交換部３１と、熱交換部３１に取り付けられる温度センサと、温度センサからの温度情報に基づいて励起用レーザダイオード１１ａの駆動電流を補正する温度出力補正部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 良好な冷却とＲＦ特性を得る光通信モジュールを提供する。
【解決手段】 光通信モジュール１００は、半導体レーザ１２とＳＯＡ１４とが集積化されたＬＤチップ１１と、上面にＬＤチップ１１を搭載するＴＥＣ６０と、ＬＤチップ１１に変調信号を入力するための入力端子７２と、ＬＤチップ１１およびＴＥＣ６０を収容し、光出力側の側壁７７と対向する側壁７１に入力端子７２が設けられたパッケージ７０と、を備え、ＴＥＣ６０は、光出力方向（Ｙ軸方向）に沿った長さが、それに直交する方向（Ｘ軸方向）の長さに比べて大きく、ＬＤチップ１１は、ＴＥＣ６０のＹ軸方向の長さの中心よりも入力端子７２側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層とｐ型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備え、ｐ型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。透明電極５は、酸化インジウム系の材料からなる第１導電性膜２１と、第１導電性膜２１上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第２導電性膜２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＶＣＳＥＬが接合された基板とレーザホルダとに連結され、弾性変形することによって基板上のＶＣＳＥＬをレーザホルダに設けられた当接部に当接させる光源装置において、連結部材の弾性変形状態の変動によって、基板２０４が変形し、その変形によってＶＣＳＥＬとの電気的接続が切断される。
【解決手段】 連結部材３０１をレーザホルダ２０１側に押圧する板ばね３０２が設けられる。 （もっと読む）

【課題】緑色レーザダイオードの寿命を延ばすことができるレーザダイオード組立体を提供する。
【解決手段】レーザダイオード組立体１Ａは、レーザダイオード１０と、実装面５１ａ上に設けられた金属膜５２を有するマウント部材５０とを備える。レーザダイオード１０は、III族窒化物半導体の半極性面を含む主面１２ａを有する半導体基板１２と、III族窒化物半導体から成り５００ｎｍ以上の波長の光を発光する活性層３４を含む半導体積層構造１４と、半導体積層構造１４上に設けられたアノード電極１６と、半導体基板１２の裏面上に設けられたカソード電極１８とを有する。レーザダイオード１０のカソード電極１８は、導電性接着剤５３を介して金属膜５２に接合されている。半導体基板１２の裏面１２ｂの面積Ａを光共振器の長さＬで除した値（Ａ／Ｌ）は、２００μｍ以上５００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】電気−光変換効率を十分に高めることができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ装置１は、ヒートシンク２の一方面２ｃ側にサブマウント４を介してレーザダイオード３を接合してなる半導体レーザ装置であって、ヒートシンク２の一方面２ｃとサブマウント４の他方面４ｄとは、ヒートシンク２とサブマウント４との間に位置するハンダ接合部９によって互いに接合され、ハンダ接合部９の端部には、ハンダ接合部９よりも隆起し、ヒートシンク２の一方面２ｃとサブマウント４の側面４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈとを接合するハンダ接合部１０が設けられている。このハンダ接合部１０により、ヒートシンク２とサブマウント４との間の接合面積が大きくなるため、ヒートシンク２とサブマウント４との間の電気抵抗が低減され、電気−光変換効率を十分に高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 放熱性がよく、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことのない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置１は、少なくとも１つ以上のレーザ発光部１２を含む半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０と、サブマウント２０が搭載される搭載面３１ａを有するパッケージ３０とを含み、サブマウント２０の厚み方向Ｚ２の一方の表面部は、半導体レーザ素子１０が実装される平坦な実装面２１ａを有し、他方の表面部である接合側表面部２１ｂは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分２５ａと、平坦部分２５ａに囲繞される部分であって、平坦部分２５ａの表面よりも窪んだ凹部２６を有する凹凸部分２５ｂとから成り、接合側表面部２１ｂを介して、サブマウント２０がパッケージ３０に接合される。 （もっと読む）

【課題】ＬＤチップにかかる応力を低減すること、及び、ＬＤチップの放熱特性を十分に確保すること。
【解決手段】ＬＤモジュール１０は、ＰＬＣ基板２０と、ＬＤチップ３０と、はんだバンプ４０とを備えている。ＰＬＣ基板２０は、ＰＬＣ電極２１を有する。ＬＤチップ３０は、ＬＤ電極３１と、ＬＤ電極３１に近接する内部に形成されたストライプ状の活性層３２とを有する。はんだバンプ４０は、ＰＬＣ電極２１とＬＤ電極３１とを接合するとともに、活性層３２の直下にのみ配置されている。 （もっと読む）

【課題】高出力レーザの排熱を効率的に放散する半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】複数の発光素子と、発光素子の共振器方向に直交し、互いに対向する発光素子に電力を供給するための第１接続面と第２接続面を有する半導体レーザバー１０と、第１接続面と電気的および熱的に接合された第１電極側接続面を有し、第１電極を兼ねる、半導体レーザバーに近接した位置に微小流路を有する第１水冷ヒートシンク１１ａと、第２接続面と電気的および熱的に接続された第２電極接続面を有し、ヒートスプレッダを兼ねる第１導電性支持部材と、第２電極接続面に対向する面で導電性支持部材と電気的および熱的に接続された屈曲性を有する金属箔１２と、水冷ヒートシンクと金属箔間に接合された絶縁板と、金属箔と接合された第２電極を兼ねる微小流路を有する第２水冷ヒートシンク１１ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をＯｐｅｎ−Ａｉｒパッケージで動作させた場合においても、電圧上昇を引き起こすことなく、安定に長時間動作することができる窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板であるｎ型ＧａＮ基板１０１と、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に形成されたｐ型窒化物半導体層を含む窒化物半導体層とを備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８の下のｐ型ＡｌＧａＩｎＮクラッド層１０７と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層１０６からなるｐ型窒化物半導体層に形成された電流注入領域の上方に、窒化シリコン膜から構成される保護膜１１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子間の光結合効率の向上と、光半導体素子で生じた熱の放熱性の向上を図る。
【解決手段】光半導体装置１は、第１光半導体素子１０及び第２光半導体素子２０を備える。第１光半導体素子１０は、半導体基板１１上に絶縁層１２を介して設けられた第１光導波路層１５、及び半導体基板１１が露出する凹部１６を含む。第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 （もっと読む）

【課題】発光素子ユニットを分割することにより、冷却のためのスペースを拡大し冷却を容易化した照明装置及びこれを用いた投写型映像表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る照明装置１は、光源４としてレーザダイオード１２がアレイ状に配設された発光素子ユニット１３を対向して配置し、各発光素子ユニット１３から射出された光を反射ミラー１４により例えば９０度偏向させ、各発光素子ユニット１３からの光を同一目的方向に向かわせるようにして合成したものである。また、本発明に係る投写型映像表示装置は、このような照明装置１を用いたものである。このように発光素子ユニット１３を対向して配置することによりレーザダイオード１２の冷却を容易化している。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の一面に均一に電子線を照射することができ、しかも、電子線の加速電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られ、しかも、半導体発光素子を効率よく冷却することができる電子線励起型光源を提供する。
【解決手段】電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、前記電子線源は、面状の電子線放出部を有し、前記半導体発光素子の周辺に配置されており、前記半導体発光素子における前記電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の一面に高い効率で電子線を照射することができ、電子線源に印加される電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られ、しかも、半導体発光素子を効率よく冷却することができる電子線励起型光源を提供する。
【解決手段】電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、前記電子線源は、面状の電子線放出部を有し、当該電子線放出部から放射される電子の放射量が２５ｍＡ／ｃｍ² 以下であり、前記半導体発光素子における前記電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装基板、キャビティおよびヒートシンクを含むパッケージ、ならびにそれらをパッケージングする方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子用の実装基板は、第１および第２の対向する金属面１００ａ、１００ｂを有する固体金属ブロック１００を含む。第１の金属面１００ａは、１つのキャビティ１１０を有し、このキャビティは、少なくとも１つの半導体発光素子を中に実装するように、またキャビティ１１０から離れる方向に中に実装されている少なくとも１つの半導体発光素子により放出される光を反射するように構成される。第２の金属面１００ｂは、中に複数のヒートシンクフィン１９０を備える。１つまたは複数の半導体発光素子は、キャビティ１１０内に実装される。反射被覆、配線、絶縁層も、パッケージ内に形成することができる。 （もっと読む）