【課題】 鉛を含まないガラスで、ソーダライムガラス上に緻密な焼成膜を得ることができ、銀電極との変色もなく、かつ低い比誘電率を実現できる誘電体組成物と誘電体および誘電体ペーストの提供。
【解決手段】 鉛とアルカリを含まないでビスマスを含むガラス粉末および鉛とビスマスを含まないガラス粉末を混合してなるガラス粉末と、石英、アルミナ、ジルコニア、ジルコン、フォルステライト、酸化チタン、耐熱黒色顔料のうち少なくとも１種類以上の無機酸化物粉末を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分と、Ｍｇの酸化物を含む第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、ＧｅおよびＢから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第５副成分と、を所定量含有し、前記誘電体粒子の粒径をＤとした場合に、粒子表面からの深さが前記粒径Ｄの５％である深さＴ_５における前記第５副成分の含有割合が、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、ＧｅまたはＢ換算で、０．１原子％より多く、１．３原子％未満である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗の加速寿命、容量温度特性に優れ、定格電圧の高い中高圧用途に用いる事ができる誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分と、Ｍｇの酸化物を含む第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種）を含む第３副成分、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第４副成分、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｂから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第５副成分を所定量含有し前記主成分を構成する原料として、Ｄ１０径が０．２５〜０．７０μｍ、Ｄ５０径が０．３５〜１．０μｍ、Ｄ１０径とＤ５０径との比（Ｄ１０／Ｄ５０）が０．６５〜０．９０である原料粉末を用いて製造される誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分と、Ｍｇの酸化物を含む第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、等から選択される）を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、等から選択される元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ｌｉ、等から選択される元素の酸化物を含む第５副成分と、Ｖ、ＮｂおよびＴａから選択される元素の酸化物を含む第６副成分と、を有し、前記主成分１００モルに対する、比率が、第１副成分：９〜１３モル、第２副成分：２．７〜５．７モル、第３副成分：４．５〜５．５モル、第４副成分：０．５〜１．５モル、第５副成分：３．０〜３．９モル、第６副成分：０．０３〜０．３モルである誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗の加速寿命に優れ、中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】チタン酸Ｂａを含む主成分、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分、Ｍｇ酸化物を含む第２副成分、Ｒ酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種）を含む第３副成分、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第４副成分、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｇｅ、Ｂから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第５副成分、Ａｌ酸化物を含む第６副成分、を有し、前記主成分１００モルに対する各副成分比率が、第１副成分９〜１３モル、第２副成分２．７〜５．７モル、第３副成分４．５〜５．５モル、第４副成分０．５〜１．５モル、第５副成分３．０〜３．９モル、第６副成分０．５〜１．５モルである誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗の加速寿命に優れ、中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式（ＢａＯ）_ｍ ・ＴｉＯ_２ 複合酸化物を含む主成分、組成式（ＢａＯ）_ａ ・（Ｚｒ_ｘ Ｈｆ_１−ｘ ）Ｏ_２ 複合酸化物（ただし、０．９５≦ｘ≦１．００）を含む第１副成分、Ｍｇ酸化物を含む第２副成分、Ｒ酸化物を含む第３副成分、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第４副成分、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｂから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第５副成分を所定量含有し、前記ｍの値０．９８０≦ｍ≦１．０００、前記ａの値０．９９０≦ａ≦１．０１０、前記（ＢａＯ）_ｍ ・ＴｉＯ_２ および前記（ＢａＯ）_ａ ・（Ｚｒ_ｘ Ｈｆ_１−ｘ ）Ｏ_２ のＢａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの各元素量を合計した場合におけるＢａ／（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ）比であるｂの値が０．９８０≦ｂ≦１．０００である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】効率よくプラズマディスプレイパネルを製造することができる低融点ガラス分散ペースト、及び、該低融点ガラス分散ペーストを用いてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】水酸基価が４０ｍｏｌ％以上のポリビニルアセタール樹脂と、ガラス粉末と、誘電率が２５以上、比重が０．９５以上１．３５未満、かつ、沸点が１５０℃以上３００℃未満の溶剤とを含有する低融点ガラス分散ペースト。 （もっと読む）

【課題】燃焼合成により低コストで得られ、粒子径分布を広くすることができ、高充填化することができる優れた誘電特性を有する高誘電性セラミックスを配合した高誘電性エラストマー組成物およびその製造方法、並びにこの材料を用いた高周波用電子部品を提供する。
【解決手段】エラストマーに、少なくともＳｒ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｏ、Ｎｄを構成元素として含む高誘電性セラミックスを配合してなる高誘電性エラストマー組成物であり、上記高誘電性セラミックスが、モル組成比で ＳｒＯ：16 、Ｌｉ₂Ｏ：ｘ 、Ｎｄ₂Ｏ₃：ｙ 、Ｒｅ₂Ｏ₃：（12−ｙ）、ＴｉＯ₂：63 （ＲｅはＮｄ以外の希土類元素、8 ≦ｘ≦ 14、 10 ≦ｙ≦ 12 ）であって、比表面積が 0.01〜2 m²/g のＴｉ粉末と、イオン結合性物質と、ＳｒＣＯ₃ と、Ｌｉ₂ＣＯ₃ と、Ｎｄ₂Ｏ₃ とを少なくとも含む反応原料を用いて、断熱火炎温度が 1500℃以上である燃焼合成法により得られる。 （もっと読む）

低誘電率及び低誘電正接を有するグラスファイバーは、ガラス組成として本質的にＳｉＯ_２５２〜６０重量％、Ａｌ_２Ｏ_３１１〜１６重量％、Ｂ_２Ｏ_３２０〜３０重量％、及びＣａＯ４〜８重量％からなり、かつ実質的にＭｇＯは存在せず、実質的にＬｉ_２Ｏは存在せず、実質的にＮａ_２Ｏは存在せず、実質的にＫ_２Ｏは存在せず、実質的にＴｉＯ_２は存在しない。このグラスファイバーは２重量％までのＦ_２も含有することができる。このグラスファイバーはプリント配線板用の補強材としての使用のために理想的であり、約１８ＧＨｚ以上の周波数において優れた誘電性を有する。 （もっと読む）

【課題】多層セラミック基板を製造するにあたり、無収縮プロセスを用いて焼成するのに適した誘電体セラミック原料組成物を提供する。
【解決手段】１００重量部の（Ｃａ_１−ｘＳｒ_ｘ）ＷＯ_４系セラミック（０≦ｘ≦１．０）と、ＬｉをＬｉ_２Ｏ換算で３〜１０重量％、ＭｇをＭｇＯ換算で３１〜４９重量％、ＺｎをＺｎＯ換算で６〜１０重量％、ＢをＢ_２Ｏ_３換算で１７〜２９重量％、およびＳｉをＳｉＯ_２換算で１８〜３４重量％含有する、２５〜７０重量部のホウケイ酸ガラスとを含み、ＣａＷＯ_４結晶相、ＳｒＷＯ_４結晶相および（Ｃａ，Ｓｒ）ＷＯ_４結晶相の少なくとも１種ならびにＬｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相が析出している、誘電体セラミック原料組成物。この誘電体セラミック原料組成物は、無収縮プロセスによって焼成される複合積層構造物２１において、基板用セラミックグリーンシート２５の材料として好適に用いられる。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成化が可能であり、比誘電率εｒやＱ×ｆ値等の誘電特性に優れ、しかも誘電率の温度安定性に優れた誘電体磁器組成物の製造を可能とする。
【解決手段】 一般式ＣａＯ−Ｍ^ＩＯ_１／２−Ｍ^IIIＯ_３／２−ＴｉＯ_２［ただし、Ｍ^Ｉは酸化数（原子価）が＋１となる元素を表し、Ｍ^IIIは酸化数（原子価）が＋３となる元素を表す。］で表される組成物を８５０℃以上の温度で仮焼した後、副成分を混合し、前記仮焼の温度よりも低い温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体フィルタや共振器に用いられる誘電体磁器組成物は、誘電率が高く、Ｑ値が高いことが望まれる。
【解決手段】 一般式ｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表され、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、６９．３≦ｘ≦８４．０、１４．１≦ｙ≦３０．０、０．８≦ｚ≦６．１の範囲にある組成物１００重量部に対して、Ｌｉ系ガラスが２５重量部〜３５重量部添加される。
【効果】 ｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表され、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、６９．３≦ｘ≦８４．０、１４．１≦ｙ≦３０．０、０．８≦ｚ≦６．１の範囲にある組成物１００重量部に対して、Ｌｉ系ガラスを２５重量部〜３５重量部添加するので、誘電率とＱ値を向上できると共に、焼結温度を導体パターンを構成する金属の融点よりも低くできる。 （もっと読む）

【課題】９００℃以下で焼成可能であり、１６ＧＨｚ以上の高周波領域において低い比誘電率と、低い誘電損失を有する低温焼成磁器組成物及び低温焼成磁器の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯとＭｎＯとＳｉＯ₂の含有比が（２−ｘ）：ｘ：ｙで表され、ｘは0.03〜1.0、ｙは1.2〜１０であるＭｇＯとＭｎＯとＳｉＯ₂の混合物及び／または複合酸化物６３〜98.7質量％と、Ｂi₂Ｏ₃1.0〜３５質量％及びＬｉ₂Ｏ0.3〜2.0質量％とを含む原料粉を仮焼(７５０℃〜８５０℃)後粉砕して粉末とし、これにバインダー等を加え所定形状に成形後、８５０℃〜９００℃で焼成し、ＭｇとＭｎとＳｉを含む結晶相、Ｂｉ₂Ｏ_3-ＳｉＯ₂系結晶相及びＬｉ₂Ｏ-ＳｉＯ₂系結晶相とを含むミリ波領域（１６ＧＨｚ）での誘電率（εｒ）が９以下、Ｑｆ値が10,000以上の誘電体磁器を得る。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成可能で、比誘電率εｒ等の誘電特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 下記組成式（１）で表される酸化物誘電体を主組成成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも１種を含有する誘電体磁器組成物である。
ａＣａＯ−ｂＬｉＯ_１／２−ｃＢｉＯ_３／２−ｄＲＥＯ_３／２−ｅＴｉＯ_２・・・（１）
ただし、式中、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂ，Ｄｙ，Ｙから選択される少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは各成分の比率（モル％）を表し、
１０≦ａ≦２５
１０≦ｂ≦２０
８≦ｃ≦１５
２≦ｄ≦１０
５０≦ｅ≦６０
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
なる関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高く、さらに電気的絶縁信頼性が高い、ガラスセラミック組成物を提供する。
【解決手段】セラミック多層モジュール１に備える多層セラミック基板２において積層されるガラスセラミック層３のためのガラスセラミック組成物。フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ およびＴｉＯ₂ より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、Ｌｉ₂ Ｏ、ＭｇＯ、Ｂ₂ Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｎＯおよびＡｌ₂ Ｏ₃ を含むホウケイ酸ガラス粉末とを含む。ホウケイ酸ガラス粉末は、３重量％以上を占めており、ＣａＯ、ＢａＯおよびＳｒＯからなる群より選ばれる少なくとも１種の添加成分をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】１５以上の高い比誘電率と、０．３％以下の低い誘電損失とを有し、また、ガラス移転点（Ｔｇ）も低くて、高周波回路素子、ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料の形成に好適に適用できるガラスを提供すること。
【解決手段】酸化物基準の質量％で、Ｂｉ_２Ｏ_３を２０〜９０％含有するガラスであって、１ＭＨｚでの比誘電率が１５以上で、誘電損失が０．３％以下である。また、好ましくは、ガラス転移点（Ｔｇ）が５００℃以下である。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化しても、比誘電率と容量温度特性とを両立できる誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】組成式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦０．２）で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む主成分と、Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第４副成分とを含有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、主成分の原料と、誘電体磁器組成物に含有されることとなる第４副成分の原料の一部と、を予め反応させ、反応済み原料を得る工程と、反応済み原料に、誘電体磁器組成物に含有されることとなる残りの第４副成分の原料を添加する工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の温度で焼結が可能である、チタン酸バリウム系の誘電体磁器組成物を提供することである。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウム系誘電体100重量部、および副成分としてCuO、ZnOおよびMgOからなる群より選ばれた少なくとも1種とBi₂O₃とを合計で4〜10重量部含む組成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率と、高いＱ値、ゼロに近いＴＣＦ特性を有し、かつＡｇやＣｕと同時焼成可能な高周波用誘電体材料の提供。
【解決手段】ＣａＯ：１モル、Ｎｂ_２Ｏ_５：（１−α×β）／３モル、ＺｎＯ：（１−α）／３モル、ＴｉＯ_２：γモル、Ｌｉ_２Ｏ：α×（１−β）／６モル（但し、０．６５≦α≦０．７５、０．０９≦β≦０．１５、０．０６６≦α×β≦０．１００、０．１５≦γ≦０．３５）の割合からなる主構成材料と、前記主構成材料１００重量部に対し、さらにＣｕ、Ｂ、Ｌｉ、Ｂｉ、Ｖの酸化物およびそれらの混合物からなる群より選ばれてなる焼結助剤１〜５重量部、とを含んでなることを特徴とする、高周波用誘電体材料。 （もっと読む）

【課題】 低温焼結が可能で、メッキ液等の薬品による浸食がなく、さらには高周波領域において低誘電損失となる安価なセラミック配線基板が得られる低温焼成磁器組成物を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２＿５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ＿１２〜２２質量％、ＣａＯ＿２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対して、副成分としてホウ素をＢ_２Ｏ_３換算で１．０〜５．０質量部、ビスマスをＢｉ_２Ｏ_３換算で１．０〜２０質量部、アルミナをＡｌ_２Ｏ_３換算で０．１〜３質量部、及びリチウムをＬｉ_２Ｏ換算で０．１〜１．５重量部を有し、前記主成分は焼結後にディオプサイド結晶相（ＣａＭｇＳｉ_２Ｏ_６）を形成することを特徴とする （もっと読む）