【課題】１１００℃以下の低温焼結用焼結助剤に好適なガラス組成物、ガラスフリット、誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサーを提供する。
【解決手段】本発明によるガラス組成物は、ａＬｉ_２Ｏ−ｂＫ_２Ｏ−ｃＣａＯ−ｄＢａＯ−ｅＢ_２Ｏ_３−ｆＳｉＯ_２から成り、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００、２≦ａ≦１０、２≦ｂ≦１０、０≦ｃ≦２５、０≦ｄ≦２５、５≦ｅ≦２０及び５０≦ｆ≦８０とを満足する。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、ＩＲ温度依存性が改善され、かつ強度の高い誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯから選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、酸化シリコンを主成分として含有する第２副成分と、Ｖ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３から選択される少なくとも１種を含む第３副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、または酸化物を含む第４ａ副成分と、ＢａＺｒＯ_３、ＳｒＺｒＯ_３、ＭｇＺｒＯ_３から選択される少なくとも１種を含む第５副成分とを、有する誘電体磁器組成物であって、前記主成分１００モルに対する各副成分の比率が、第１副成分：０．１〜３モル、第２副成分：２〜１０モル、第３副成分：０．０１〜０．５モル、第４ａ副成分：Ｒ１換算で０．５〜７モル、第５副成分：０．５〜５モル、である。 （もっと読む）

【課題】 誘電性単結晶、特にＬＮ結晶インゴットをその焦電性に由来する放電クラック発生を防止しながら、アニールとポーリングを一括して行うこと。
【解決手段】 強誘電体単結晶を育成した後に、アニールおよびポーリングを行う単結晶製造方法において、強誘電体単結晶を育成した後冷却するときに、当該強誘電体単結晶を５００℃以上の温度にて還元雰囲気にさらすことにより、室温で１×１０^-6Ｖ／ｃｍ以上の導電率にする工程、次に当該単結晶全体を粉末中に埋設し、かつ埋設した粉末の中に電極を設けて、当該単結晶を、酸素を含む雰囲気にて、キューリー温度以上に加熱して、電極間に直流電圧を印加して、アニールとポーリングを一括して行う工程を含むことを特徴とする強誘電体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率εｒを実現し、高いＱ値を有するとともに、比誘電率の温度変化率の小さな複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料であって、前記誘電体セラミックスとして、一般式（Ｍ，Ｌｉ，Ｂｉ，ＲＥ）_ｘＴｉＯ_３（ただし、ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選択される少なくとも１種を表し、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙ，Ｙｂ，Ｄｙから選択される少なくとも１種を表す。また、０．９≦ｘ≦１．０５である。）で表される組成を有する酸化物粉末を含有する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、絶縁抵抗の寿命を維持でき、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、ＩＲ温度依存性が改善され、しかも高温加速寿命に優れた誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯを含む第１副成分と、ＭｎＯまたはＣｒ_２ Ｏ_３ を含む第７副成分と、Ａｌ_２ Ｏ_３ を含む第８副成分と、その他の所定の副成分（第２、第３、第４、第５副成分）と、を有し、主成分１００モルに対し、第１副成分：０．２〜０．７５モル、第７副成分：０．１〜０．３モル（但し、第７副成分のモル数は、Ｍｎ元素またはＣｒ元素換算での比率である）、第８副成分：０．５〜４モル（但し、４モルを除く）であり、前記第１副成分に含まれるＭｇ元素と、前記第７副成分に含まれるＭｎ元素、Ｃｒ元素とが、モル比で、０．３≦（Ｍｎ＋Ｃｒ）／Ｍｇ≦０．５の関係にある誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高い比誘電率εｒとＱ値を有し、比誘電率の温度変化率の小さな複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料であって、前記誘電体セラミックスは、一般式（Ｍ，Ｌｉ，ＲＥ）_ｘＴｉＯ_３（ただし、ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選択される少なくとも１種、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂ，Ｄｙから選択される少なくとも１種、０．９≦ｘ≦１．０５。）で表される組成を有する酸化物粉末を含有する。前記酸化物粉末の基本組成成分は、ａＢａＴｉＯ_３−ｂＳｒＴｉＯ_３−ｃＣａＴｉＯ_３−ｄＬｉ_１／２ＲＥ_１／２ＴｉＯ_３−ｅＬｉ_１／２Ｎｄ_１／２ＴｉＯ_３［ただし、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒから選択される少なくとも１種、ａ〜ｅは各成分の配合比率（モル％）。］で表され、０≦ａ≦３、０≦ｂ≦３０、５≦ｃ≦３５、０≦ｄ≦２０、５５≦ｅ≦８０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、である。 （もっと読む）

【課題】 焼成の際にＡｇが拡散するのを抑制することができる誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】 組成式ａ・Ａ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、Ａはアルカリ金属元素から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒは希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦４５ｍｏｌ％、０≦ｂ≦３０ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、２０≦ｄ≦５０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表される誘電体成分を含む誘電体磁器組成物であって、焼成後のペロブスカイト型結晶相の単位格子の体積が０．２２５〜０．２２７ｎｍ³であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成が可能で、焼成の際における導体層から誘電体層へのＡｇの拡散を抑制することができる積層セラミック基板を得る。
【解決手段】 誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であって、誘電体層が、組成式ａ・Ｌｉ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表され、ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を主成分とする誘電体層であり、導体層が、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とし、副成分としてＢｉ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃系ガラスを含有する導体層であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
基板にラミネートする工程等で、待機スジや打痕が生じることがないグリーンシート、該グリーンシートの層を有する積層体、前記グリーンシートから形成された誘電体層を有する誘電体層形成基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
少なくともガラス成分および熱分解性バインダーを含有する誘電体層用組成物をフィルム化してなるグリーンシートであって、降伏強度が１．５ＭＰａ以上、破断強度が０．８ＭＰａ以上、かつヤング率が１０ＭＰａ以上であることを特徴とするグリーンシート、キャリアーフィルム上に本発明のグリーンシートが積層され、さらに該グリーンシート上に保護フィルムが積層されてなる積層体、基板上に、前記グリーンシートを用いて形成された誘電体層を有することを特徴とする誘電体層形成基板及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】誘電体用ガラスフリット、誘電体セラミック組成物、積層セラミックキャパシタとその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体用ガラスフリットであって、ａＳｉＯ_２‐ｂＢ_２Ｏ_３‐ｃＬｉ_２Ｏ‐ｄＫ_２Ｏ‐ｅＣａＯ‐ｆＡｌ_２Ｏ_３‐ｇＴｉＯ_２‐ｈＺｒＯ_２から組成され、上記ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００で、上記２０≦ａ≦３５、２０≦ｂ≦３５、２０≦ｃ≦３０、３≦ｄ≦５、２≦ｅ≦１２、２≦ｆ≦１０、１≦ｇ≦１２、１≦ｈ≦７を満足するものである。 （もっと読む）

【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物を、組成式ｘＢａＯ−ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｘ，ｙ，ｚ，ｗはｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．５、０．１２≦ｚ≦０．２０、０．３０≦ｗ≦０．３８で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含ませた。 （もっと読む）

【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2−ｕＴｉＯ₂（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｙ，ｚ，ｗ，ｕはｙ＋ｚ＋ｗ＋ｕ＝１、０．４５≦ｙ≦０．５５、０．１０≦ｚ≦０．２０、０．１６≦ｗ≦０．３８、０．０１≦ｕ≦０．２０で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】印刷した場合にも「糸引き」することがなく、比較的低温で焼成することにより残渣なく消滅させることができるバインダー樹脂組成物、ガラスペースト及びセラミックペーストを提供する。
【解決手段】（メタ）アクリル酸アルキルエステル単量体に由来するセグメントと、下記化学式（１）で示される繰り返しユニットからなるポリアルキレンオキサイドセグメントとを有する共重合体（Ａ）をマトリックス樹脂とするバインダー樹脂組成物。 −(ＯＲ)_n− ・・・（１） Ｒ：炭素数３以上で構成されるアルキレン基、ｎは整数。 （もっと読む）

低温焼成磁器組成物は１０００℃以下で焼成可能であり、低い比誘電率（１６ＧＨｚ以上において９以下）と高いＱｆ値（10,000以上）を有する。組成物はＡｇ、ＡｕまたはＣｕなどの配線材料と同時焼成できる。セラミック組成物は（質量で）ＣａＯとＭｇＯとＳｉＯ₂とを合計量で６０質量％を超え９８.６質量％以下、Ｂｉ₂Ｏ₃を１質量％以上３５質量％未満及びＬｉ₂Ｏを０.４質量％以上６質量％未満含み、（ＣａＯ＋ＭｇＯ）とＳｉＯ₂の含有比が１：１以上１：２.５未満（モル比）含む。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、目的とする温度特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、高温加速寿命に優れ、しかも容量不良率（容量が規格値以下となってしまった製品の割合）の改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯおよびＳｒＯから選択される少なくも１種を含む第１副成分と、Ａｌ_２ Ｏ_３ ，Ｌｉ_２ ＯおよびＢ_２ Ｏ_３ から選択される少なくとも１種を含む第２副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択される少なくとも１種を含む第３副成分と、Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第４副成分と、ＣａＺｒＯ_３ またはＣａＯ＋ＺｒＯ_２ を含む第５副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】従来よりも更に低温焼成可能で、且つ高い比誘電率を有する誘電体セラミック材料とすることができる誘電体セラミック形成用組成物およびそれを用いた誘電体セラミック材料を提供すること。
【解決手段】平均粒径が０．０１〜０．５μｍのペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末と平均粒径が０．１〜５μｍのガラス粉末を含有し、且つ前記ガラス粉末の配合量が３〜１２重量％であることを特徴とする誘電体セラミック形成用組成物である。ペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末は、湿式反応により得られるペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが１５０以上で、誘電率の温度特性τεが２００ｐｐｍ／Ｋ以下で、Ｑ特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 基本組成成分が、ａＢａＴｉＯ_３−ｂＳｒＴｉＯ_３−ｃＣａＴｉＯ_３−ｄＬｉ_１／２ＲＥ_１／２ＴｉＯ_３−ｅＬｉ_１／２Ｎｄ_１／２ＴｉＯ_３［ただし、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒから選択される少なくとも１種を表し、ａ〜ｅは各成分の配合比率（モル％）を表す。］で表される誘電体磁器組成物である。各成分の組成は、０≦ａ≦５、１≦ｂ≦３０、５≦ｃ≦３０、１≦ｄ≦２０、４５≦ｅ≦７５、２０≦ａ＋ｂ＋ｃ＜３５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００である。配合比率ｄ，ｅは、ｄ：ｅ＝１：２〜１：１０であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘電体磁器組成物において、より低温で焼結可能であり、かつ、比誘電率が高く、ＩＲ寿命に優れた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第２副成分を、少なくとも有する誘電体磁器組成物の製造方法であって、焼成後に前記Ｒの酸化物となる原料のうち少なくとも一部として、Ｒのハロゲン化物を使用することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 誘電率や静電容量の温度特性などの各種電気特性を維持しつつ、ＩＲ寿命に優れ、かつ、広い温度範囲（たとえば、−５５〜１５５℃の範囲）において誘電損失を低く抑えることができ、信頼性の高い積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供すること。
【解決手段】 誘電体層を有する電子部品であって、前記誘電体層は、少なくともＭｎ元素を含有し、かつ、複数のセラミック粒子と、隣り合う前記セラミック粒子間に存在する結晶粒界と、を有しており、前記誘電体層を構成する全ての元素に対する前記セラミック粒子内におけるＭｎ元素の含有割合（α）と、前記誘電体層を構成する全ての元素に対する前記結晶粒界におけるＭｎ元素の含有割合（β）と、の比であるＭｎ元素比（β／α）が、１より大きく、３．１以下であることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

本発明に係る積層体ユニットは、導電性を有し、かつ、その上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させることができる材料によって、形成され、少なくとも表面が［００１］方位に配向された支持基板と、支持基板上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させて形成され、［００１］方位に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなる誘電体層を備えている。このように構成された積層体ユニットは、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物をを含む誘電体層を有しているから、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の強誘電体としての性質を抑制して、常誘電体としての性質を十分に発揮させることが可能になるから、小型で、かつ、大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを作製することができる。
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