【課題】比誘電率εｒが高くＱ×ｆ値が大きく且つ共振周波数の温度安定性が良好な誘電体磁器を実現でき、低温焼成が可能な誘電体磁器組成物等を提供すること。
【解決手段】下記組成式（１）で表される酸化物誘電体を主成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも１種を副成分として含有する誘電体磁器組成物。
a・ＣａＯ −b・ＬｉＯ_1/2 −ｃ・ＢｉＯ_3/2 −ｄ・ＲＥＯ_3/2−ｅ・ＴｉＯ₂ ・・・（１）
〔但し、上記式（１）中、ＲＥはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂ及びＹからなる群より選択される少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは各成分の比率（モル％）を表し、４≦ａ≦２６、１０≦ｂ≦２３、０≦ｃ＜８、２．５≦ｄ≦２５、５０≦ｅ≦６０、０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０、０≦ｃ／ｄ≦ａ×０．０４、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００なる関係を満たす。〕 （もっと読む）

【課題】有害な鉛を含まず、誘電率が低く、軟化点が低く、ガラス転移点が高く、基板との熱膨張係数のマッチングが良く、耐水性の高い、信頼性の高いディスプレイパネルを作製可能とするガラス組成物を提供する。
【解決手段】酸化物ガラスであって、その組成比が、Ｂ_２Ｏ_３が６２重量％以上７８重量％未満、Ｒ_２Ｏ（ＲはＬｉ、Ｎａ、Ｋの一種類以上）が６重量％以上１６重量％以下、ＭＯ（ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの一種類以上）が１重量％以上１７重量％未満、ＳｉＯ_２が０重量％以上１５重量％以下、ＺｎＯが１５重量％を越え、３０重量％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】破壊電圧を良好にすることができ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３とＢａＺｒＯ_３とを有する誘電体磁器組成物であって、該誘電体磁器組成物は、複数の誘電体粒子２０と粒界相３０とから構成されており、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする誘電体粒子２０を第１誘電体粒子２１とし、ＢａＺｒＯ_３を主成分とする誘電体粒子２０を第２誘電体粒子２２とし、第１誘電体粒子２１の平均結晶粒子径をＤ１とし、第２誘電体粒子２２の平均結晶粒子径をＤ２とした場合に、Ｄ１に対するＤ２の比である（Ｄ２／Ｄ１）が０．０４〜０．３３であり、Ｄ２が０．０２〜０．２５μｍであり、第１誘電体粒子２１の合計個数に対する第２誘電体粒子２２の合計個数の比が０．１０〜２であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ系金属の融点より低い温度で焼成することが可能であり、且つ低い焼成温度であっても十分な抗折強度を得ることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、主成分として、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４を含み、副成分として、亜鉛酸化物、ホウ素酸化物、アルカリ土類金属酸化物、銅化合物、及びリチウム化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能でありながら高温絶縁抵抗特性を向上させ、さらにＸ５Ｒ特性を満たすことが出来る低温焼成及び高温絶縁抵抗強化用誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタが提案される。
【解決手段】本発明による誘電体組成物は、主成分としてＢａＴｉＯ_３を含み、副成分として、主成分のモル数を１００としたとき、０．５モル乃至２．０モルのＭｇＯ、０．３モル乃至２．０モルのＲｅ_２Ｏ_３、０．０５モル乃至０．５モルのＭｎＯ、０．０１モル乃至０．５モルのＶ_２Ｏ_５、０．３モル乃至２．０モルのＢａＯ、０．１モル乃至２．０モルのＳｉＯ_２及び０．５モル乃至３．０モルのホウケイ酸塩系ガラスを含み、ＲｅはＹ、Ｈｏ及びＤｙで構成された群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする誘電体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ少ない工程で所望の形状を有する無機構造物を安価に作製することができるインプリントプロセスを行うのに好適な、無機物含有ペーストを提供する。
【解決手段】本発明に係る無機物含有ペーストは、インプリントを行うことによって基材上に無機構造物を作製するための無機物含有ペーストであって、セルロースおよび可塑剤を含むバインダー樹脂と、無機物とを含有している。 （もっと読む）

【課題】ＩＲ寿命に優れ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３と、ＢａＺｒＯ_３と、Ｒ酸化物（Ｒは希土類元素）とを有する誘電体磁器組成物であって、ＢａＴｉＯ_３ １００モルに対して、ＢａＺｒＯ_３の含有量をＡモル、Ｒ酸化物の含有量をＣモルとした場合に、４０≦Ａ≦６５モル、４≦Ｃ≦１５モルで、かつ、式（１）および（２）を同時に満足する誘電体磁器組成物。式（１）…０．００３８Ａ−０．１４７≦Ｂ≦０．００４Ａ＋０．０４（Ｂは、ＢａＴｉＯ_３のＸ線最大ピーク強度に対するＢａＺｒＯ_３のＸ線最大ピーク強度の比）、式（２）…０．００４１Ｃ−０．０１１５≦Ｄ≦０．００４６Ｃ＋０．０８４（Ｄは、ＢａＴｉＯ_３のＸ線最大ピーク強度に対するＲ酸化物のＸ線最大ピーク強度の比） （もっと読む）

【課題】薄層化した場合であっても、高い比誘電率を示しつつ、良好な温度特性を有し、かつ、ＣＲ積、破壊電圧、ＤＣバイアス特性、高温加速寿命等の特性が良好な誘電体磁気組成物を提供すること。
【解決手段】主成分としてＢａＴｉＯ_３を有し、主成分１００モルに対し、副成分として、各酸化物または複合酸化物換算で、ＭｇＯ：０．５０〜２．５０モル、ＭｎＯ：０．０５〜０．３５モル、Ｒ_２Ｏ_３（ただし、ＲはＧｄ以外の希土類元素）：０．４０〜１．５０モル、Ｇｄ_２Ｏ_３：０．０３〜０．１０モル（ただし、０．１０モルは除く）、ＢａＺｒＯ_３：０．２０〜０．７０モル、およびＶ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０２〜０．１５モルを含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】焼成温度が低温で、かつガラスを多量に含有していても高誘電率を実現できる誘電体磁器組成物、同一の原料を用いて誘電体磁器組成物の誘電率を調製することのできる誘電体磁器組成物の製造方法及び積層セラミック部品。
【解決手段】組成式がaLiO_１／２-bCaO-cRO_３／２-dTiO_２（Rは希土類元素であり、a,b,c,及びｄは、a+b+c+d=100mol%を満たすように、14.29≦ａ≦21.05mol%、9.52≦ｂ≦21.05mol%、14.29≦ｃ≦21.05mol%、47.37≦ｄ≦52.38mol%の範囲内から選択。）である誘電体成分A、組成式がxCaO-yMgO-zSiO（x,y及びｚは、x+y+z=100mol%を満たすように、0＜ｘ≦5mol%、38.2≦ｙ≦67.2mol%、28.8＜ｚ≦57.3mol%の範囲内から選択。）である誘電体成分B、並びに前記誘電体成分A及び前記誘電体成分Bを合計70〜80体積％に対して、20〜30体積％のBaO-B_２O_３-ZnO-SiO系ガラス成分を含有して成ることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】ガラス成分を含有しても高い誘電率を備えた誘電体磁器組成物、該誘電体磁器組成物を効率的に製造することのできる誘電体磁器組成物の製造方法及び前記誘電体磁器組成物を用いた積層セラミック部品を提供すること。
【解決手段】組成式がａＬｉＯ_１／２−ｂＣａＯ−ｃＬａＯ_３／２−ｄＴｉＯ_２（但し、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満たすように、１４．２９≦ａ≦２１．０５ｍｏｌ％、９．５２≦ｂ≦２１．０５ｍｏｌ％、１４．２９≦ｃ≦２１．０５ｍｏｌ％、４７．３７≦ｄ≦５２．３８ｍｏｌ％の範囲内から選択される。）である誘電体成分７０〜８０体積％と、ＢａＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＳｉＯ_２系のガラス成分２０〜３０体積％とを含有して成ることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、デラミネーションが発生しにくい、高周波領域において低誘電損失となるセラミック配線基板を得ることができるセラミック組成物及びセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２ ５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、リチウム成分、ナトリウム成分、カリウム成分から選ばれる１種以上を０．１〜２０質量部含有し、かつ、ホウ素成分を含有しないセラミック組成物を焼結して形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層に積層された、導電性部材で形成された配線層を備えているセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】ＣａＺｒＯ_３を主成分とする誘電体磁器を用い、内部電極としてＣｕを用いた積層セラミックコンデンサの寿命特性を改善する誘電体器及びそれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】Ｃａ_ｘＺｒＯ_３＋ａＭｎ＋ｂＬｉ＋ｃＢ＋ｄＳｉで表され、Ｃａ_ｘＺｒＯ_３（但し、１．００≦ｘ≦１．１０）１００ｍｏｌに対して、０．５≦ａ≦４．０ｍｏｌ、６．０≦（ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１５．０ｍｏｌを含有し、０．１５≦（ｂ／（ｃ＋ｄ））≦０．５５、０．２０≦（ｄ／ｃ）≦３．３０であることを特徴とする誘電体磁器である。また、それを用いた積層セラミックコンデンサである。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、デラミネーションが発生しにくい、高周波領域において低誘電損失となるセラミック配線基板を得ることができるセラミック組成物及びセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２ ５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、ビスマス成分を酸化物換算で０．０１〜２０質量％含有し、かつ、ホウ素成分を含有しないセラミック組成物を焼結して形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層に積層された、導電性部材で形成された配線層を備えているセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】誘電率を高くしながら、tanδを低く抑えた、誘電体セラミック粉末を充填した複合誘電体シートとその利用を提供する。
【解決手段】本発明によれば、一般式（Ｉ）
【化１】


(式中、ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位中のキノンジイミン構造単位及びフェニレンジアミン構造単位のモル分率を示し、０≦ｍ≦１、０≦ｎ≦１、ｍ+ｎ＝１である。)
を繰り返し単位として有するポリアニリンに誘電体セラミック粉末を分散させてなる複合誘電体が提供される。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く、絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ （ただし、ｍは、０．９９≦ｍ≦１．０１）と、Ｂａ_ｎ ＺｒＯ_２＋ｎ （ただし、ｎは、０．９９≦ｎ≦１．０１）と、Ｍｇの酸化物と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選択される少なくとも１種の元素の酸化物と、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、ＧｅおよびＢから選択される少なくとも１種の元素の酸化物と、を有し、前記Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ １００モルに対し、Ｂａ_ｎ ＺｒＯ_２＋ｎ ：３５〜６５モル、Ｍｇの酸化物：４〜１２モル、Ｒの酸化物：４〜１５モル、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅの酸化物：０．５〜３モル、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、ＧｅおよびＢの酸化物：３〜９モル、である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の低温で焼成することができ、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、誘電率が低く、Ｑ値が高く、高周波用途に適した焼結体を得ることを可能とする絶縁体セラミック組成物の提供。
【解決手段】スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）を含むセラミック粉末と、酸化ケイ素をＳｉＯ₂換算で３０〜６０モル％および酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で２０〜５５モル％含むガラス粉末と、を含有する絶縁体セラミック組成物であって、絶縁体セラミック組成物はさらにセラミック粉末中に、酸化チタン、酸化銅を含有し、ガラス粉末には、酸化ホウ素、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯおよびＺｎＯからなる群から選択された少なくとも１種の酸化物、酸化アルミニウム、Ｌｉ₂Ｏ，Ｋ₂ＯおよびＮａ₂Ｏからなる群から選択された少なくとも１種のアルカリ金属酸化物が、添加物として添加される場合には一定量以下添加されていることを特徴とする絶縁体セラミック組成物。 （もっと読む）

【課題】高電圧下の高温負荷寿命および高温における直流電圧印加時の比誘電率を向上させることができる誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物を誘電体層として有する電子部品を提供すること。
【解決手段】特定の主成分および副成分を特定の組成範囲で含有する誘電体磁器組成物であって、主成分の原料の粒径の累積分布の５０％の値をＤ５０ｍ、累積分布の９０％の値をＤ９０ｍとしたときに、Ｄ５０ｍ／Ｄ９０ｍ≧０．６であり、中心層と、副成分が拡散している拡散層と、からなる表面拡散構造を有する表面拡散粒子の個数割合が、全誘電体粒子に対して、６０％以上であり、表面拡散粒子の粒子径をＤｇ、中心層の径をＤｃとすると、（Ｄｇ−Ｄｃ）／Ｄｇ≧０．１である関係を満足し、Ｄｃの累積分布の９０％の値をＤ９０ｃとしたときに、０．２５≦Ｄ９０ｃ≦０．５０である関係を満足する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】燃焼合成により低コストで得られるＬｉを構成元素として含む高誘電性セラミックス粉末を配合した高誘電性エラストマー組成物において、その比誘電率を向上させ得る製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｉを構成元素として含む高誘電性セラミックス粉末とエラストマーとからなる高誘電性エラストマー組成物の製造方法であって、発熱源となる金属粉末と、酸素供給源となる物質と、Ｌｉを含む物質とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で混合する混合工程と、上記所定割合で混合された混合物を燃焼合成法により反応させる反応工程と、該反応工程で得られた反応生成物を仮焼する仮焼工程と、仮焼済みの反応生成物を乾式粉砕により粉砕して高誘電性セラミックス粉末とする乾式粉砕工程と、該高誘電性セラミックス粉末をエラストマーに配合する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子を有し、マグネシウム、イットリウム、マンガン、ニオブ、珪素およびリチウムを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、結晶粒子の平均粒径を０．０５〜０．２５μｍとすることにより、結晶粒子の結晶構造が立方晶系を主体とするものとなり、従来の強誘電性を有する誘電体磁器よりも比誘電率の温度変化率が小さく、また、従来の常誘電性を有する誘電体磁器に比較して高誘電率であり、かつ安定な比誘電率の温度特性を示すとともに、自発分極の小さい誘電体磁器を得ることができる。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、従来のコンデンサよりも高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】電歪量が低く、高温における容量温度変化率を向上できる誘電体磁器組成物と電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３を含む第１副成分と、Ｍｇ酸化物を含む第２副成分と、希土類元素（Ｒ）の酸化物を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる１種以上の元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、ＢおよびＬｉから選ばれる１種以上の元素の酸化物を含む第５副成分とを有する誘電体磁器組成物が誘電体粒子と結晶粒界とを有しており、誘電体粒子のうち、少なくとも一部の誘電体粒子が、中心層とその周囲に存在する拡散層とから構成される表面拡散構造を有しており、誘電体粒子の界面近傍のＲの濃度をＣｂとし、拡散層におけるＲの濃度の最大値をＣｍａｘとした場合に、Ｃｍａｘ／Ｃｂ＞１である。 （もっと読む）