【課題】 ３０〜５０程度のε_ｒを発現しつつ、大きなＱｕが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６≦ａ≦０．５００、０．０９３≦ｂ<０．１２４、０．０９３<ｃ≦０．１５０且つ０．２５１≦ｄ<０．３６２。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 静電容量の温度特性に優れ、ＩＲ温度依存性が低く、信頼性の高いセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体層を有するセラミック電子部品であって、前記誘電体層が、組成式Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ （ｍが０．９９５≦ｍ≦１．０１０であり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０）で表される主成分と、Ａｌの酸化物と、Ｓｉの酸化物またはＲの酸化物（ただし、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）と、を副成分として含有し、前記Ａｌの酸化物の少なくとも一部と、前記Ｓｉの酸化物または前記Ｒの酸化物の少なくとも一部とは、主として前記主成分から構成される主相とは異なる２次相が含まれていることを特徴とするセラミック電子部品。 （もっと読む）

【課題】 高い誘電率と良好な温度特性を確保し、しかもＴＣバイアス特性が改善された積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】 誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層２と、内部電極層３とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体１０を有する積層セラミックコンデンサ１であって、前記誘電体磁器組成物が、実質的に主成分で構成されたコア２２ａの周囲に、副成分が主成分に拡散されたシェル２４ａを持つ複数の誘電体粒子２ａを有する誘電体磁器組成物であって、平均粒径の値を示す誘電体粒子を対象とした場合に、前記シェル２４ａの最大厚みｔ１と最小厚みｔ２の差（ｔ１−ｔ２）が、前記誘電体粒子の半径Ｒの６〜６０％に制御されている誘電体磁器組成物で構成されている積層セラミックコンデンサ１。
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【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（たとえばＤＣバイアス特性）や温度特性（たとえばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を湿式混合し、かさ密度が３ｇ／ｃｍ^３ 以下の仮焼前体を準備する工程と、準備された仮焼前体を、９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼済体を得る工程と、得られた仮焼済体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 中間域のε_ｒを発現でき、ε_ｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτ_ｆを小さくコントロールできる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０且つ０．１７０<ｄ<０．３４６。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】耐湿負荷特性が良好であり、しかも所望の高比誘電率と静電容量の温度特性を有し、破壊電界強度も高く、信頼性の優れた誘電体セラミック、及び該誘電体セラミックを使用して製造された中高圧用途向けのセラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】セラミック焼結体１が、１００（Ｂａ_1-xＣａ_x）（Ｔｉ_1-yＺｒ_y）Ｏ_３＋ａＲｅＯ_1.5＋ｂＭＯ_ｚ（ＲｅはＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹの中から選択された少なくとも１種、ＭはＮｉ、Ｆｅ、及びＺｎの中から選択された少なくとも１種、ｚは元素Ｍの価数との関係で一義的に決定される正数）で表される組成を有している。また、ｘ、ｙ、ａ、ｂはそれぞれ０＜ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２５、０．１≦ａ≦４、０．０１≦ｂ≦５である。
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【課題】 高い比誘電率を有し、且つ、積層型セラミックコンデンサの電極間誘電体を構成する場合に当該コンデンサについて絶縁抵抗の経時的劣化、温度変化に対する静電容量変化、および直流電圧印加時の静電容量の低下を共に充分に抑制することができる、耐還元性の誘電体磁器組成物、並びに、当該組成物が電極間誘電体層材料として用いられている積層型セラミックコンデンサなどの電子部品を、提供すること。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ₃と、ＭｎＯと、Ｃｒ₂Ｏ₃および／またはＣｏ₂Ｏ₃と、Ｙ₂Ｏ₃，Ｈｏ₂Ｏ₃，Ｄｙ₂Ｏ₃，Ｅｒ₂Ｏ₃からなる群より選択される酸化物と、ＢａＳｉＯ₃とを含む。本発明の積層型セラミックコンデンサ１０は、このような組成物により構成されるセラミック誘電体１１と、ＮｉまたはＮｉ合金により構成される電極１２とからなる、積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】
平滑な面を得るために表面を研磨しても、表面に現れるボイドが少なく、強度の大きく、比較的低温度で焼成が可能であり、マイクロ波に対する誘電損失が少なく、体積固有抵抗が高いという特性をもつセラミック基板を提供することである。
【解決手段】
少なくともフォルステライト80〜99.8 重量％及び
イットリア0.2〜５重量％からなる成形体を焼成することを特徴とするセラミック基板の製造方法。
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【課題】比誘電率が高く、８Ｒ特性を満足し、ＩＲ温度依存性が改善された耐還元性誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式｛（Ｍｅ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ ・（Ｚｒ_１−ｙ Ｔｉ_ｙ ）Ｏ_２ で示され、該組成式中の元素名を示す記号Ｍｅが、Ｓｒ、Ｍｇ及びＢａの少なくとも一つであり、該組成式中の組成モル比を示す記号ｍ、ｘ及びｙが、０．９９５≦ｍ≦１．０２０、０＜ｘ≦０．１５、０≦ｙ≦１．００の関係にある誘電体酸化物を含む主成分１００モルに、希土類酸化物０．１〜６モルを含む第１副成分と、Ｍｇ酸化物１〜５モルを含む第２副成分と、Ｍｎ酸化物０．１〜２．５モルを含む第３副成分とを、含む誘電体磁器組成物であって、第４副成分として、Ａ酸化物（但し、Ａは６配位時の有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍの陽イオン元素群から選択される少なくとも１種）をさらに添加する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、Ｘ８Ｒ特性を満足し、ＩＲ温度依存性が改善された耐還元性誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、アルカリ土類酸化物を含む第１副成分と、希土類酸化物を含む第２副成分と、ＭｘＳｉＯ_３ （Ｍは、Ｂａ、Ｃａ等）を含む第３副成分と、ＭｎＯを含む第４副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ 、ＭｏＯ_３ 及びＷＯ_３ から選択される少なくとも１種を含む第５副成分と、Ａの酸化物（但し、Ａは、６配位時の有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍの陽イオン元素群から選択される少なくとも１種）を含む第７副成分とを、有し、前記主成分１００モルに対する前記第７副成分の比率が０〜３．５モル（但し、０モルと３．５モルを除く。Ａ酸化物に換算した値）である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体層をより薄層化しても、誘電特性や静電容量の温度特性を損なうことなく、絶縁性や高温負荷寿命等の信頼性を向上させる。
【解決手段】（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３を主成分とし、該主成分に第１〜第４の添加成分が含有されている。第１の添加成分が、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷの中から選択された少なくとも１種を含み、第２の添加成分が所定の希土類元素からなり、第３の添加成分が、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ及びＡｌの中から選択された少なくとも１種を含み、第４の添加成分が少なくともＳｉを含有した焼結助剤からなる。そして、第１の添加成分２が主成分粒子１に固溶されると共に、第１の添加成分２の前記主成分粒子１への固溶距離Ｌが、主成分粒子１の外表面１ａから内部方向に向かって前記主成分粒子１の半径Ｒの１／１００以上かつ１／３以下である。
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【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記添加物成分の原料を除いて、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を混合し、前記チタン酸バリウムの原料をＢａＴｉＯ_３ に換算したときの該ＢａＴｉＯ_３ １００モルに対する前記ガラス成分の原料の比率が、Ｃａ量に換算して０〜２モル（但し、０モルと２モルを除く）である混合粉体を準備する工程と、準備された混合粉体を９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼粉体を得る工程と、得られた仮焼粉体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】誘電体層が薄い積層セラミックコンデンサであっても直流電圧による静電容量変化の少ない、即ち優れたＤＣバイアス特性を持つ積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】チタン酸カルシウムが主成分の結晶粒子から構成され、この結晶粒子の中央部分を半導体相、周辺部分を常誘電体相としたセラミック誘電体を用いることにより、静電容量が大きく、かつＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＥＩＡＪ規格で規定するＸ７Ｒ特性及びＪＩＳ規格で規定するＢ特性のいずれも満足するといった静電容量の温度安定性が良好であり、かつ、絶縁抵抗値、比誘電率などの特性が良好で、さらに絶縁抵抗の加速寿命が長い積層セラミックコンデンサなどの電子部品を得ることが可能なセラミック原料粉体を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムで構成される主成分粒子の表面に副成分添加物で構成される被覆層を有するセラミック原料粉体であって、前記主成分粒子の平均半径をｒとし、前記被覆層の平均厚みを△ｒとしたときに、前記△ｒを、０．０１５ｒ以上０．０５５ｒ以下の範囲内に制御することを特徴とするセラミック原料粉体。
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【課題】容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、Ｔｃバイアス特性変化率が小さく、加速試験における抵抗変化率が小さく、信頼性に優れる誘電体磁器組成物および電子部品を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、酸化シリコンを主成分とする第１副成分と、ＣａＺｒＯ₃、またはＣａＯとＺｒＯ₂の混合体を含む第２副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される第１の希土類元素（Ｒ１）の酸化物からなる第３副成分と、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕのから選択される第２の希土類元素（Ｒ２）の酸化物からなる第４副成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯから選択される第５副成分と、Ｖ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃、ＷＯ₃から選択される第６副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、第１副成分〜第４副成分の関係において、各副成分割合が所定の関係を満たすように構成する。 （もっと読む）

【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく（平均寿命が長く）、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層を構成する結晶粒子に第１の希土類元素（Ｒ１）および第２の希土類元素（Ｒ２）がそれぞれ拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、第１の希土類元素（Ｒ１）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ１が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ１（％）とし、第２の希土類元素（Ｒ２）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ２が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ２（％）とした場合、第２の希土類元素（Ｒ２）の拡散層深さｄ２が第１の希土類元素（Ｒ１）の拡散層深さｄ１よりも深部に及んでおり、Ｘ１＝１０〜３５％、かつＸ２＞Ｘ１（ｄ２＞ｄ１と同義）の関係が成立してなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ耐食部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムを主体とし、１Ｇ（１０^９）Ｈｚ以上において誘電損失（ｔａｎ δ）が５×１０^−３以下であることを特徴とするプラズマ耐食材料、及び窒化アルミニウムを主体とし、酸化イットリウムと酸化マグネシウム又は窒化マグネシウムとを微量添加して焼結することにより、マイクロ波焼結や高ガス圧力焼結といった特別な焼結装置を用いることなく、また焼結後の再加熱や広い温度範囲において毎分０．７℃といった極端に遅い冷却速度で長時間に渡り徐冷をすることなく、フッ化物系反応ガスを含む１ＧＨｚ以上の高周波プラズマに曝されるプラズマ耐食部材の誘電損失（ｔａｎ δ）が５×１０^−３以下の誘電損失特性の優れたプラズマ耐食部材を製造する。 （もっと読む）

今後、更に小型大容量化が進行しても高電圧直流下あるいは高周波／高電圧交流下でも高い信頼性を有する誘電体セラミック組成物を提供する。
本発明の誘電体セラミック組成物は、組成式が１００Ｂａ_ｍＴｉＯ_３＋ｘＣｕＯ＋ａＲＯ_ｎ＋ｂＭｎＯ＋ｃＭｇＯ（但し、係数１００、ｘ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれモル比を表し、ｍはＢａとＴｉとの比（Ｂａ／Ｔｉ）を表し、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも一種類の金属元素を表し、ｎはＲの価数で決まる電気的中性を保つために必要な正の数を表す。）で表される主成分を含有し、ｍ、ｘ、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０．９９０≦ｍ≦１．０５０、０．１≦ｘ≦５．０、９．０≦ａ≦２０．０、０．５≦ｂ≦３．５及び０＜ｃ≦４．０を満足し、且つ、主成分１００重量部に対して０．８〜５．０重量部の焼結助剤を含有する。 （もっと読む）

本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ_３を１００モル部、ＭｎＯをｘ_１モル部、Ｃｒ_２Ｏ_３をｘ_２モル部、Ｙ_２Ｏ_３および／またはＨｏ_２Ｏ_３をｘ_３モル部、ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯからなる群より選択される酸化物をｘ_４モル部、ＳｉＯ_２および／またはＧｅＯ_２をｘ_５モル部含み、０．５≦ｘ_１≦４．５、０．０５≦ｘ_２≦１．０、ｘ_１＋ｘ_２≦４．５５、０．２５≦ｘ_３≦１．５、０．５≦ｘ_４≦６、および０．５≦ｘ_５≦６を満たす。本発明の積層型セラミックコンデンサは、このような組成物により構成されるセラミック誘電体と、ＮｉまたはＮｉ合金により構成される電極とからなる、積層構造を有する。 （もっと読む）