【課題】結晶構造が同一で異なる誘電率を示す誘電体、およびこれを用いた誘電体素子を提供する。
【解決手段】酸素と金属元素からなる金属酸化物絶縁体であり、絶縁体を構成する酸素原子のすべてがO¹⁷またはO¹⁸、あるいは酸素原子がO¹⁶、O¹⁷、およびO¹⁸のいずれかであり、金属酸化物を構成する酸素同位体の種類あるいは比率を変えることにより、誘電率を変化できる誘電体材料、およびこれを用いた誘電体素子。誘電体素子では酸素同位体の分布が不均一であり、酸素原子の平均質量が大きい部分の誘電率が高く、酸素の平均質量が小さい部分の誘電率が低くなっている。素子は、O¹⁷あるいはO¹⁸からなる水を用いるゾルゲル法により作成される。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む組成系であっても、高温雰囲気下、長時間の高電界印加に耐えうる高い信頼性を有する誘電体セラミック及びその製造方法、並びにこの誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】誘電体セラミックは、チタン酸バリウム系複合酸化物を主成分とし、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕの群から選択された少なくとも１種の希土類元素Ｒ、及びＭｇ、Ｎｉ、Ａｌを含有し、かつ、希土類元素Ｒ、Ｎｉ、Ａｌ及びＴｉを主成分とした結晶性複合酸化物が存在している。そして、この誘電体セラミックで誘電体セラミック層１ａ〜１ｇが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高強度、高ヤング率特性を有し、さらに低い誘電率と低い誘電損失を有するガラスセラミック焼結体、並びにかかるガラスセラミック焼結体を用いた配線基板および薄膜配線基板を提供する。
【解決手段】 実質的にＺｎＯおよびＴｉＯ_２を含有しない、（ａ）アスペクト比３以上の異方性結晶からなるセルシアン結晶相と、（ｂ）フォルステライト結晶相、スピネル結晶相、エンスタタイト結晶相、の群から選ばれる少なくとも１種と、（ｃ）アルミナ結晶相、ジルコニア結晶相のうち少なくとも１種の結晶相と、（ｄ）ＢａＯの含有量が１０質量％以下である残留ガラス相とを含有してなり、かつ開気孔率が０．３％以下である。 （もっと読む）

本発明は、混合金属酸化物、ＳｒＭ_１−ｘＴｉ_ｘＯ_３に関し、ｘは０<ｘ<１でありＭはＨｆ又はＺｒであり、例えばストロンチウム−ハフニウム−チタニウム酸化物、ストロンチウムジルコニウム−チタニウム酸化物である。また本発明は、前記混合金属酸化物を含む機能装置に関する。 （もっと読む）

金属酸化物前駆体、溶媒およびエポキシドの混合物からゾルを製造すること、およびゾルから金属酸化物材料を調製することにより調製される誘電体酸化物材料。種々の形態において、混合物は、共溶媒、１以上の追加の金属酸化物前駆体、水、またはガラス形成酸化物の前駆体、またはこれらの任意の組合せをも含み得る。調製された誘電体酸化物材料は、κ値が高く、漏電が少なく、誘電正接値が低い薄膜の形態であり得る。
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本発明は、下記化学式１で表されるチタン酸バリウム系粉末に関する。
［化学式１］
（Ｂａ_ｘＲ^１_ｒ１Ｒ^２_ｒ２）（Ｔｉ_ｙＲ^３_ｒ３Ｒ^４_ｒ４）Ｏ_３
（前記Ｒ^１は、イットリウム（Ｙ）、ランタン族元素からなる群から選択される１種以上であり、前記Ｒ^２は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）からなる群から選択される１種以上であり、前記Ｒ^３は、リン（Ｐ）及びニオブ（Ｎｂ）からなり、前記Ｒ^４は、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種以上であり、前記ｒ_１とｒ_３は、互いに独立して０より大きく０．０５以下の実数であり、前記ｒ_２とｒ_４は、互いに独立して０より大きく０．１以下の実数であり、（ｘ＋ｒ_１＋ｒ_２）／（ｙ＋ｒ_３＋ｒ_４）は、０．８５以上１．１５以下である実数である。） （もっと読む）

本発明は、誘電体製造用焼結前駆体粉末およびその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、第１物質の粉末と第２物質の粉末を含む誘電体製造用焼結前駆体粉末、第１物質からなるコアと第２物質からなるシェルの構造を持つコア−シェル構造の誘電体製造用焼結前駆体粉末、およびこれらの製造方法に関する。前記第１物質の相対誘電定数が前記第２物質の相対誘電定数より大きい。
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【課題】ＰｂおよびＢｉを含まず、広周波数領域において誘電損失を低減し、容量温度特性および誘電率に優れる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式（Ｓｒ_ｘＢａ_１−ｘ）_ｍＴｉＯ_３（０．１５９≦ｘ≦０．２３８、０．９９７≦ｍ≦１．０１１）で表される化合物を含む主成分と、副成分として、ＣａＴｉＯ_３を１１〜２５重量％、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる１つ以上の酸化物を、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ換算で、０．１０〜０．５０重量％、Ａ元素の酸化物（ＡはＭｎおよび／またはＣｒ）を元素換算で０．５９０〜１．９４０モル％、およびＤ元素の酸化物（ＤはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹから選ばれる１つ以上）を有し、Ｄ元素とＡ元素とのモル比（Ａ／Ｄ）が２．２５０〜７．４５０である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が１μｍまで薄層化した場合でも積層セラミックコンデンサの信頼性を確保。
【解決手段】組成式が１００（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ｍＴｉＯ_３＋ａＭｎＯ＋ｂＣｕＯ＋ｃＳｉＯ_２＋ｄＭｇＯ＋ｅＲＯ（但し、係数１００、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはモル比、ｍは（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）のＴｉに対するモル比、ＲＯはＹ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、２ＣｅＯ_２、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｓｍ_２Ｏ_３、Ｅｕ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｔｂ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３、Ｈｏ_２Ｏ_３、Ｅｒ_２Ｏ_３、Ｔｍ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｌｕ_２Ｏ_３から選択される希土類元素酸化物）で表される誘電体セラミックであって、上記組成式のｍ、ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、それぞれ、０．９９８≦ｍ≦１．０３０、０≦ｘ＜０．０４、０．０１≦ａ≦５、０．０５≦ｂ≦５、０．２≦ｃ≦８、０．０５≦ｄ≦３．０、０．０５≦ｅ≦２．５の関係を満足し、且つ平均粒径が０．３５μｍ以上、０．６５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｓｉを含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック１１は、ＡＢＯ_３系の主成分からなる主相粒子１２と、主相粒子１２とは異なる組成を有する二次相粒子１３とを含む。この誘電体セラミック１１中のＳｉの全含有量に対する、二次相粒子１３中のＳｉ含有量の割合を４０％以上とし、Ｓｉの分布を二次相粒子１３により多く集中させる。二次相粒子中のＳｉ含有量は３０モル％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 キュリー温度を制御できる範囲が広く、室温付近の相転移が無く、優れた強誘電特性を示すチタン酸バリウムを主成分とした強誘電セラミック材料を提供する。
【解決手段】 （１００−ａ−ｂ）ＢａＴｉＯ_３・ａＢｉ_２Ｏ_３・ｂＭ_２Ｏ_３（式中、ＭはＢｉ以外の３価の金属を示す。ａ、ｂは１≦ａ≦１５、０≦ｂ≦５、５≦ａ＋３ｂ≦１５である。）で表される酸化物からなる強誘電セラミック材料。前記Ｍが第５周期の遷移金属、原子番号が５９以上６９以下の希土類金属から選ばれる３価の金属であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の厚みを１μｍ未満と薄くしても、良好な寿命特性が得られるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分がＢａＴｉＯ_３系であり、副成分としてＬｉを含み、Ｌｉ含有量ｅ［モル部］が、主成分１００モル部に対し、０．５≦ｅ≦６．０であり、当該誘電体セラミックのグレインについて、グレイン径の平均値Ｒｇ［μｍ］が０．０６＜Ｒｇ＜０．１７、より好ましくは０．０６＜Ｒｇ＜０．１４であり、その標準偏差σｇ［μｍ］がσｇ＜０．０７５であるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の厚みを１μｍ未満と薄くしても、高い絶縁性および寿命特性の維持を可能とする。
【解決手段】誘電体セラミック層２の厚みをｔとし、誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックの結晶粒子の平均粒径をｒとしたとき、Ｎ＝ｔ／ｒ−１で定義される平均粒界個数Ｎを０＜Ｎ≦２とするとともに、誘電体セラミックの組成を、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ、またはＢａならびにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含む。Ｂは、Ｔｉ、またはＴｉならびにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含む。）で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、かつＭｎおよびＶを副成分とし、主成分１００モル部に対して、Ｍｎを０．０５〜０．７５モル部、Ｖを０．０５〜０．７５モル部それぞれ含有し、ＭｎおよびＶの合計で０．１０〜０．８０モル部含有する。 （もっと読む）

【課題】誘電体磁器組成物において所定の材料組成をとることにより、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした静電容量変化率が、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、−１５〜＋５％の範囲内にある誘電体磁器組成物であって、前記傾きａが−７０００〜−３０００ｐｐｍ／℃であることを特徴とする誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｍｇの酸化物から成る第１副成分と、ＭｎまたはＣｒから選択される少なくとも１種の酸化物から成る第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹｂから選択される１種以上）から成る第３副成分と、Ｓｉを含む酸化物から成る第４副成分とを、有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高温負荷寿命およびＤＣバイアス特性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３と副成分としてＢａＺｒＯ_３と希土類（Ｒ）酸化物とを含む誘電体磁器組成物が、非拡散相と拡散相とからなる表面拡散粒子を有している。拡散相内の微小領域に対して、ＺｒおよびＲの濃度を測定し、Ｒ濃度がＺｒ濃度以上である微小領域の集合を第１領域、Ｚｒ濃度がＲ濃度よりも大きい微小領域の集合を第２領域とする。第１領域において、Ｚｒ濃度が１．０原子％以上２．０原子％未満、Ｒ濃度が２．０原子％以上３．５原子％未満である領域を第１拡散相、第２領域において、Ｚｒ濃度が２．０原子％以上４．０原子％未満、Ｒ濃度が１．０原子％以上２．０原子％未満である領域を第２拡散相とすると、第１拡散相２０ｂ〜２４ｂは、第２拡散相２０ｃ〜２４ｃよりも非拡散相２０ａ〜２４ａの近傍に存在している。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃に対する耐性が高く、それゆえ、大容量化のために薄層化された積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を形成するために用いるのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミックであって、ＡＢＯ_３がたとえばＢａＴｉＯ_３であるとき、その結晶粒子は、主成分からなるＢａＴｉＯ_３結晶粒子１１を含むとともに、二次相として、少なくともＭｇ、ＮｉおよびＴｉを含む結晶性酸化物からなるＭｇ−Ｎｉ−Ｔｉ−Ｏ系結晶性酸化物粒子１２と、少なくともＢａおよびＳｉを含む結晶性酸化物からなるＢａ−Ｓｉ−Ｏ系結晶性酸化物粒子１３とを含むようにする。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス特性を良好に維持しつつ、高温負荷寿命を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３を含む第１副成分と、希土類酸化物を含む第２副成分と、Ｍ酸化物（Ｍは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる１種以上）を含む第３副成分と、Ｓｉ酸化物を含む第４副成分と、を含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、複数の誘電体粒子と、結晶粒界相と、を有しており、誘電体粒子と結晶粒界相との境界におけるＳｉ元素の含有割合を測定したときに、Ｓｉ元素の含有割合が１．０ａｔｏｍ％以上である測定点の割合が、全測定点の５０％以上であり、かつ誘電体粒子におけるＳｉ元素の含有割合について、複数の誘電体粒子における平均値を算出したときに、その平均値が０．５ａｔｏｍ％以上である。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ比誘電率の温度特性に優れた誘電体磁器と、それを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含有するとともに、結晶粒子はカルシウムの濃度が０．２原子％以下の結晶粒子からなる第１の結晶群と、カルシウムの濃度が０．４原子％以上の結晶粒子からなる第２の結晶群とから構成されており、誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が１００〜１２０℃である。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ比誘電率の温度特性に優れた誘電体磁器と、それを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含有するとともに、Ｘ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が１００〜１２０℃である。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第３ａ族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が５×１０^−４以下であり、熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であり、気孔率が３％未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 （もっと読む）