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Fターム[5G303CB40]の内容

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Fターム[5G303CB40]に分類される特許

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【課題】高温負荷試験の寿命特性の優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1の誘電体層2を構成する誘電体セラミックとして、(Ba1-xCax)TiO3を主成分とし、前記(Ba1-xCax)TiO3100モル部に対して、aモル部のAlO3/2と、bモル部のVO5/2と、cモル部のMgOと、dモル部のReO3/2を含む誘電体セラミックであって、前記ReはY、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、前記x、a、b、c、及びdは、それぞれ、0.050≦x≦0.150、a≧0.15、0.05≦b≦0.50、c≦0.50、及びd≧1.00の各条件を満たすことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】比誘電率を高く維持しつつ、良好な温度特性を示す誘電体磁器組成物とその製造方法、および該誘電体磁器組成物が適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】一般式ABO(AはBa単独、または、BaとCaおよびSrから選ばれる少なくとも1つとであり、BはTi単独、または、TiおよびZrである)で表され、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物と、Yの酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、化合物を主成分とする誘電体粒子を含んでおり、化合物の原料粉末の平均粒子径を示すd[nm]と、原料粉末のペロブスカイト型結晶構造におけるc軸の格子定数とa軸の格子定数との比を示すc/aと、を用いて、α=1000×(c/a)/dと定義したときに、αが11.0以下である。 (もっと読む)


【課題】 従来の薄膜誘電体は、薄膜化することにより特性が劣化する。
【解決手段】 ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体:(イ)組成:一般式FeCoNi,M成分はMg,Al,Si,Ti,Y,Zr,Nb,Hf及び/又はTa,組成比a,b,c,w,x,y,zは原子比率(%)で、0≦a≦60,0≦b≦60,0≦c≦60,10<a+b+c<60,10≦w≦50,0≦x≦50,0≦y≦50,0≦z≦50,20≦x+y+z≦70、a+b+c+w+x+y+z=100である;(ロ)構造:Fe,Co及び/又はNiからなり、かつnmサイズを有する金属グラニュールが、M成分とN,O及びFの少なくとも1種とからなる絶縁体マトリックスに分散している。 (もっと読む)


【課題】低コストかつ純度の高い低誘電損失のアルミナセラミックスを得る。
【解決手段】化学成分において、SiOをモル比でNaOの2倍以上でかつ0.05質量%以上0.5質量%以下含有し、さらに、Yを0.05質量%以上0.5質量%以下含有し、残部がAlと不可避的不純物からなり、1MHz〜1GHzにおける誘電損失がtanδ=10×10−4以下であり、体積固有抵抗率が1×1014Ωcm以上、密度が3.8g/cm以上であるアルミナセラミックス。 (もっと読む)


【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム100モルに対して、副成分として、Mgの酸化物をMgO換算で1.0〜3.0モル、Rの酸化物(Rは、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選ばれる少なくとも1つ)をR換算で2.0〜5.0モル、Mnの酸化物をMnO換算で0.05〜1.0モル、Siを含む酸化物をSiO換算で2.0〜12.0モル、含有し、Mgの酸化物の含有量(α)およびRの酸化物の含有量(β)が、0.45≦α/β<1.00である関係を満足する誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】誘電体層をより一層薄層化・多層化した場合であっても、誘電特性、絶縁性、温度特性、高温負荷特性等の諸特性を損なうこともなく、耐熱衝撃性が良好な誘電体セラミック、及びこれを用いた積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】誘電体セラミックが、一般式ABOで表されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Al、Mg、及びSiを含有した結晶性酸化物が、二次相粒子として存在している。そして、誘電体層6a〜6gは上記誘電体セラミックで形成されている。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させつつ、しかも良好なDCバイアス特性を示す誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ABO(AはBaを含み、CaまたはSrを含んでもよい、BはTi)で表される化合物と、Zr酸化物と、希土類元素酸化物と、Mg酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物中に、誘電体粒子と結晶粒界とが存在し、結晶粒界21におけるR元素量の最大値をRmaxとし、誘電体粒子20において、Rmaxの50%以上である領域を拡散領域20b、それ以外の領域を中心領域20aとし、拡散領域20bでのZr量をZr1、結晶粒界21でのZr量をZr2としたとき、Zr1/Zr2≧1.5である関係を満足する誘電体粒子の割合が、誘電体粒子全体に対して50%以上である。上記の関係は、Mg−Zr−O固溶体を予め作製し、これを含む原料を焼成することで達成される。 (もっと読む)


【課題】誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性(寿命特性)に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体セラミックを、BaTiO3系セラミック粒子を主相粒子とする焼結体からなり、BaTiO3系セラミック粒子が、シェル部とコア部とを備え、副成分として、R(Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,ErおよびYから選ばれる少なくとも1種)、および、M(Mg,Mn,Ni,Co,Fe,Cr,Cu,Al,Mo,WおよびVから選ばれる少なくとも1種)を含み、RおよびMは、BaTiO3系セラミック粒子のシェル部に存在するとともに、RおよびMの合計濃度が、粒界からコア部に向かって勾配を有し、かつ、極小となる部分C2と、極大となる部分C3とを有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】 優れた高温負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 複数の誘電体層5とニッケルを導体材料とする複数の内部電極層7とが交互に積層されたコンデンサ本体1と、該コンデンサ本体1の前記内部電極層7が露出した端面に設けられた外部電極3とを有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層5が、チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子9と、該主結晶粒子9間に存在する粒界相11とを有する焼結体からなり、前記誘電体層5と前記内部電極層7との間に、マグネシアが固溶した酸化ニッケルの結晶相12を有する。 (もっと読む)


【課題】500以上の誘電率εを得ながら、120kV/mm以上の絶縁破壊電圧を保証することができる、中高圧用途の積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1の誘電体セラミック層3を構成する誘電体セラミックとして、(BaxSryCaz)TiO3(x、y、zはモル比を表し、x+y+z=1である)を主成分とし、前記(x,y,z)が、点A(0.70,0.00,0.30)、点B(0.69,0.02,0.29)、点C(0.55,0.10,0.35)、点D(0.35,0.15,0.50)、点E(0.50,0.00,0.50)で構成される五角形ABCDEに囲まれる領域内にある(点B、点C、点D、および線分AE以外の線分を含む)。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】BaTiOを含有し、BaTiO100モルに対して、RA酸化物(RAは、Dy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)をRA換算で0.9〜2.0モル、RB酸化物(RBはHoおよび/またはY)をRB換算で0.3〜2.0モル、Yb酸化物をYb換算で0.75〜2.5モル、Mg酸化物をMg換算で0.5〜2.0モル、BaTiO100モルに対するRA酸化物の含有量(α)、RB酸化物の含有量(β)およびYb酸化物の含有量(γ)が、0.66≦α/β≦3.0、0.8≦(α+β)/γ≦2.4である関係を満足する誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、1000℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Cu、Ag、Au、Al等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、(a)ガーナイト結晶相および/またはスピネル結晶相、(b)アスペクト比が3以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び(c)AlN、Si、SiC、Al、ZrO、3Al・2SiO及びMgSiOの群から選ばれる少なくとも1種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が0.3%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】より低い焼成温度で焼結が可能であり、焼成工程にかかるコストを低減でき、かつ耐電圧特性に優れるアルミナ質焼結体を実現する。
【解決手段】アルミナ質焼結体は、アルミナ結晶を主相と非晶質の粒界相を有する。非晶質の粒界相は、SiOにCaOおよびMgOの少なくとも一方を添加したガラス成分中に、希土類元素および周期律表第4族元素から選ばれる少なくとも1種の酸化物を特定成分として含む粒界ガラス相であり、主相と粒界ガラス相の組成比を、アルミナ:ガラス成分:特定成分=a:b:c(a+b+c=100重量%)とした時に、これら成分を頂点とする三角座標において、点(a、b、c)が、A(98.0、1.0、1.0)、B(90.0、5.0、5.0)、C(93.5、5.0、1.5)、D(97.8、2.0、0.2)の4点で囲まれる範囲内にある。 (もっと読む)


【課題】CV積が低く、種々の特性のバラツキを小さくすることができ、しかも結晶粒子の粒成長が抑制された電圧非直線性抵抗体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として酸化亜鉛を含有し、酸化亜鉛100モルに対して、副成分として、Coの酸化物をCo換算で0.05原子%超30原子%未満、Srの酸化物をSr換算で0.05原子%超20原子%未満、Rの酸化物(Rは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuからなる群から選ばれる少なくとも1つ)を、R換算で0.01原子%超20原子%未満、Siの酸化物をSi換算で0.01原子%超10原子%未満、含有し、Al、GaおよびInを含有しないことを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】誘電体層を薄層化した場合であっても、高い電界強度下における比誘電率が高く、しかも良好な温度特性および信頼性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム100モルに対して、(1−x)BaZrO+xSrZrOで表される成分を、BaZrOおよびSrZrO換算で5〜15モル、Mgの酸化物をMgO換算で3〜5モル、希土類元素の酸化物をR換算で4〜6モル、Mn、Cr、CoおよびFeから選ばれる少なくとも1つの元素の酸化物を、MnO、Cr、CoおよびFe換算で0.5〜1.5モル、Siを含む化合物をSi換算で2.5〜4モル、含有し、xが0.4〜0.9であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物(ABO)を含有し、化合物100モルに対して、各酸化物換算で、RA(RAはDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を1.0〜2.5モル、RB(RBはHoおよび/またはY)を0.2〜1.0モル、RC(RCはYbおよび/またはLu)を0.1〜1.0モル含有し、Mg酸化物を、Mg換算で0.8〜2.0モル、Si化合物をSi換算で1.2〜3.0モル含有し、RAの含有量(α)、RBの含有量(β)およびRCの含有量(γ)が、2.5≦α/β≦5.0、1.0≦β/γ≦10.0である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが5.0μm以下の電子部品に適用することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高周波領域で使用するための誘電体、特に誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子として特に適するガラスセラミックを提供する。
【解決手段】ガラスセラミックは、酸化物基準のモル%で、少なくとも、5〜50%のSiOと、0〜20%のAlと、0〜25%のBと、0〜25%のBaOと、10〜60%のTiOと、5〜35%のREとを構成成分として有する。ここで、Baは部分的にSr、Ca、Mgで置換でき、REはランタニドまたはイットリウムであり、Tiは部分的にZr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できる。 (もっと読む)


【課題】Y5V特性を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】多数に積層された誘電体層110と該誘電体層110間に形成された内部電極120を備えるセラミック積層体130と、該内部電極120に電気的に接続され、該セラミック積層体130の外面に配設された外部電極140とを含み、該誘電体層110は、(Ba1-xCa(Ti1-zZr)O(ここで、0.03≦x≦0.07mol%、0.05≦z≦0.15mol%、1≦m≦1.05mol%を満たす)を含み、該内部電極120は、ニッケル粉末、BaTiO(BT)を含有するセラミック粉末及びキュリー温度シフタを含む導電性ペーストで形成される。 (もっと読む)


【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に負荷試験における寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1に備える誘電体セラミック層2を構成する誘電体セラミックとして、主成分が(Ba,R)(Ti,V)O系または(Ba,Ca,R)(Ti,V)O系(Rは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、LuおよびYから選ばれる少なくとも1種)であって、VおよびRの双方が主成分粒子内に均一に存在しているものを用いる。 (もっと読む)


【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】セラミック層と電極とを有するセラミック電子部品の製造方法であって、セラミック層がABO(AはBa、CaおよびSrから選ばれる1つ以上、BはTi、ZrおよびHfから選ばれる1つ以上)で表される主成分および添加成分を含む誘電体磁器組成物から構成され、主成分の原料粉体と、添加成分に含まれる金属元素のうち、少なくとも一部の金属元素のゲル状化合物スラリーまたは少なくとも一部の金属元素の溶液とを準備する工程と、主成分の原料とゲル状化合物スラリーまたは溶液とを分散して原料混合物を得る工程と、原料混合物を乾燥する工程と、乾燥後の原料混合物を熱処理する工程とを有する。ゲル状化合物スラリーまたは溶液としては、ゲル状水酸化物スラリーまたは水溶液が好ましい。 (もっと読む)


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