【課題】基準電圧発生回路を構成するエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴとデプレッション型ＭＯＳＦＥＴとの間の温度特性の差を小さくすることができ、基準電圧発生回路の出力電圧の温度特性を改善することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板６上においてＲｅｆ回路領域８およびＣＭＯＳ領域７に跨るようにゲート絶縁膜６６を形成した後、ＣＭＯＳ領域７の部分を選択的に除去する。次に、熱酸化により、ゲート絶縁膜６６が除去されたＣＭＯＳ領域７に第１ゲート絶縁膜１２を形成し、同時に、Ｒｅｆ回路領域８に残っているゲート絶縁膜６６を厚くして第１ゲート絶縁膜１２よりも厚い第２ゲート絶縁膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動によるバラつき要因が少ない基準電圧回路の提供。
【解決手段】第１のＭＯＳトランジスタと、ゲート端子が第１のＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続され、第１のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有する第２のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値の差に基づく電流を流すカレントミラー回路と、カレントミラー回路の電流を流す第３のＭＯＳトランジスタと、第３のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有し、カレントミラー回路の電流を流す第４のＭＯＳトランジスタを備え、第３のＭＯＳトランジスタと第４のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値の差に基づく定電圧を基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】発光素子の駆動装置に与える基準電圧として、温度特性が良好で、電源電圧の変動に対して変動の少ない基準電圧を生成する。
【解決手段】基準電圧Ｖｒｅｆを発生する基準電圧発生回路１００において、バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧の負の温度係数に依存して生じる負の温度係数を持った第１カレントミラー回路１２０と、前記負の温度係数に依存して生じる正の温度係数を持った第２カレントミラー回路１４０とを備えている。そして、電流減算回路１５０により、第１カレントミラー回路１１０の出力電流から、第２カレントミラー回路１４０の出力電流を減じた電流を作成し、これと比例する基準電圧Ｖｒｅｆを出力する。 （もっと読む）

【課題】より低い電源電圧で動作できる定電流回路を提供する。
【解決手段】電源電圧ＶＤＤがディプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ１０のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓ１０とＮＭＯＳトランジスタ１５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ１５との加算電圧よりも高ければ、定電流回路は動作できる。定電流回路の電源電圧ＶＤＤとして、１つのドレイン・ソース間電圧と１つのゲート・ソース間電圧との加算電圧が必要になり、１つのドレイン・ソース間電圧と２つのゲート・ソース間電圧との加算電圧は必要ならないので、定電流回路の最低動作電源電圧が低くなる。 （もっと読む）

【課題】可変負荷デバイスへ安定した電圧及び電流信号を提供する。
【解決手段】装置は、無線周波数信号を変調するスイッチングモジュール２２に対して、略定常状態の正電圧信号及び負電圧信号を生成し、正電圧信号及び負電圧信号は、スイッチングモジュール２２のスイッチングイベントの間略安定なままである。装置は、正電圧信号よりも低い電圧レベルを有する略定常状態の基準電圧信号を生成するバイアス信号生成モジュール１００と、正電圧信号を生成する正信号生成モジュール３００と、負電圧信号を生成する負信号生成モジュール４００とを有する。正信号生成モジュール３００は、第１のキャパシタを用いて基準電圧信号に基づき正電圧信号の一部を生成し、負信号生成モジュール４００は、第２のキャパシタを用いて基準電圧信号に基づき負電圧信号の一部を生成する。 （もっと読む）

【課題】高いＰＳＲＲを有する定電圧回路を提供する。
【解決手段】電流源１０は、基準電流Ｉｒｅｆを生成する。第１トランジスタＭ１は、その一端が電流源１０と接続され、かつそのゲートソース間が接続されたデプレッション型のＭＯＳＦＥＴである。第２トランジスタＭ２は、その一端が第１トランジスタＭ１の他端と接続され、その他端が固定電圧端子と接続され、かつそのゲートドレイン間が接続されたエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴである。第３ＭＯＳＦＥＴは、その一端が電流源１０と接続され、その他端が固定電圧端子と接続され、かつそのゲートが第１トランジスタＭ１と第２トランジスタＭ２の接続点Ｎ１と接続されたエンハンスメント型のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴである。定電圧回路１００は、第３トランジスタＭ３のゲート電圧およびそのソース電圧の少なくとも一方に応じた電圧を出力する。 （もっと読む）

【課題】最低所要供給電圧が低く、小さいチップ領域を占め、電流消費が低く、供給電圧の変動に強いバンドギャップリファレンス回路を提供する。
【解決手段】電圧ジェネレータ（ＶＧ）と、供給回路（ＳＣ）と、バイアス要素（ＢＢ）および制御要素（ＣＢ）を含むバイアス回路（ＢＣ）とを、バンドギャップリファレンス回路は含む。供給回路（ＳＣ）の制御要素（ＣＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）の制御要素（ＣＢ）のうちの一つは、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたはヘテロ接合バイポーラトランジスタを含み、供給回路（ＳＣ）のバイアス要素（ＢＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）のバイアス要素（ＢＢ）のうちの一つは、ロングゲート擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたは抵抗を含む。擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ ＢｉＦＥＴ技術プロセスを用いて製造される。 （もっと読む）

【課題】環境発電装置において２次電池への損傷を避けるために０．３Ｖ以下の極低電圧を検出して誤動作を防止する。
【解決手段】太陽電池などの再生可能なエネルギー源を単一セルで使用する事を可能にする、極低電圧を確実に所定の温度係数で検出する回路Ｕ７３を実現する。単一セルで使用することによる、太陽電池では部分影、他の自然エネルギー源では過放電等による故障で発電停止を防止することが可能になり、コスト削減と利便性と安全性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の内部電圧生成回路に供給されるグランド電圧の変動による影響を抑制すること。
【解決手段】内部回路は、内部電圧生成回路によって生成される内部電圧に基づいて動作する。また、内部電圧生成回路及び内部回路は、グランド配線を介してグランドに接続される。内部電圧生成回路は、内部電圧が出力される出力端子と、グランド配線に接続されるグランド端子と、電圧が基準電圧に応じた値に制御される中間ノードと、出力端子と中間ノードとの間に接続された第１抵抗部と、中間ノードとグランド端子との間に接続された第２抵抗部と、第１抵抗部の抵抗値Ｒ１と第２抵抗部の抵抗値Ｒ２の比率Ｒ１／Ｒ２を切り換えるスイッチ部と、を備える。スイッチ部は、内部回路が動作する時の比率を、内部回路が動作を停止している時の比率よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスを用いて、雰囲気温度から駆動電圧を得る半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】ダイオード接続された整流素子（トランジスタ３）と、一端が前記整流素子の一端に接続され、他端が接地電位に接続された電圧発生源としての抵抗素子（抵抗１）と、から構成される駆動電圧発生回路（単位セル３１）から成り、前記抵抗素子（抵抗１）が発生する電圧を駆動電圧として前記整流素子（トランジスタ３）の他端に出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 （もっと読む）

【課題】内部にバンドギャップ電圧を生成することなく、バンドギャップ電圧より低く、かつバンドギャップ温度特性を有する基準電圧を発生する基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】接合型素子の順方向電圧をそれに比例する第１の電流に電流変換する第１の比例電流生成回路と、電流密度を変えた一対の接合型素子の順方向電圧の差をそれに比例する第２の電流に電流変換する第２の比例電流生成回路と、第１の電流と第２の電流との差をそれに比例する第１の電圧に電圧変換する電流電圧変換回路と、接合型素子の順方向電圧から第１の電圧を減じた電圧を基準電圧として出力するバッファ回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細プロセスによる小型化を実現しながら、高い電源電圧変動除去特性を得る基準電圧回路を提供する。
【解決手段】自身のゲートとドレインが接続されたＮチャンネルのエンハンスメント型トランジスタである第１のトランジスタＭ１と、自身のゲートが第１のトランジスタＭ１のゲートに接続されるとともに自身のソースと接続されたＮチャンネルのディプレッション型トランジスタである第２のトランジスタＭ２とが第１のトランジスタＭ１のドレインを介して直列接続され、第１のトランジスタＭ１及び第２のトランジスタＭ２のゲートに基準電圧を発生する基準電圧回路であって、閾値が第２のトランジスタＭ２の閾値よりも絶対値が大きく、且つ電流駆動能力が第２のトランジスタＭ２の電流駆動能力よりも高いＮチャンネルのディプレッション型トランジスタである第３のトランジスタＭ３が、第２のトランジスタＭ２のドレインを介して直列接続されている。 （もっと読む）

【課題】安定な基準電圧源として使えるような電圧安定器を従来より安く簡単な回路で高い技術を必要とせずに作れる電圧安定器を得ること。
【解決手段】１従来の電圧安定器に負荷になるように、２従来の電流安定器、３固定抵抗器、４ダイオード、５トランジスタ、６ダイオード、７固定抵抗器、８固定抵抗器、９トランジスタ、１０ダイオード、１１固定抵抗器で電圧電流帰還バイアス回路を構成し、その負荷として１２直流を通す抵抗性負荷をつけたもの。 （もっと読む）

【課題】一般的な製造可能であり、且つノイズを低減せさることが可能な基準電圧回路及びこの基準電圧回路を有する発振回路を提供することを目的とする
【解決手段】基準電圧回路２００では、出力端子から出力される安定した出力基準電圧ＶＲＥＦを抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２とから構成される分圧回路２１１で分圧した電圧によりトランジスタＭ１１のゲート−ソース間電圧ＶＧＳ１１を駆動することで、安定した出力基準電圧ＶＲＥＦを得る。 （もっと読む）

【課題】正電源電圧ＶＤＤが急激に低下したときでも、バイアス電流Ｉoutが遮断されないようにしたバイアス電流発生回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＭＰ１，ＭＰ２からなる第１のカレントミラー回路、トランジスタＭＮ１，ＭＮ２からなる第２のカレントミラー回路、バイアス電流Ｉoutを決める抵抗Ｒ１、スタートアップ用のキャパシタＣ１を有するバイアス電流発生回路本体１Ａと、ノードＮ３と負電源電圧ＶＳＳの端子に接続されたキャパシタＣ２と、ノードＮ３と正電源電圧ＶＤＤの端子との間に接続されたダイオード接続のトランジスタＭＰ３とから構成した。 （もっと読む）

【課題】低い電源電圧で駆動でき、かつ、電源電圧の変動に対して安定な基準電圧を生成するとともに、基準電圧の温度係数が製造工程におけるパラメータの変動に影響されにくい半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１のトランジスタのコレクタ端子と第２のトランジスタのエミッタ端子とを接続して出力端子とし、第１のトランジスタのベース端子と第２のトランジスタのベース端子とを接続して第１のベース端子とし、第１のトランジスタと第２のトランジスタとは同一構造であり、第１のベース端子には、第１のトランジスタのエミッタ側ｐｎ接合がわずかに順方向バイアスされる動作領域から逆方向バイアスされる動作領域となる範囲の電圧を印加され、供給電圧には、第１及び第２のトランジスタがnpn、又はpnpかによって、正の電圧又は負の電圧を印加される半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低い電源電圧で駆動でき、電源電圧の変動に対して安定な基準電圧を生成するとともに、基準電圧の温度係数が製造工程におけるパラメータの変動に影響されにくい半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１のＭＯＳＦＥＴのドレイン端子と第２のＭＯＳＦＥＴのソース端子とを接続し、前記第１のＭＯＳＦＥＴのドレイン端子と前記第２のＭＯＳＦＥＴのソース端子との端子間を出力端子とし、前記第１のＭＯＳＦＥＴのソース端子を基準電位とし、前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲート端子と前記第２のＭＯＳＦＥＴのゲート端子とを接続し、前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲート端子と前記第２のＭＯＳＦＥＴのゲート端子との端子間を第１のゲート端子とし、前記第１のＭＯＳＦＥＴの基板端子と前記第２のＭＯＳＦＥＴの基板端子とを接続し、前記第１のＭＯＳＦＥＴの基板端子と前記第２のＭＯＳＦＥＴの基板端子との端子間を第１の基板端子とし、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】消費電流が少なく、かつ面積が小さい基準電圧回路を提供する。
【解決手段】ゲート及びバックゲートが接地電位に接続され、ドレインが電源電圧に接続され、ソースが基準電圧端子に接続されたディプレッション型ＮＭＯＳトランジスタと、ディプレッション型ＮＭＯＳトランジスタのソースと接地電位の間に設けられ、基準電圧をリミット電圧以下に制御するリミット回路と、を備えた構成とした。 （もっと読む）

【課題】基準電圧が可変できる基準電圧発生回路およびそれを用いたレギュレータを提供する。
【解決手段】第１電極が第１電源電圧入力端子１１に接続され、第２電極が接続ノードＮ１に接続されたデプレッションモード第１絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ１と、第１電極が接続ノードＮ１に接続され、第２電極が第２電源入力端子１２に接続され、ゲートが接続ノードＮ１に接続され、導電型が第１絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ１と同じエンハンスメントモード第２絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ２と、第１絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ１のゲートと接続ノードＮ１との間に接続され、第１絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ１のゲート電圧Ｖｇｓ１を制御するゲート電圧制御手段１３と、を具備する。 （もっと読む）