【課題】低ゲート消費電力で、高速かつ確実にスイッチング素子をオンオフさせる半導体スイッチング回路、及びそれを用いた半導体モジュール、電力変換モジュールを提供する。
【解決手段】スイッチング素子１，１１を有するスイッチング回路２０，２１において、容量４，１４と抵抗５，１５との容量抵抗並列接続回路３，１３と、ダイオード直列接続回路７，１７とこのダイオードと逆方向に並列に接続されたダイオード８，１８とを有するダイオード直列並列接続回路６，１６とを有し、スイッチング素子１，１１のゲート端子には容量抵抗並列接続回路３，１３の一端が接続され、この他端とゲート駆動用回路９の出力端子との間には、ダイオード直列接続回路７，１７のダイオードのアノード端子をゲート駆動用回路９側、このカソード端子をスイッチング素子１，１１のゲート端子側にして、ダイオード直列並列接続回路６，１６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数のインバータの間における電圧の干渉による悪影響の抑制を、省スペースな装置において実現することができるインバータ装置を提供する。
【解決手段】インバータ装置は、ＰＮ母線に接続された第１インバータと、ＰＮ母線に接続された第２インバータと、ＰＮ母線における第１インバータと第２インバータの間に接続されたクランプ回路とを備える。クランプ回路は、ツェナーダイオードと、スイッチング素子とを備える。ツェナーダイオードは、ＰＮ母線におけるＰ母線にカソードが接続しＮ母線にアノードが接続する。スイッチング素子は、Ｐ母線とＮ母線との間に介在し、制御端子がツェナーダイオードのアノードと接続したものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴのオン・オフ時に発生するスイッチングノイズや、コモンモードノイズによるゲート駆動信号への影響を低減できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路は、パルストランスＴにより一次側と二次側とに絶縁され、パルストランスＴの一次側は第１の接地電位点ＧＮＤ１に接地され、パルストランスＴの二次側は第１の接地電位点ＧＮＤ１とは絶縁された第２の接地電位点ＧＮＤ２に接地され、入力側にインピーダンス整合用抵抗Ｒ１〜Ｒ４を備えたレシーバＣＭＰを介してパルストランスＴの二次巻線Ｎ２に発生したゲート駆動信号を出力するゲート駆動回路において、パルストランスの一次巻線Ｎ１と二次巻線Ｎ２との間に静電シールド板５を備え、静電シールド板５は第２の接地電位点ＧＮＤ２に接地されている。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング部からの熱を放熱する放熱部の影響によるノイズを低減し、且つ、Ｘコンデンサの電荷を放電する放電抵抗による消費電力を低減する。
【解決手段】 スイッチング部の放熱部とトランスの入力側を接続して、前記放熱部に流れる電流をスイッチング手段に還流する第１の電流経路を形成し、整流部と前記トランスとの間のライン間に接続されたコンデンサと、トランスの出力側と、コンデンサを接続した第２の電流経路を形成したラインフィルタ。 （もっと読む）

【課題】電力変換器のヒートシンクに実装された複数のサーマルリードスイッチを使用した温度検知回路において、最小の構成にて、動作したサーマルリードスイッチを特定することが可能な温度検知回路を提供することである。
【解決手段】設定温度以上で開放するサーマルリードスイッチと並列に抵抗器を接続し、測定点分を直列に接続し、各抵抗器の抵抗値は異なる値とする。開放するサーマルリードスイッチにより、この直列体のインピーダンスが変化するため、抵抗値や分圧された電圧値を判別することで動作したサーマルリードスイッチを特定することができる。複数使用したサーマルリードスイッチの動作部位を簡略な回路構成にて判別することが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、体格の増大を抑制することのできるコモンモードチョーク１６を提供する。
【解決手段】外部電源とＰＦＣ回路との間に、トロイダルコア１７に巻回される一対の１次側巻線１６ａ，１６ｂと、トロイダルコア１７に巻回される２次側巻線１６ｃと、抵抗体１６ｄとを備えるコモンモードチョーク１６を接続する。ここで、２次側巻線１６ｃの両端のそれぞれが抵抗体１６ｄによって接続されて閉ループ回路が形成される。そして、仕切部３６ｃに形成された貫通孔４０を通して２次側巻線１６ｃが巻回される。そして、抵抗体１６ｄは仕切部３６ｃに接触して設けられる。 （もっと読む）

【課題】同時オン防止回路を有し、かつ3レベル電力変換装置の構成部品を少なくし信頼性を向上した3レベル電力変換装置のゲート駆動装置を提供する。
【解決手段】3レベル電力変換装置は、一対の直流電源端子間に順次直列に接続された第一ないし第四の半導体スイッチング素子4〜7をそれぞれ、第一ないし第四のゲート駆動回路28〜31により駆動し、第一及び第二の半導体スイッチング素子4、5のみをオンしたときプラス出力、第二及び第三の半導体スイッチング素子5、6のみをオンしたとき零出力、そして、第三及び第四の半導体スイッチング素子6、7のみをオンしたときマイナス出力を出力する。その際、第一の駆動回路28と第三の駆動回路29、第二の駆動回路30と第四の駆動回路31をそれぞれ同一の基板に実装し、各基板上において、通信線を介して相互に論理回路に接続し、いずれか一方のゲート駆動回路がオンしている時に他方のゲート駆動回路をオフする。 （もっと読む）

【課題】バスバを含む接続配線において、比較的簡単な構造で、バスバに電流が流れるときのインダクタンスを効果的に抑制することである。
【解決手段】電力変換器１０においてバスバを含む接続配線３０は、平滑用コンデンサモジュール１２とパワーモジュール１４の間を接続する正極側バスバ３２と、正極側バスバ３２と対をなして平滑用コンデンサモジュール１２とパワーモジュール１４の間を接続する負極側バスバ３４と、絶縁物４０を介して正極側バスバ３２の外周全体を被覆する正極側導体４２と、絶縁物４４を介して負極側バスバ３４の外周全体を被覆する負極側導体４６と、正極側導体４２と負極側導体４６とを相互に電気的に接続する接続導体５０，５２を備える。 （もっと読む）

【課題】電磁障害などの原因となる電圧振動の発生を低減できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数の絶縁基板２０，２０′の各々に搭載されるＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５０，５０′の各主電極５２，５２′が導体部材４５により電気的に接続される。これにより、半導体スイッチング素子の接合容量と寄生インダクタンスとによる共振電圧の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の回路部間で異なるインダクタンス成分より生じる異なるサージ電圧を低減させ、かつ装置全体のコストダウンを図ることができるパワーモジュールを得る。
【解決手段】入力端子Ｐ１１及びＰ１２が設けられる第１の縁部と対向する第３の縁部の上方にスナバ端子Ｐ１３及びＰ１４を設け、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４間に補助スナバ回路２２を設けることにより、入力端子Ｐ１１及びＰ１２間に形成されるスナバ回路２１から最も離された位置に補助スナバ回路２２を設けている。そして、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４の形成幅を、入力端子Ｐ１２の形成幅の半分以下にする等により、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４それぞれの平面視断面積を、入力端子Ｐ１１及びＰ１２の平面視断面積の半分以下に抑えている。 （もっと読む）

【課題】精度の高い電流制御、電圧制御を提供する。
【解決手段】主端子と基準端子と制御端子を有する第一のスイッチと、第二のスイッチまたは整流器、入力側コンデンサと出力側コンデンサを各１以上持ち、インダクタを持つ電力変換回路であって、相互接続点と基準電位または出力または入力間の電流によって生じる電圧を利用して、出力の制御や保護を行う回路であって、印刷基板を用いたものであって、前記電圧の生じている素子のうち相互接続点でない側と接合された印刷基板上の導体と、その導体と回路図上は同電位となるべき基準電位または入力または出力のいずれかと結合された入力コンデンサあるいは出力コンデンサの端子と接合された導体が、最短距離で結合されないように、空隙によって分断された構造を持つもの。 （もっと読む）

【課題】デッドオフ時間中の還流電流の損失を小さくすると共に、寄生ダイオードの逆回復時間を短くすることが可能なインバータ装置を提供する。
【解決手段】４つの双方向スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４でブリッジ回路を構成し、互いに直列接続されていない２組のスイッチ素子Ｑ１とＱ４及びＱ２とＱ４を、デッドオフ時間ΔＴを介して交互にオン及びオフさせる。デッドオフ時間中ΔＴ、そのデッドオフ時間の直前に非導通であったスイッチ素子の組を一時的に導通させて還流電流を流す。 （もっと読む）

【課題】複数の電力変換回路を有し、これらの電力変換回路に属する半導体モジュールを積層した電力変換装置において、電力変換回路間のサージ電圧による干渉を低減する。
【解決手段】複数の電力変換回路の正極端子を接続する正極接続プレート６６にスリット１００，１０２を設ける。一方、正極接続プレート６６が配置される固定台６８上にかしめ突起１０５を設ける。かしめ突起１０５を、正極接続プレートのスリット１００，１０２に貫通させ、かしめ突起１０５の先端をつぶして正極接続プレート６６をかしめ、固定台６８に固定する。正極接続プレートを固定するためのボルト等を用いていないため、負極接続プレート７０の面積を広くすることができ、サージ電圧による干渉を低減できる。 （もっと読む）

【課題】冷却能力の低下を的確に判断し、運転時に冷却異常が生じても、素子が許容最高温度に達するまで運転を継続させる。
【解決手段】予め、風速をパラメータとして、冷却体（チップ直下）と第１温度センサＡ間の熱抵抗Ｒｔｈ（ｆ−ｆ１）を格納しておき、運転時に、風速に基づいて格納されたデータから、前記熱抵抗Ｒｔｈ（ｆ−ｆ１）を推定する。また、半導体電力変換装置１の出力電流検出値Ｉｏｕｔから素子損失Ｐを推定する。そして、接合部の許容最高温度Ｔｊｍａｘ，素子損失Ｐ，熱抵抗Ｒｔｈ（ｆ−ｆ１）に基づき、第１温度センサＡの測定点における温度許容値Ｔｆ１ｍａｘを推定する。第１温度センサＡの温度検出値Ｔｆ１と、温度許容値Ｔｆ１ｍａｘとを比較し、温度検出値Ｔｆ１が温度許容値Ｔｆ１ｍａｘを超えた時は装置を停止する。また、ファンの風速が閾値よりも低い時は、警報を出力する。 （もっと読む）

【課題】電磁放射ノイズを小さくできるとともに、外部に漏出する量、更にはアース線から外部に流れる量をも低減することができ、しかもノイズ低減用回路を小型軽量化、低コスト化することができるインバータ一体型電動圧縮機を提供することを目的とする。
【解決手段】圧縮機構と、該圧縮機構を駆動する電動モータ３とが内蔵されるハウジング２に、電動モータ３に印加される電力を制御するインバータ５が一体に組み込まれているインバータ一体型電動圧縮機１において、インバータ５および電動モータ３からの高調波電流が流れる筐体接地されているハウジング２と、電源からの電力をインバータ５に供給するＰＮライン７との間に、それぞれ同容量のインピーダンスＺが挿入接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数のパワー半導体素子と保護回路部品の実装密度を高め、かつ浮遊インダクタンスを抑制した構造の、高信頼度のパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】リードフレーム５１の一方の面に、パワー半導体素子１が直接電気接続され、これに対向するように、リードフレーム５１の他方の面に、保護回路素子２が直接電気接続され、パワー半導体素子１を計測する温度センサ２３、電流センサ３２、電圧センサが、個々のパワー半導体素子に設置されている。電流センサ３２は、パワー半導体素子１の電極に電気的に接続された電流端子３に設けられ、電流端子３はリードフレーム５２に接続される。温度センサ２３は、パワー半導体素子１と保護回路素子２と電流端子３とにより生じる空隙に配置される。 （もっと読む）

【課題】ＶＭ電位のｄｖ／ｄｔに起因する上アーム電力用スイッチング素子の誤動作を抑制できるレベルシフト回路並びにこれを備えたインバータ装置を提供する。
【解決手段】支持体Ｓｉ基板上にＢＯＸ酸化膜を介しＮ型Ｓｉ活性層を形成したＳＯＩ基板により構成し、分離酸化膜により分離されＮ型ＭＯＳＦＥＴを形成する第１のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離されＰ型拡散層による拡散抵抗を形成する第２のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離され上アーム制御電源の一端側に接続する第４のＮ型Ｓｉ活性層から構成され、第１のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜と第４のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜は、隣接配置されるとともに、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と拡散抵抗の第一の電極を接続し、拡散抵抗の第２の電極を上アーム制御電源の他端側に接続した。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路のサージ電圧を抑制する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】スイッチング素子からなる回路Ｓ１，Ｓ２が封入されたモジュール１３，１４が、バスバー配線１００により、２つ以上並列に接続された回路構成を有するインバータ回路を備えた半導体装置であって、バスバー配線１００は、導体層１３０，１４０，１５０と絶縁層１１０，１２０とを交互に重ね合わせた、ラミネート構造を有しており、導体層である直流正極１３０、直流負極１４０、交流出力１５０の各配線が、異なる導体層に形成される。 （もっと読む）