【課題】小型で量産性が高く低損失で、周波数の再現性も高い可変フィルタが構成可能な共振器を提供する
【解決手段】誘電体基板上に形成される線路構造からなる共振器において、共振線路に対して垂直方向に対向電極を配置し、共振回路に付加する容量性リアクタンスを形成することで共振器を小型化した。また、共振線路を伝わる電気信号の表皮効果を利用して共振線路上に拡幅部を設け、大きな容量性リアクタンスが得られるようにし、また、共振線路上の定在波の大きな部分に拡幅部と対向電極を配置することで更に共振器が小型化できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 Ｑが高く、且つスプリアスモードの影響を受けにくくし、また、共振器と励振線路を同一基板上に構成した場合の共振器と励振線路間で強い結合が得られるようにした共振器装置、それを備えた発振器、フィルタおよび無線装置を提供する。
【解決手段】 基板の上下面にそれぞれ円形の電極開口部Ｈを有する電極を設けて、この電極開口部を共振器として構成し、その共振器に結合するＰＤＴＬからなる励振線路５を形成する。共振器に対する励振線路５の結合部は、共振器上で中心角９０°だけ離れた位置とし、励振線路上で、使用周波数帯で略整数波長となる関係とする。これにより、主モードであるＴＥ０２０モードとの結合を強め、隣接スプリアスモードであるＴＥ２２０モードおよびＨＥ６１０モードとの結合を弱めてスプリアス応答抑圧特性を改善する。 （もっと読む）

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。
【解決手段】 超伝導デバイスは、第１の誘電体基板（１１）と、前記第１の誘電体基板上に超伝導材料で形成された２次元回路型の共振器パターン（１２）と、前記共振器パターンの上方に、好ましくは誘電体（１６）を介して位置し、前記共振器パターンに所望の帯域幅のカップリングを生じさせる導体パターン（１７）とを有する。導体パターンは、円形または楕円形であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】比誘電率（εｒ）、Ｑｆ値が高い誘電体磁器組成物を提供することである。
【解決手段】（Ｂａ_１−ａＳｒ_ａ）_６Ｎｄ_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４（０．２０≦ａ≦０．５０）の組成を有していることを特徴とする、誘電体磁器組成物を提供する。疑似タングステンブロンズ構造を有するＢａ_６Ｎｄ_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４系の誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳｒで置換することによって、比較的高い比誘電率（εｒ）を維持しつつ、Ｑｆ値を著しく向上させ得る。また、Ｂａ_４Ｓｒ_２（Ｎｄ_１−ｂＹ_ｂ）_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４（０≦ｂ≦０．４０）の組成を有している誘電体磁器組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】
小型かつ低損失の要求を満たしつつ広帯域化の実現に有効なフィルタを提供する。
【解決手段】
共振電極を一対のＧＮＤ電極間に配置してストリップライン構造を構成したフィルタにおいて、λa／４共振器により生じる通過特性に改善を加えることにより広帯域化を図る。λａ／４共振器により生じたλａ波の基本帯域をそのまま利用し、同共振器により生じたλａ波の３倍波を点線で示すように低域側にシフトさせ、これら基本波と３倍波の間をλｂ／２共振器により生じた通過帯域で補間することにより、基本波から３倍波までの帯域がフラットな通過特性を確保する。 （もっと読む）

本発明は、基板（１０３）に渡ってもたらされるプレーナ誘導性コンポーネントに関する。基板は、第一の平面に位置される巻き線（１０１）、及び基板（１０３）から巻き線（１０１）をシールドするためのパターン化されたグランドシールド部（１０２）を有する。巻き線（１０１）は、第一の平面と垂直なミラー面（１０４）に対して少なくともほぼ対称になる。パターン化されたグランドシールド部（１０２）は、第一の平面と平行に第一のグランドシールド平面に位置される複数の導電性の第一のトラック（１０５）を有する。第一のトラックはミラー面（１０４）と垂直な方向を有する。パターン化されたグランドシールド部（１０２）がない場合、巻き線（１０１）は基板（１０３）に容量的に結合される。基板抵抗は誘導性コンポーネント（１００）のＱ値の劣化をもたらす。パターン化されたグランドシールド部（１０２）は基板（１０３）から巻き線（１０１）をシールドし、それによって基板の劣化効果が打ち消される。プレーナ誘導性コンポーネントの実効的な自己インダクタンスの減少を防止するためにループ電流は、パターン化されたグランドシールド部において防止されなければならない一方、同時に巻き線（１００）のミラー半分において誘導される電荷の移動が容易化されなければならない。このことは第一のトラック（１０５）によって実現される。
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【課題】誘電体フィルタの小型化を図る。
【解決手段】共振素子５２，５３に上下のグランド電極を設け、上グランド電極は、幅広部に対応するとともに幅狭部５２ｃ、５３ｃに対応した部分のパターンを不形成とした上グランド電極５７ａ，５７ｂと、幅狭部５２ｃ、５３ｃに対応するとともに上グランド電極５７ａ，５７ｂのある層の更に上層に形成された上グランド電極５８とで形成され、下グランド部は、幅広部に対応するとともに幅狭部５２ｃ、５３ｃに対応した部分のパターンを不形成とした下グランド電極６０ａ、６０ｂと、幅狭部５２ｃ、５３ｃに対応するとともにグランド電極６０ａ、６０ｂのある層の更に下層に形成された下グランド電極６１とで形成したものである。これにより、Ｑを劣化させることなく小型化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 挿入損失が小さく、かつ小型化を目的とした設計が容易な誘電体積層フィルタを実現する。
【解決手段】 薄い板状の誘電体シートを焼成してセラミック基板を作成し、その必要な面に、メッキ、スパッタ、蒸着等によって金属膜を形成する。続いて、エッチングによってパターン形成を行い、接着などで前記基板を積層して接合する。したがって、高温で焼成した誘電損失の小さい基板を共振器に用いることができ、作成したフィルタの挿入損失を小さくできる。また、基板の収縮による影響はなく、基板厚を正確に設定できるとともに、パターンの膜厚や位置精度を正確に制御できる。これによって、フィルタ特性のばらつきが小さくなり、設計が容易になるとともに、電極形状を複雑にでき、少ない枚数の基板で必要なパターンを形成することができ、薄型化および小型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】導体上に形成された誘電体薄層あるいは誘電体薄膜の誘電定数を、マイクロ波帯、特に１ＧＨｚ以上で測定することが可能な誘電定数測定法及び測定用治具並びに同軸共振器を提供する。
【解決手段】筒状導体４と、該筒状導体４内に軸長方向に設けられた中心導体３と、筒状導体３の両側開口部にそれぞれ設けられた短絡導体５、６とを具備するとともに、中心導体３と短絡導体６との間に誘電体からなる被測定試料１を介装し、筒状導体４と短絡導体６との間に空隙２を設けた同軸共振器の共振周波数と無負荷Ｑの測定値から、被測定試料１の比誘電率及び／又は誘電正接を求める。 （もっと読む）

【課題】設計精度確保が容易な構造で、共振器における最大電流密度を低減し、電力損失の増大を回避すると共に、導体が超伝導材料で構成された場合においても超伝導状態の破壊を防止することができるコプレーナフィルタ及びその形成方法を提供する。
【解決手段】誘電体基板とその誘電体基板上に形成された中心導体および地導体よりなるコプレーナ共振器と、この共振器と結合部を介して結合されたコプレーナ型入出力端子部とを備えたコプレーナフィルタにおいて、コプレーナ共振器の地導体間隔および中心導体線路幅の一方を入出力端子部の対応する地導体間隔又は中心導体線路幅より大きくした。 （もっと読む）

本発明は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）及び他の多層ポリマーベースの基板を用いて製造された、全有機完全パッケージ小型帯域通過フィルタ、バラン、ダイプレクサ、マルチプレクサ、カプラ及びそれらの組合せを提供する。これらのデバイスは、マルチバンド無線デバイスに必要な密度及びパフォーマンスを実現できるように、ＬＣＰ層上に形成された集積化された受動コンポーネントを有する１つ以上のＬＣＰ層を用いて製造される。複数のＬＣＰ層を含むデザインにおいて、ＬＣＰ層は、プリプレグ層によって分離されている。本発明の態様によれば、コプレーナ導波路、ハイブリッドストリップライン／コプレーナ導波路および／またはマイクロストリップトポロジーは、集積された受動コンポーネントを形成するのに用いられ、デバイスは、１０μｍより小さいライン幅を有する少なくとも１８インチ×１２インチで、大面積パネル上に大量生産することができる。 （もっと読む）

移動体通信システム（１００）の無線基地局（２０）において、誘電体フィルタを提供する。誘電体フィルタ（１）は例えば３個の誘電体を有する誘電体フィルタであって、３個の誘電体（３２）のうちの少なくとも２個の隣接する誘電体（共振素子）（３２）間に、結合（磁界結合）を遮蔽する着脱可能な金属棒（遮蔽部材）（８）を設けて構成し、Ｑ値の影響を維持したまま疎結合の状態を得ることができ、また、金属棒（８）の太さ、位置、本数を調整することによって共振器（１０）〜（１２）間の結合状態を変更でき、さらに、結合量を弱くすることによって共振器（１０）〜（１２）の間隔を一層狭くでき、誘電体フィルタのサイズの小型化が図れる。 （もっと読む）

略立方体形状の誘電体コア（１）に、互いに対向する面をそれぞれ貫通する２つの貫通孔（１１），（１２）を設け、貫通孔（１１），（１２）の内面と導電性の支持棒（３）との間に低誘電率絶縁体ブッシング（６）を介在させて支持棒（３）を挿通させ、この支持棒（３）の両端をキャビティ（２）に固定するとともに、この支持棒（３）によってキャビティの対向する内壁間を電気的に導通（短絡）させる。これにより、支持台を用いることなくキャビティ（２）内部の空間に誘電体コア（１）を配置し、利用するＴＥ０１δモードの周波数からスプリアスモードであるＴＭ０１δモードの共振周波数を大きく離す。
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高い比誘電率ε_rと高いＱ値を有し、また共振周波数の温度係数τ_fが０ｐｐｍ／℃を中心に任意に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとする。
組成式：ｘＣａＴｉ_aＯ_1+2a−ｙＣａ（Ａｌ_b/2Ｎｂ_c/2）Ｏ_1+(3b+5c)/4−ｚＣａ（Ｍｇ_d/2Ｗ_e/2）Ｏ_1+(d+3e)/2で表わされる組成を有し、上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅ（ただしｘ、ｙ、ｚはモル比である）は、０．４７５≦ｘ≦０．５８、０．２１≦ｙ≦０．５０５、０．０１８≦ｚ≦０．２５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０００、０．９≦ａ≦１．０５、０．９≦ｂ≦１．１、０．９≦ｃ≦１．１、０．９≦ｄ≦１．１、０．９≦ｅ≦１．０５の範囲内にある。
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誘電体基板（１）に第１のスリット（ＳＬ１）で連絡した第１・第２の導体開口部（ＡＰ１）・（ＡＰ２）と、第２のスリット（ＳＬ２）で連絡した第３・第４の導体開口部（ＡＰ３）・（ＡＰ４）とをそれぞれ設け、スリット（ＳＬ１）と（ＳＬ２）を交差するように配置する。これにより、（ＡＰ１）−（ＡＰ３），（ＡＰ４）−（ＡＰ２）間に磁界ベクトルが向く偶モードと、（ＡＰ３）−（ＡＰ２），（ＡＰ１）−（ＡＰ４）間に磁界ベクトルが向く奇モードの２つの共振モード、または（ＡＰ１）−（ＡＰ２）間に磁界ベクトルが向くＸモードと、（ＡＰ３）−（ＡＰ４）間に磁界ベクトルが向くＹモードの２つの共振モードを生じさせる。 （もっと読む）

【課題】導体損失の改善効果を高めるとともに、焼結時の熱膨張、熱圧縮の応力によるクラックや変形の発生を低減した高周波部品を提供する。
【解決手段】伝送線路３の厚みを増すために、帯状導体３ａ〜３ｃを上下方向に連続して３層以上重ねて一体化して形成する。このとき、帯状導体３ａ〜３ｃの線幅は積層の厚み方向中央域（３ｂ）から上部領域（３ａ）及び下部領域（３ｃ）に向かって漸次狭くなっており、階段状に角部を増加させ略多角形状に近似するように形成する。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物と導体膜との間の良好な密着性を確保し、かつ導体損失を低減させて共振特性を向上させることのできるようにした。
【解決手段】 表面の平滑なセラミック素体１を作製した後（ａ）、Ｚｎの酸化還元電位よりも電気化学的に卑な電位を有する両性金属の金属イオン、例えばＡｌ^３＋、Ｓｉ^４＋を添加したＺｎ溶液を調製し、セラミック素体１をＺｎ溶液に浸漬して該セラミック素体１の表面にＺｎ皮膜２を形成し（ｂ）、この後、無電解めっき処理を施してＺｎ皮膜２上にめっき皮膜３を形成する（ｃ）。 （もっと読む）

【課題】 帯域外減衰特性の劣化及び導体損失の増加を防ぐマイクロストリップライン・フィルタを提供する。
【解決手段】 アルミナのような誘電体の基板上に、伝送系の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスのバンド・パス・フィルタ（ＢＰＦ）１を形成するとともに、基板上に形成された信号入力端４とＢＰＦ１、信号出力端５とＢＰＦ１との間に、伝送系の特性インピーダンスとインピーダンス整合をとるためのマイクロストリップ型のインピーダンス変成部２，３を配備することにより、導体損失の増大を抑えたマイクロストリップライン・フィルタを構成する。 （もっと読む）

【課題】 線路電極の縁端効果を緩和するマイクロストリップ線路を提供し、このマイクロストリップ線路を用いた共振素子及びフィルタ等を提供する。
【解決手段】 線路電極４６の両側の縁部分にエッジ電極４８，４９を形成したストリップ導体４５を用いてマイクロストリップ線路を構成する。これにより、線路電極４６の縁端効果を緩和し、線路電極４６の導体損失を少なくする。 （もっと読む）

【課題】 基板上にマイクロストリップラインを形成して共振器等を構成した伝送路装置において、Ｑ値の高い伝送線路を実現する。
【解決手段】 誘電体基板１の同一平面上には、導体材料からなる線路２、線路３及び線路４が形成されている。誘電体基板１の下部には導体５からなるグランドプレーンが設けられている。線路３は、屈曲部６と屈曲部７の２つの屈曲部を有する半波長ヘアピン共振器に構成されている。屈曲部６と屈曲部７との間の伝送線路の内側の長さ８を線路幅９より長くしている。これにより、屈曲部６において生じた伝送線路断面内の電流分布の不均一が緩和されないまま屈曲部７に電流が流れ込み、さらに電流分布が不均一になることにより導体損失が増加してＱ値が低下することを防止することができる。 （もっと読む）