【課題】一層のノイズ低減を図ることができることはもとより、低周波ノイズの低減を図ることができる比較器、ＡＤ変換器、固体撮像装置、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】比較器５００Ａは、第１の入力サンプリング容量Ｃ５１１と、第２の入力サンプリング容量Ｃ５１２と、出力ノードｄと、一方の入力端子に、第１の入力サンプリング容量を介して、信号レベルが傾きをもって変化するスロープ信号を受け、他方の入力端子に、第２の入力サンプリング容量を介して入力信号を受けて、スロープ信号と入力信号との比較動作を行う差動比較部としてのトランスコンダクタンス（Ｇｍ）アンプ５１１と、Ｇｍアンプの出力部ｃと出力ノードｄとの間に配置され、Ｇｍアンプの出力部の電圧を一定に保持するアイソレータ５３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】コンパレータを小型化、および／または、低消費電力化する。
【解決手段】第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２を比較するコンパレータ１０が提供される。デプレッション型ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴの第１トランジスタＭ１のソースには、第１電圧Ｖ１が、そのゲートには、第２電圧Ｖ２が印加される。デプレッション型ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴの第２トランジスタＭ２のソースおよびゲートは、第１トランジスタＭ１のドレインと接続され、第２トランジスタＭ２のドレインの電位は固定される。コンパレータ１０は、第１トランジスタＭ１と第２トランジスタＭ２の接続点Ｎ１の電位Ｖ_Ｎ１に応じた出力信号ＯＵＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】各動作モードにおいてレベルシフト回路を用いることなく所望の入力電圧範囲となる多入力差動増幅器を提供する。
【解決手段】差動部１は、バイアス部２と出力部３との間に設けられ、第一入力部１０と第二入力部２０とを有する。第一入力部１０は、ソースがバイアス部２と接続され、ドレインが出力部３と接続された１個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１１）からなる。第二入力部２０は、直列接続される２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ２１）、（Ｍ２２）と、直列接続される２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ２３）、（Ｍ２４）とが２列に並列接続される。また、入力端ＩＮａはＭ１１のゲートに接続され、入力端ＩＮｘはＭ２２とＭ２３のゲートに接続され、入力端ＩＮｙはＭ２１とＭ２４のゲートに接続される。バイアス部２は１つの定電流源２１を有し、出力部３は２つのｐ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１、Ｑ２）で構成のカレントミラー回路を有する。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流の検出精度を高めることが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ハイサイドスイッチ回路１０は、入力端子１１と出力端子１２との間に電気的に接続されるスイッチ（ＭＯＳトランジスタ１５）と、ゲート制御部１６と、過電流検出部２０とを備える。過電流検出部２０は、抵抗素子２１と、比較器２２とを含む。比較器２２は、抵抗素子２１の電圧Ｖ１がしきい電圧を超える場合に、過電流を検出する。比較器２２は、過電流時の検出電圧Ｖ１がしきい電圧を上回るように、予め調整される。抵抗素子２１の抵抗値の精度が高くない場合にも、比較器２２の調整によって、過電流の検出精度が高められる。 （もっと読む）

【課題】静電気放電に対する耐性が強く且つ低消費電力にて、遅延時間のバラツキを抑えることが可能な遅延回路及びインバータを提供する。
【解決手段】遅延回路のインバータとして、低電位部は、夫々のソース端子及びドレイン端子が第１共通接続点にて接続されている一対のＦＥＴを有し、高電位部は、夫々のソース端子及びドレイン端子が第２共通接続点にて接続されている一対のＦＥＴを有する。インバータ出力Ｌ２が高電位状態となった場合には、上記第１共通接続点に電源電位ＶＤＤを印加する一方、低電位状態となった場合には、上記第２共通接続点に接地電位ＧＮＤを印加することによりヒステリシス特性を持たせる。更に、製造上のバラツキ又は環境温度の変化に伴う遅延時間の変動を抑制させるべく、上記した電源電位ＶＤＤ又は接地電位ＧＮＤの供給元となり、かつ常時オン状態のＦＥＴを設ける。 （もっと読む）

【課題】スイッチに関し、より具体的には、２つ以上の入力の間でスイッチを切り換える際にポップ音等の好ましくない効果を低減できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】スイッチ１３０は、第１の入力１１０で第１の信号を受取り、そのスイッチ１３０の状態により、出力１２０において出力信号を供給することができるように構成される。スイッチ状態変化は、現在のスイッチ状態とは異なる、要求されたスイッチ状態の指示１１５が受取られ、その第１の信号がしきい値に達するまで、遅らせることが可能である。 （もっと読む）

【課題】消費電流を低減しつつ、回路面積の縮小を図ることが可能なスケルチ回路を提供する。
【解決手段】差動入力される差動入力信号と閾値とを比較して、スケルチ信号を出力するスケルチ回路は、差動入力信号が入力され、前記差動入力信号と前記閾値とを比較して得られた第１のデジタル信号を出力する第１のコンパレータ回路を有する。また、デジタル回路で構成され、前記第１のコンパレータ回路の出力を平滑化し前記スケルチ信号として出力するデジタル平滑化回路を有する。また、第１のコンパレータ回路は、第１のクロック信号により動作が制御され、前記差動入力信号と前記閾値とを比較して得られた第１の差動比較信号を出力する第１のクロックト・コンパレータと第１の差動比較信号が入力され、前記第１の差動比較信号の論理を保持して前記第１のデジタル信号として出力する第１のデータ保持回路を有する。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシスコンパレータの閾値の設定範囲を広げる。
【解決手段】一つの実施形態のヒステリシスコンパレータには、電流源２乃至４、比較増幅部１０、基準電圧発生部２１、カレントミラー回路２３、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ３、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ４、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ６、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ８、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ９、端子Ｐｖｄ、端子Ｐｖ１、端子Ｐｉｎ、端子Ｐｖｓ、及び端子Ｐｏｕｔが設けられる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で低消費電流化を図ることができ、しかも電源電圧の上昇に伴う消費電流の増加を抑制することのできるコンパレータ回路を提供する。
【解決手段】カレントミラー回路を構成するPMOSFET 11及びPMOSFET 12の各ソースは電源Vddに接続され、そのゲートは互いに接続される。ダイオード接続されているPMOSFET 11のドレインはNMOSFET 13のドレインに接続される。NMOSFET 13のゲートには信号V1が印加される。一方、PMOSFET 12のドレインはNMOSFET 14のドレインに接続される。またPMOSFET 12及びNMOSFET 14の各ドレインを結ぶ共通接続点から出力信号Voが導出される。NMOSFET 14のゲートには入力信号V2が印加される。そして、信号V1の値を定電圧素子によって決めることにより、電源電圧や入力信号V2が変わってもテール抵抗18の両端電圧が一定であるようにする。 （もっと読む）

【課題】オフセットキャンセル動作において発生する消費電力を低減可能なコンパレータを提供する。
【解決手段】差動入力信号を受ける一対のＭＯＳトランジスタのドレインと高電位電源線に接続し、一対のＭＯＳトランジスタのドレインに接続する差動出力ノード間の電位差を増幅し、増幅後の電位を差動出力ノードに保持する増幅部と、差動出力ノード間の電圧増幅時に、差動出力ノードにキャンセル電流を流し、増幅部による増幅動作後に、一対のＭＯＳトランジスタのドレイン電圧に応じて差動出力ノードへのキャンセル電流の流入を遮断するキャンセル回路と、差動入力信号の一方の信号の電位を他方の信号の電位と等しく設定し、差動出力ノード間の電位差を増幅したときに、差動出力ノード間の電位が、キャンセル電流を注入する前に比較し、キャンセル電流の注入後に逆転するように、キャンセル電流を設定するコントローラと、を備える増幅回路。 （もっと読む）

【課題】単独の動作モード信号で動作モードを切り替えるコンパレータ回路において、コンペアモードでコンパレータ回路の出力値が確定した後も、入力部から出力部に向けて不要な電流が流れてしまう。
【解決手段】本発明の集積回路では、コンパレータ回路に、入力部および出力部の間の、リーク電流が通る電流パスに含まれるトランジスタを制御する論理回路を追加する。この論理回路は、動作モード信号と、コンパレータ回路の出力信号とを入力し、コンパレータ回路の出力信号が確定した後は電流パスを遮断状態にする。 （もっと読む）

【課題】コンパレータの比較速度の悪化や消費電力の増加を抑えて入力信号に加わるオフセットを補正する。
【解決手段】比較回路部１１において、比較対象の２つの差動入力信号ＶＩＰ，ＶＩＭを入力するトランジスタＮＭ１，ＮＭ２のバックゲートＢＧ１，ＢＧ２のそれぞれに可変容量Ｃ１，Ｃ２と抵抗Ｒ１，Ｒ２を並列に接続し、可変容量Ｃ１，Ｃ２と抵抗Ｒ１，Ｒ２の少なくとも一方の値を可変することで差動入力信号ＶＩＰ，ＶＩＭに加わるオフセットを補正する。 （もっと読む）

【課題】互いに位相の異なるクロック信号の段階的な調整に適したＤＣオフセット及び位相差検出装置及びＤＣオフセット及び位相差検出方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかるＤＣオフセット及び位相差検出装置５０は、互いに位相の異なる第１及び第２のクロック信号の各々のＤＣオフセット量を検出し、各クロック信号のＤＣオフセット量を示すＤＣオフセット信号を生成するＤＣオフセット検出部５１と、前記ＤＣオフセット信号に応じて前記第１及び第２のクロック信号をＤＣオフセット調整することで生成された第３及び第４のクロック信号の位相差量を検出し、前記位相差量を示す位相差信号を生成する位相差検出部５２とを備える。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路において、電源電圧が変動した場合のオフセットを抑制する。
【解決手段】レベルシフト回路１は、差動増幅回路１０、電流発生回路１１、コンデンサ１２、保持回路１３を備える。差動増幅回路１０の非反転入力端子（＋）に光ピックアップ２からの入力信号Ｖｉｎが印加される。先ず、第１のスイッチ１４ａをオンすることにより、差動増幅回路１０、電流発生回路１１、コンデンサ１２によりフィードバックループを形成してレベルシフトを行い、コンデンサ１２に充電された電圧を保持回路１３で保持する。その後、第１のスイッチ１４ａをオフし、第１のスイッチ１４ｂをオンすることにより、保持回路１３によって保持された電圧を差動増幅回路１０の非反転入力端子（＋）に印加してレベルシフトを行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は差動入力信号を受けるトランジスタの特性のばらつきに伴う比較誤差を制御することが可能な比較器を提供することである。
【解決手段】
第１信号を受ける第１トランジスタと、第２信号を受ける第２トランジスタとからなる入力部と、第１電流経路と、第２電流経路と、第１電流経路中の第１ノード及び第２電流経路中の第２ノード間の電位差を増幅するラッチ回路と、第１トランジスタへの高電位の供給又はグランド電位の供給、または供給の遮断を行う第１スイッチと、第２トランジスタへの高電位の供給又はグランド電位の供給、または供給の遮断を行う第２スイッチと、第１電流経路及び前記第２電流経路にグランド電位を供給又は供給の遮断を行う第３スイッチとを有する比較動作制御部と、第１スイッチ、第２スイッチ、第３スイッチの供給又は供給の遮断を独立して制御する比較動作設定部とを備えることを特徴とする比較回路が供給される。
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【課題】高速動作しつつ、良好な信号を出力することができるコンパレータ回路及びＬＶＤＳレシーバを提供する。
【解決手段】コンパレータ回路２０を構成する増幅部５２は、カスケード接続された複数のインバータ回路を有する。複数のインバータ回路５３〜５５のうち初段のインバータ回路５３に帰還抵抗Ｒ１を設けると共に、この初段のインバータ回路５３の入力ノードｔ１と出力ノードｔ２に双方向ダイオードとして機能させたトランジスタＱ３３，Ｑ３４を接続する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧信号の振幅を十分にとれない場合があった。
【解決手段】本発明は、参照電圧を入力する第１、第２の端子と、基準電圧を入力する第３の端子と、検出すべき電圧を入力する第４の端子と、参照電圧の電位差に応じた電流をそれぞれ流す第１、第２のトランジスタ（以下、Ｔｒ）と、第１のＴｒと直列接続される第３のＴｒと、第２のＴｒと直列接続される第４のＴｒと、第３のＴｒの流す電流に応じたミラー電流を流す第５のＴｒと、第４のＴｒの流す電流に応じたミラー電流を流す第６のＴｒと、第６のＴｒと第４の端子との間に接続される第７のＴｒと、第５のＴｒと第３の端子との間に接続され、第７のＴｒの流す電流に応じたミラー電流を流す第８のＴｒと、を有し、第５、第８のＴｒの中間ノードの電圧に応じた電圧を出力信号として出力するコンパレータ回路である。 （もっと読む）

【課題】容易に計算でき、出力精度を高め得るとともに，初期化させる必要な半導体集積回路及び種種の応用に対して高精度且つ有効なリセット信号を提供する。
【解決手段】電源電圧が一定のクランプ電圧レベルを超えると電源電圧の上昇に従って電圧が上昇するチャージクランプ回路と、電源電圧の上昇に基づき一定比率で電圧が上昇する分圧回路と、該チャージクランプ回路の出力と該分圧回路の出力を比較してチャージクランプ回路の出力電圧が上回った場合にリセット信号を出力するコンパレータ回路からなり、さらに、該比較回路の出力から出されるリセット信号を保持するヒステリシス回路を有するパワーオンリセット回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】温度、プロセス、電源電圧の変動に強く、安定したスケルチ検出信号を出力することができるスケルチ検出回路を提供する。
【解決手段】受信した差動信号ＲＸ＋，ＲＸ−の電位振幅が所定値を超えているときその検出信号Ｖｐをパルスとして出力するピーク検出回路１１と、ピーク検出回路１１から出力する検出信号Ｖｐのパルス幅を差動信号ＲＸ＋，ＲＸ−の少なくとも１周期分延長するパルス幅延長回路１２とを備える。ピーク検出回路１１は、差動信号ＲＸ＋，ＲＸ−に同一のＤＣバイアスを与えた後にその差分に対応する電圧信号Ｖｄａｔａを出力する入力差動増幅回路１１Ａと、入力差動増幅回路１１Ａのほぼレプリカ回路として構成され、参照電圧Ｖｒｅｆ’をレベルシフトしたシフト参照電圧Ｖｒｅｆを出力するレプリカ参照電圧生成回路１１Ｂと、電圧信号Ｖｄａｔａとシフト参照電圧Ｖｒｅｆとを比較して検出信号Ｖｐを出力する電圧比較回路１１Ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速信号を符号間干渉なく信号を受信することができる信号処理回路（コンパレータ回路）を提供することを課題とする。
【解決手段】入力信号から出力信号への信号伝達特性がクロック信号により変化するように入力信号を処理して出力信号を出力する入力回路（３１１１）と、クロック信号により活性化状態になった期間に入力回路の出力信号を増幅する増幅回路（３１０２）とを有する信号処理回路が提供される。 （もっと読む）