【課題】所望の論理回路を構成する記憶素子ブロックの総量を減らすことを図る。
【解決手段】Ｎ（Ｎは、２以上の整数）本のアドレス線と、Ｎ本のデータ線と、複数の記憶部であって、各記憶部は、前記Ｎ本のアドレス線から入力されるアドレスをデコードしてワード線にワード選択信号を出力するアドレスデコーダと、前記ワード線とデータ線に接続し、真理値表を構成するデータをそれぞれ記憶し、前記ワード線から入力される前記ワード選択信号により、前記データを前記データ線に入出力する複数の記憶素子を有する、複数の記憶部と、を備え、前記記憶部のＮ本のアドレス線は、前記記憶部の他のＮ個の記憶部のデータ線に、それぞれ接続するとともに、前記記憶部のＮ本のデータ線は、前記記憶部の他のＮ個の記憶部のアドレス線に、それぞれ接続する半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】電源が遮断されてもデータが保持される新規な論理回路を提供する。また、消費電力を低減できる新規な論理回路を提供する。
【解決手段】２つの出力ノードを比較する比較器と、電荷保持部と、出力ノード電位確定部とを電気的に接続することにより、論理回路を構成する。それにより、電源が遮断されてもデータが保持される論理回路を得ることができる。また、論理回路を構成するトランジスタの総個数を低減させることができる。更に、酸化物半導体を用いたトランジスタとシリコンを用いたトランジスタを積層させることで、論理回路の面積の削減が可能になる。 （もっと読む）

【課題】電源遮断後の起動時間が短く、高集積化及び低消費電力化を図ることが可能であるプログラマブルロジックデバイスを提供する。
【解決手段】入出力ブロックと、論理エレメントを有する複数の論理ブロックと、該複数の論理ブロックを接続する配線とを有するプログラマブルロジックデバイスにおいて、論理エレメントは、コンフィギュレーションデータが保持されたコンフィギュレーションメモリ及び選択回路を有するルックアップテーブルを有する。また、コンフィギュレーションメモリは、酸化物半導体膜をチャネル領域に有するトランジスタと、該トランジスタ及び選択回路の間に設けられた演算回路とを有するメモリ素子を複数有し、入力信号に応じて選択回路によりコンフィギュレーションデータを選択的に切り替えて出力する。 （もっと読む）

【課題】電源電位の供給が遮断されたときでもコンフィギュレーションデータの保持が可能で、電源投入後の論理ブロックの起動時間が短い、低消費電力化が可能なプログラマブルロジックデバイスを提供すること。
【解決手段】プログラマブルスイッチのメモリ部のトランジスタに、トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドバンドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて当該トランジスタを構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、電源電位の供給が遮断されたときでもコンフィギュレーションデータを保持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】新たな構成の不揮発性の記憶回路を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】信号処理回路は、電源電圧が選択的に供給され、第１の高電源電位が選択的に与えられる第１のノードを有する回路と、第１のノードの電位を保持する不揮発性の記憶回路とを有する。不揮発性の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなる第２のノードとを有する。トランジスタはエンハンスメント型のｎチャネル型のトランジスタである。トランジスタのゲートには、第２の高電源電位または接地電位が入力される。電源電圧が供給されないとき、トランジスタはゲートに接地電位が入力されてオフ状態を維持する。第２の高電源電位は、第１の高電源電位よりも高い。 （もっと読む）

【課題】電源電位の供給が遮断されたときでも論理回路の切り替え状態の保持が可能で、電源投入後の論理ブロックの起動時間が短く、低消費電力化が可能な、否定論理積（ＮＡＮＤ）回路および否定論理和（ＮＯＲ）回路を容易に切り替えることができる論理回路を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを介して、ノードへの電荷保持状態を切り替えることによって、否定論理積（ＮＡＮＤ）回路および否定論理和（ＮＯＲ）回路を容易に切り替えることができる。当該トランジスタにはワイドバンドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いることによって、トランジスタのオフ電流を十分に小さくできるため、ノードに保持した電荷の状態を不揮発とすることができる。 （もっと読む）

【課題】スピン・トランスファ・トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ技術を用いるソフトウェア・プログラマブル・論理のためのシステム，回路および方法を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子と、ＭＴＪ素子に結合されるプログラマブル・ソースと、書込み及び読出し部を備え、前期読出し部は、書込み動作の間中、高インピーダンス状態に設定されるように構成されるＭＵＸドライバを具備し、前記ＭＴＪ素子の第一グループを入力プレーンに配列し、第二グループを出力プレーンに配列し、入力プレーンおよび出力プレーンを、各々のＭＴＪデバイスの自由層の相対的な極性に基づいた論理関数を形成するために組み合わせられるプログラマブル・論理アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】デバイスの小面積化と低消費電力化を実現することが可能なリコンフィギュラブルロジックブロック、並びにこれを用いたプログラマブル論理回路装置、及び、テクノロジマッピング方法を提供する。
【解決手段】最大Ｋ入力（ｘ［０］〜ｘ［Ｋ−１］）のリコンフィギュラブルロジックブロック（Ｋ−Ａ^２ＬＵＴ）は、ｍ入力（ｙ［０］〜ｙ［ｍ−１］、ただしｍはＫよりも小さくｙはｘに属する）の第１ルックアップテーブル１と、ｎ入力（ｚ［０］〜ｚ［ｎ−１］、ただしｎはＫよりも小さくｚはｘに属する）の第２ルックアップテーブル２と、ｐ入力（ｃ［０］〜ｃ［ｐ−１］、ただしｐはＫよりも小さくｃはｘに属する）の組み合わせ回路３と、組み合わせ回路３の出力に応じて第１ルックアップテーブル１と第２ルックアップテーブル２のいずれか一方を選択するセレクタ４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ブートストラップ機能を有する電子回路に関し、出力電圧の降下を防止して、論理否定型電子回路の誤作動を阻止し、また、長い作動時間を確保する。
【解決手段】 負荷トランジスタ、駆動トランジスタ部、充電用トランジスタ並びにブートストラップ容量を具備し、入力電圧の位相を出力部から反転せしめて出力する論理否定型電子回路について、入力される電圧の位相を反転させて出力するインバータ回路をさらに設け、このインバータ回路の入力節点を前記出力部に、出力節点を前記充電用トランジスタのゲートにそれぞれ接続する。 （もっと読む）

【課題】 ブートストラップ機能を有する電子回路に関し、出力電圧の降下を防止して、論理否定型電子回路の誤作動を阻止し、また、長い作動時間を確保する。
【解決手段】 負荷トランジスタ、駆動トランジスタ部、充電用トランジスタ並びにブートストラップ容量を具備し、入力電圧の位相を出力部から反転せしめて出力する論理否定型電子回路について、前記充電用トランジスタのソース−ドレイン間の電圧が電源の電圧Ｖｄｄと同値の電圧であるときに、これらソース−ドレイン間を流れる電流が１×１０^−９Ａ以下となる範囲の電圧をこの充電用トランジスタのゲートに印加する定電圧印加手段を接続する。 （もっと読む）

【課題】
低い電源電圧でも動作可能な論理回路を提供する。
【解決手段】
論理回路は，電源電圧側に接続された第１導電型の第１のMOSFETと，基準電圧側に接続されゲートに入力信号が供給される第１導電型の第２のMOSFETと，第１，第２のMOSFETの電流端子の接続ノードに接続された出力端子と，第１のMOSFETのゲートとソース間に設けられたカップリングキャパシタと，第１のMOSFETのゲートと電源電圧との間に設けられた抵抗とを有する。 （もっと読む）

【課題】論理回路の冗長性を排除することで、面積効率を高めることが可能なプログラマブル論理回路装置およびその回路決定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プログラマブル論理回路は、構成データによる回路変更および配線スイッチ部による配線の入れ替えにより、一の論理関数を実現するゲート回路を、該一の論理関数とＮＰＮ同値類に属する他の論理関数のみを実現するゲート回路と共通させている。この回路変更は、Ｎ操作のためのプログラマブルＮＯＴゲートによる入力反転部と、２入力ＮＡＮＤゲートまたは２入力ＯＲゲートが、二分木の木構造で、それぞれの接続線の間にプログラマブルＮＯＴゲートを介在させて接続された基本回路と、Ｎ操作のためのプログラマブルＮＯＴゲートによる出力反転部とに、構成データを与えることにより行う。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルロジックデバイスに適用してプログラマブルロジックアレー集積回路デバイスの動作速度を増加するための相互接続リソースの提供。
【解決手段】プログラマブルロジック集積回路（１０）は、交差する複数の領域の行および列からなる配列をもって、デバイス上に配置された複数のプログラマブルロジック領域（２０）を有する。領域から領域へおよび／または領域間におけるプログラム可能な相互接続を形成するための相互接続リソース（例えば、相互接続コンダクタ等）が設けられ、これらのうちの少なくともいくつかは、構造的には類似であるが著しく異なる信号伝送速度特性を有する２つの形式で構成される。例えば、これらの双対形式相互接続リソースのうちの主要なまたは大きな部分（２００ａ，２１０ａ，２３０ａ）はノーマル速度と呼ばれるものであり、少ないほうの部分（２００ｂ，２１０ｂ，２３０ｂ）は大幅に高速な信号速度を有する。 （もっと読む）

【課題】メモリアレイのワードライン・ドライバ回路として使用できる、大きくなく、低消費電力の回路を提供する。
【解決手段】半導体・オン・インシュレータ（ＳｅＯＩ）基板上に形成された回路であって、電源電位を印加する為の第１、第２の端子間に第２のチャネル型のトランジスタと直列の第１のチャネル型のトランジスタを含み、トランジスタの各々が薄層におけるドレイン領域およびソース領域と、ソース領域とドレイン領域間に延びるチャネルと、チャネルの上方に配置されたフロント・コントロール・ゲートとを備え、各トランジスタが、トランジスタのチャネルの下方のベース基板に形成され、かつトランジスタの閾値電圧を調整する為にバイアスされうるバック・コントロール・ゲートを有し、トランジスタのうちの少なくとも１つが閾値電圧を十分に調整するバックゲート信号の作用の下、空乏モードで動作するように構成される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減したマルチプレクサを提供する。
【解決手段】マルチプレクサ１００は、複数の差動信号を受け、制御信号に応じたひとつを選択して出力ポートＰｏから出力する。複数の差動入力ポートＰｉ_１〜Ｐｉ_５には、複数の差動信号Ａ〜Ｅそれぞれが入力される。バッファＢＵＦ_１〜ＢＵＦ_５は、複数の差動入力ポートＰｉ_１〜Ｐｉ_５ごとに設けられ、それぞれが、対応する差動入力ポートと接続される差動入力端子Ｄｉと、出力ポートＰｏと接続される差動出力端子Ｄｏを有する。バッファＢＵＦは、差動入力端子Ｄｉに入力される差動信号に応じた差動信号を出力するイネーブル状態と、消費電流が実質的にゼロとなり、その差動出力端子がハイインピーダンスとなるディスエーブル状態と、が制御信号に応じて切りかえ可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スイッチボックスを有する周辺接続ネットワークに外部接続され、プログラム可能な入出力ブロックに接続され、論理関数を実行する再構成可能な論理セルの相互接続配列に関する。
【解決手段】論理セル［ｉ，ｊ］は、１次元ｉ行（ｉ＝１〜ｄ）、２次元ｊ列（ｊ＝１〜ｗ、ｄ≧２かつｗ＝２又はｄ＝２かつｗ≧２）となるように配列され、第１及び第２入出力を含み、論理セルそれぞれの第１入出力は、接続ネットワークに接続され、論理セルそれぞれの第２入出力は、第１及び最終の行列がそれぞれｄ＞２又はｗ＞２となる場合を除いて、他の異なる行列の論理セルに接続され、ｗ＝２となる両列の間で、かつｄ＝２となる両行の間で、かつ一方向及び逆方向に沿って引き続いて周期的に振動する交差相互接続トポロジを通過して、論理関数の論理深度が、１かつ２×ｄの間で、又は1かつ２×ｗの間で構成される。 （もっと読む）

【課題】機能ブロックの入力ポート数が増加しても、ハードウェア規模の増加を抑制可能な再構成可能デバイスを提供する。
【解決手段】再構成可能デバイス１は、機能ブロック１０及び１１等の複数の機能ブロックと、機能ブロック間を切り替え可能に接続するプログラマブル・スイッチ１５とを備えている。機能ブロック１０及び１１は、プログラマブル・スイッチ１５と接続されるデータ入力ポート１０４及びデータ出力ポート１０５を有する。さらに、機能ブロック１０と１１の間はプログラマブル・スイッチ１５を介さずに、ダイレクト入力ポート１０１及びダイレクト出力ポート１０２を接続するダイレクト配線１０３により接続されている。 （もっと読む）

準安定性強化格納回路は、少なくとも１つの反転回路を含む。反転回路は、論理入力を有している。反転回路の論理入力は、一対の物理入力に分割される。第一の反転回路を含み、該第一の反転回路は、一対の物理入力に分割される論理入力を有している、準安定性強化格納回路。１つの例示的実施形態において、準安定性強化格納回路は、反転回路（または、代替的に、非反転回路）を含む。反転回路（または非反転回路）は、一対の物理入力に分割される論理入力を有している。
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【課題】同一のディプレッション型トランジスタから構成することによって同一プロセスにて簡易に製造できるとともに、低温で生成された場合であっても良好な出力特性を得ることができるＦＥＴを有し、高速駆動可能な半導体電子回路を提供すること。
【解決手段】デジタル回路１００は、２つのディプレッション型ＦＥＴから構成され、入力電圧の電圧レベルをマイナス方向にシフトするレベルシフト回路ユニット１１０と、２つのディプレッション型ＦＥＴから構成され、レベルシフトされた入力電圧を用いて論理出力を反転させるインバータ回路ユニット１２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高いシングルイベント耐性を有するＮＡＮＤ素子、ＮＯＲ素子を提供する。
【解決手段】チャネルが並列に接続された第１のｐチャネルＭＯＳトランジスタ及び第２のｐチャネルＭＯＳトランジスタと、チャネルが直列に接続された第１のｎチャネルＭＯＳトランジスタ及び第２のｎチャネルＭＯＳトランジスタと、が第１の電圧源側に接続されたノードから第２の電圧源側に接続されたノードに向かって直列にＳＯＩ構造の基板上で接続され、それらのトランジスタのそれぞれに対して、それとゲート同士が相互に接続された同じ導電型のチャネルのＭＯＳトランジスタがチャネルが直列に更に接続された二重化構造を有する。 （もっと読む）