【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子ＬＤの駆動電流を増減する駆動回路３である。差動信号の正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子と、差動信号の逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子と、発光素子ＬＤのアノードに接続されている端子と、正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子に接続されている逆相信号処理回路と、アノードが接続されている端子に接続されている第１及び第２の電圧制御電流源回路を備える。第１の電圧制御電流源回路には、正相信号Ｖｉｎｐに対応する電圧及び逆相信号Ｖｉｎｎの逆相に対応する電圧が入力され、第２の電圧制御電流源回路には、逆相信号Ｖｉｎｎに対応する電圧及び正相信号Ｖｉｎｐの逆相に対応する電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、特殊なプロセスを用いることなく、充放電回路全体の耐圧を向上させることを可能にして、低コストで出力用ＭＯＳＦＥＴの低オン抵抗化を図る。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５のゲート・ソース間に配された複数の充放電回路７ａ、７ｂを直列に接続し、これらの充放電回路７ａ、７ｂの各々に、２つのフォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの各々を並列に接続した。この構成においては、各フォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの光起電力に相当する電圧が、そのフォトダイオードアレイに並列に接続された充放電回路（７ａ又は７ｂ）内のＭＯＳＦＥＴ（８ａ又は８ｂ）のみにかかり、それ以外の充放電回路内のＭＯＳＦＥＴにはかからない。従って、２つの充放電回路７ａ、７ｂの全体の耐圧を、これらの充放電回路７ａ、７ｂに含まれる、複数のＭＯＳＦＥＴ８ａ、８ｂの耐圧の合計にすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレーにおいて、ＬＥＤの駆動電力の低減を図る。
【解決手段】半導体リレー１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ安価な構成であるにも拘わらず、スナバ回路及び制御回路のいずれの損傷に対しても、他の電子部品の焼損を適切に防止する。
【解決手段】入力端子の間に接続される発光素子８からの光を光電変換する受光素子９と、交流電源３と負荷４とが接続される出力端子６と、受光素子９の一端と出力端子６の一方とを結ぶ第１接続ライン１１と、受光素子９の他端と出力端子６の他方とを結ぶ第２接続ライン１２と、第１接続ライン１１と第２接続ライン１２の間に接続される、受光素子９からの出力に基づいて導通するスイッチング素子１２と、コンデンサと抵抗とを直列接続してなるスナバ回路１４とを備える。スナバ回路１４の抵抗は、第１接続ライン１１の、受光素子９の一端と、スイッチング素子１２の一端との間に接続し、抵抗とスイッチング素子１２の一端との間に過電流防護素子２１を接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を安定させ、しかも、このオン／オフ動作の速度を、従来よりも速くする。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のソースと誘電体分離チップの１０の支持基板１４とを電気的に接続したことにより、誘電体分離チップ１０の支持基板１４の電位を、出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のソースの電位に固定することができる。これにより、活性領域・支持基板間容量Ｃ_ＰＣに貯めることが可能な電荷の量の安定化を図れ、しかも、この容量Ｃ_ＰＣの電気的な接続先が固定される。従って、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を安定させることができる。また、従来と異なり、上記容量Ｃ_ＰＣの全てが、出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のゲート・ソース間に並列に配置されて寄生容量として働くことがなくなるので、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を、従来よりも速くすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、装置全体のチップサイズを小さくして、チップコストの低減と実装面積の縮小化を図る。
【解決手段】従来はｐ型単結晶シリコン島２１３に形成していた（充放電回路における）ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ２０８（図（ａ）参照）を、ｎ型単結晶シリコン島１３に形成したｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ８（図（ｂ）参照）に変更した。これにより、ｎ型単結晶シリコン島１３のキャリアの通路の断面積を、ｐ型単結晶シリコン島２１３のキャリアの通路の断面積の２分の１以下にしても、これらのキャリアの通路における抵抗値を同じにすることができる。従って、ＭＯＳＦＥＴ８をｎ型単結晶シリコン島１３にｎチャネル型で形成することにより、オン抵抗を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８に比べて大きくすることなく、ＭＯＳＦＥＴ８のゲート幅Ｗ３を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８のゲート幅Ｗ１より小さくできる。 （もっと読む）

【課題】絶縁回路の発光素子の発光量を測定することなく、絶縁回路の健全性を確認することができる絶縁回路の健全性確認装置を提供する。
【解決手段】絶縁回路１に対する入力信号がオン状態のときに光を発するように設けられた発光素子１ａに対し、入力信号がオフ状態のときに所定の周期で電流が流れるように制御する電流制御器１１と、所定の周期Ｔ１で発光素子１ａに電流が流れている際に、発光素子１ａが発する光を受けた際に導通するように設けられた受光素子１ｂが所定の周期Ｔ１以上継続してオフ状態となる場合を発光素子１ａの異常として検出する検出器１８と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】理想的な高耐圧、低オン抵抗且つ低オフ容量の半導体リレーを提供する。
【解決手段】入力素子に発光ダイオード１１を備えるとともに出力素子に二つのトランジスタ１２，１３を備える半導体リレー１０であって、前記二つのトランジスタが、相違する耐電圧及び／又は相違する電気容量を有する。また、一方の前記トランジスタ１２が、他方の前記トランジスタ１３より、高耐電圧及び／高電気容量である。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧設定回路の抵抗器の開放故障に対するフェールセーフ性を確保し、且つ、検査信号がオフ制御されたときの消費電力を低減できる接点入力回路の実現。
【解決手段】接点入力回路１０は、接点の開閉状態を示す入力信号が入力される正入力端子１１と負入力端子１２との間に、第１抵抗器Ｒ１、第３抵抗器Ｒ３及び第４抵抗器Ｒ４が直列接続されている。そして、直列接続された第３抵抗器Ｒ３及び第４抵抗器Ｒ４に対して、第２抵抗器Ｒ２、第１フォトカプラＰ１のフォトダイオードＰｄ１及び第２フォトカプラＰ２のフォトトランジスタＰｔ２が順方向に直列接続されてなる第２回路部１６が並列接続されている。また、第４抵抗器Ｒ４に対して、第２フォトカプラＰ２のフォトダイオードＰｄ２及び第３フォトカプラＰ３のフォトトランジスタＰｔ３が順方向に直列接続されてなる第１回路部１５が並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び半導体リレー装置において、製造コストを抑えつつ、ＣＲ積の値を小さくする。
【解決手段】双方向スイッチ１を構成する２つのＭＯＳＦＥＴのうち、一方のＭＯＳＦＥＴ２に、化合物半導体で構成されたユニポーラ型化合物半導体装置を用い、他方のＭＯＳＦＥＴ３に、シリコンで構成されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いる。ここで、ユニポーラ型化合物半導体装置の中には、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりもＣＲ積の値が小さいものが多く存在する。従って、一方のＭＯＳＦＥＴ２にユニポーラ型化合物半導体装置を用いたことにより、両方のＭＯＳＦＥＴ２、３にＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いた場合に比べて、装置全体のＣＲ積の値を小さくできる蓋然性が高まる。また、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりも製造コストの高いユニポーラ型化合物半導体装置を２つ用いた場合に比べて、製造コストを抑えられる。 （もっと読む）

【課題】ノイズによってインバータなどの出力電流の極性を誤って検出することなく、正確に検出する。
【解決手段】単方向の電流をスイッチングできるスイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続された還流ダイオードからなる逆導通スイッチと、直列に接続されたダイオードと抵抗とフォトカプラと直流電源で構成された電流極性判別器で、前記直流電源の電圧値を前記還流ダイオードに電流が流れた時のみ前記フォトカプラがオンするように設定し、該フォトカプラの出力を電流の極性判別とすることで電圧比較を行うことがなくノイズによる誤検知を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】
メモリカードを使うデバイス側の回路に手を入れることなく、複数のメモリカードをデバイスに接続でき、それらを手動差し替えでなく電子的に切り替えることができるようにする。
【解決手段】
データバスおよび電源がメモリカード間で直結されており、クロックラインのみフォトＭＯＳリレーで切り替え、排他的に一枚のみにクロックが共有されるようにするとともに、フォトＭＯＳリレーの出力から２ＫΩ前後のダンピング抵抗と１０ＫΩ前後のプルアップ抵抗を介してメモリカードへクロックを共有する。 （もっと読む）

【課題】外部機器に応じてシンク型及びソース型の出力信号が出力可能であるとともに、出力信号の切替えに必要とされる構成部品の共通化を図ることの可能な信号出力装置及びロボットコントローラーを提供する。
【解決手段】出力電流をオンオフ制御するための制御信号が入力される制御端子２３ａ，２４ａと、端子間の通電により一方の端子からシンク電流を出力する出力端子対であるシンク用出力端子２８ａ及びシンク用共通端子２８ｂと、端子間の通電により一方の端子からソース電流を出力する出力端子対であるソース用出力端子２９ｂ及びソース用共通端子２９ａと、一つの制御端子と一つの出力端子対との間に接続されて、該制御端子からの制御信号に基づき該出力端子対での通電をオンオフ制御するスイッチングデバイス１５とを備え、制御端子２３ａに対する第１の出力端子対の相対位置と、制御端子２４ａに対する第２の出力端子対の相対位置とが互いに等しい。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつフォトカプラの耐用寿命を延ばすことができるデータ処理装置を提供すること。
【解決手段】フォトカプラの入出力データを処理するデータ処理装置は、フォトカプラの入力側と出力側の間で伝送されるデータを構成する所定ビットのパケットデータ群の過半数が「１」のビットか「０」のビットかを判断する過半数ビット判断部と、「１」のビットが過半数を占めると判断されたパケットデータ群を構成する各ビットの値を反転する入力信号処理部と、過半数ビット判断部が判断した結果に応じた制御情報を、過半数を「０」のビットが占めるパケットデータ群又は各ビットの値が反転されたパケットデータ群に付加して、フォトカプラに出力する制御情報付加部と、フォトカプラの受光部で得られた制御情報に応じて、受光部が受信したパケットデータ群を構成する各ビットの値を反転し、制御情報を除くデータを出力する出力信号処理部とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体リレーを小型化すること。
【解決手段】半導体リレー１は、発光ダイオードＬＤ、フォトダイオードＰＤ、スイッチ素子Ｑ、および抵抗Ｒを備える。フォトダイオードＰＤのアノードには、スイッチ素子Ｑのソースと、端子Ｐ４と、が接続される。フォトダイオードＰＤのカソードには、スイッチ素子Ｑのゲートと、抵抗Ｒの一端と、が接続される。抵抗Ｒの他端には、スイッチ素子Ｑのドレインと、端子Ｐ３と、が接続される。 （もっと読む）

【課題】専有面積が小さくかつ多数の半導体リレーを搭載可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】半導体リレー１の発振回路１０と、昇圧回路２０と、充放電回路３０とが１チップで構成されている。この半導体リレー１は、第１及び第２の入力端子Ｔ_ｉ１、Ｔ_ｉ２に接続され、入力信号に応答して発振し、信号を生成する発振回路１０と、この発振回路１０の信号を受信して電圧を発生する昇圧回路２０と、この昇圧回路２０によって発生した電圧を充放電する充放電回路３０と、充放電回路３０にゲート及びソースが接続された出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂからなる出力部４０とを具備している。そして、この出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂのドレイン端子を第１及び第２の出力端子Ｔ_ｏ１、Ｔ_ｏ２とする構成である。 （もっと読む）

【課題】低電流下で使用可能であり、高温側での使用が可能で安全でかつ駆動電力効率の高い半導体リレーを提供する。
【解決手段】半導体リレー１は、第１及び第２の入力端子Ｔ_ｉ１、Ｔ_ｉ２に接続され、入力信号に応答して発振し、信号を生成する発振回路１０と、この発振回路１０の信号を受信して電圧を発生する昇圧回路２０と、この昇圧回路２０によって発生した電圧を充放電する充放電回路３０と、充放電回路３０にゲート及びソースが接続された出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂからなる出力部４０とを具備している。そして、この出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂのドレイン端子を第１及び第２の出力端子Ｔ_ｏ１、Ｔ_ｏ２とする構成である。 （もっと読む）

【課題】従来の近接センサよりも応答性が向上した近接センサ及び電子機器を提供する。
【解決手段】近接センサ１は、電流信号Ｓ３の電流値が第２閾値電流以下になったとき、記憶部２１に格納されている状態情報を状態ＳＴ１に更新し、状態情報が状態ＳＴ１であって、かつ、上記電流値が第２閾値電流を越えたとき、状態情報を状態ＳＴ２に更新し、上記電流値が第１閾値電流以上になったとき、状態情報を状態ＳＴ３に更新し、状態情報が状態ＳＴ３であって、かつ、上記電流値が第１閾値電流を下回ったとき、状態情報を状態ＳＴ４に更新する状態更新部２２と、状態情報が状態ＳＴ１または状態ＳＴ４に更新されたとき、被検出対象Ｂが近接していないことを示す信号Ｓ６を外部に出力するとともに、状態情報が状態ＳＴ２または状態ＳＴ３に更新されたとき、被検出対象Ｂが近接していることを示す信号Ｓ６を外部に出力する制御部５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の少ない回路によって２線式電子スイッチのＯＮ／ＯＦＦ状態を的確に検出できる外部アダプターを提供する。
【解決手段】 外部アダプター１１は、電子スイッチ１に接続される２つの入力端子１２，１３を備える。分圧抵抗器Ｒ１，Ｒ２は入力電圧を分圧し、分圧抵抗器Ｒ２の両端電圧に基づいて、フォトカプラー１４が電子スイッチ１のＯＮ／ＯＦＦ状態を検出する。インピーダンス調整回路１９は、入力端子１２，１３間に介装された調整抵抗器Ｒ３、フォトカプラー１４の出力に応答して調整抵抗器Ｒ３への通電／遮断を切り替えるトランジスタＱ１およびフォトＭＯＳリレー１８を備え、アダプター１１の入力インピーダンスを電子スイッチ１の接点導通状態で相対的に高く、接点非導通状態で相対的に低く調整する。 （もっと読む）