【課題】駆動用のＭＯＳトランジスタのオン抵抗が小さく、リーク電流の発生を防ぎ、しかも小型化、低消費電力化に適した昇降圧回路を提供する。
【解決手段】入力電圧ＩＮ2が入力される入力端子１０４、入力電圧ＩＮ2に基づいてＶCCまたはＧＮＤを出力するＭＯＳトランジスタ２０１、２０３、入力電圧ＩＮ2に基づいて２ＶCCまたはＧＮＤを出力するＭＯＳトランジスタ２０２、２０４、ＭＯＳトランジスタ２０１、２０２に一端が接続され、他端がＭＯＳトランジスタ２０２、２０４に接続される容量素子２０６、ソース・ドレイン端子の一方に２ＶCCが供給され、ソース・ドレイン端子の他方にＶCCが供給され、２ＶCCまたはＧＮＤがゲート端子に供給され、２ＶCCまたはＧＮＤによってオン、オフされるＭＯＳトランジスタ２０５と、によって昇圧回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比してより少ない追加素子数で、消費電流を増加させることなく、出力電流の最大値を、回路定数の調整によって、他の諸特性に影響を及ぼすことなく設定可能とする。
【解決手段】入力信号に対して差動増幅を行う差動増幅回路１０１と、差動増幅回路１０１の出力を電圧・電流変換して出力するプリドライバ回路１０３と、プリドライバ回路１０３の出力により駆動される出力段１０６とを有してなる演算増幅器であって、プリドライバ回路１０３を構成するプリドライバ用トランジスタ３のベース電流の増加を抑圧し、出力電流（出力ソース電流）の過電流保護を可能とした過電流保護回路１０４が設けられたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップダイオード（ＢＳＤ）を用いない新たな方式のブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】ブートストラップ部用電源供給部１０は、抵抗Ｒ１からなる回路である。抵抗Ｒ１の一方の端子は、Ｐ母線と接続している。抵抗Ｒ１の他方の端子は、コンデンサＣ１およびツェナーダイオードＤ１の並列回路の一端と接続している。コンデンサＣ１は、充電された電圧をスイッチング素子駆動用回路（ＨＶＩＣ４）に印加する。抵抗Ｒ１は、メイン電源母線に一方の端子が接続し、他方の端子がコンデンサＣ１と接続して、メイン電源母線の電圧をコンデンサＣ１に印加する。抵抗Ｒ１によって、メイン電源側からブートストラップ回路のコンデンサＣ１を充電することができる。 （もっと読む）

【課題】ペルチェ素子を加熱および冷却を切替えて使用する。
【解決手段】一端が負荷と接続され、他端が負荷を駆動する駆動用電源と接続され、少なくとも、入力端子に入力される第１の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第１のスイッチング素子と、一端が負荷および第１のスイッチング素子の一端と接続され、他端が基準電位と接続され、第２の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第２のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子がオフ状態である場合に、第１のスイッチング素子の入力端子に電圧を供給する電圧供給部と、第１の制御信号および第２の制御信号のそれぞれを、第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子のそれぞれに供給し、第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子とを交互にオン・オフ動作させる制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ基準電圧回路１００を確実に起動させることができる。
【解決手段】電源電圧がｐＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電圧の閾値に到達する前には、ｐＭＯＳトランジスタＰ６により電源ＶｄｄとｐＭＯＳトランジスタＰ４のソース端子との間を開放させている。このため、電源電圧がｐＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電圧の閾値に到達する前に、抵抗素子Ｒ３ａによってコンデンサＣ１から電荷を放出させて、コンデンサＣ１のプラス電極の電位をｐＭＯＳトランジスタＰ４のゲート端子の電位の閾値よりも低くすることができる。電源電圧が上昇してｐＭＯＳトランジスタＰ６が電源ＶｄｄとｐＭＯＳトランジスタＰ４のソース端子との間を接続すると、ｐＭＯＳトランジスタＰ４がオンして、電源ＶｄｄからｐＭＯＳトランジスタＰ６、Ｐ４を通してスタートアップ電流をｎＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２のゲート端子に流すことができる。 （もっと読む）

【課題】内部ダイオード又は外部ダイオードを使用せずに、逆方向へ導通可能なＭＯＳ−ＦＥＴ回路を提供すること。
【解決手段】ＭＯＳ−ＦＥＴ（１０）と、このＭＯＳ−ＦＥＴ（１０）のドレインをマイナス入力に接続し、ソースをプラス入力に接続したオペアンプ（１５）と、このオペアンプ（１５）の出力を一方の入力とし、ゲート端子（１４）を他方の入力とした第一ＯＲ回路（１７）とからなり、前記第一ＯＲ回路（１７）の出力を前記ＭＯＳ−ＦＥＴ（１０）のゲートに接続した。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の個数を減らし、スイッチング素子を送受信時共有して、ＲＦアンテナスイッチのサイズを減らすと共に、小型化及びワンチップ化にさらに応じるＲＦアンテナスイッチ回路、高周波アンテナ部品及び移動通信機器を提供する。
【解決手段】アンテナ１と、少なくとも一つの送信段２及び少なくとも一つの受信段３を備える複数の入出力段と、少なくとも一つの送信段２とアンテナ１側の共通ノード４、５との間の送信経路上に配置され、制御信号によって信号を伝達する少なくとも一つの送信スイッチブロック１０と、受信段３と共通ノード４、５との間の受信経路上に配置され、制御信号によって伝達する少なくとも一つの受信スイッチブロック３０、３０ａ、３０ｂと、スイッチング素子を共有して各々の送信及び受信動作と同期してオン動作する共用送受信スイッチブロック５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】体格及びコストの増大が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】直流電源とグランドとの間に直列接続された２つの単位回路と、単位回路を制御する制御部と、を備え、２つの単位回路の中点に誘導性負荷が接続された半導体装置であって、２つの単位回路それぞれは、第１スイッチ素子と、第１スイッチ素子と逆並列接続された還流ダイオードと、還流ダイオードと第１スイッチ素子それぞれと並列接続されたバイパス部と、を有し、バイパス部は、直列接続された第２スイッチ素子及び抵抗を有し、制御部は、２つの単位回路の第１スイッチ素子をＯＦＦ状態にするデッド期間を挟んで、２つの第１スイッチ素子を交互にＯＮ状態とし、デッド期間において、一方の第１スイッチ素子がＯＦＦ状態からＯＮ状態に移行するまで、一方の第１スイッチ素子と並列接続された第２スイッチ素子をＯＮ状態にする。 （もっと読む）

【課題】オン指令期間とオフ指令期間の両期間における電流を高精度に検出する。
【解決手段】制御装置１３は、ＰＷＭ駆動信号のオン指令期間において、電流検出回路１４による検出電流と電源電圧検出回路１５による検出電源電圧を電圧方程式に適用してオン期間電流経路の抵抗値とインダクタンス値を算出する。これらの値から還流経路１２以外の経路の抵抗値とインダクタンス値を減算してオフ期間電流経路の抵抗値とインダクタンス値を求める。オフ指令期間において、オフ期間電流経路の抵抗値Ｒとインダクタンス値Ｌ、ダイオード７の順電圧Ｖｆおよび前回の計算で求めた前回電流値を電圧方程式に適用し、リニアソレノイド２に流れる負荷電流を順次算出する。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる信号処理回路の提供する。
【解決手段】入力された信号の位相を反転させて出力する論理素子を２つ（第１の位相反転素子及び第２の位相反転素子）と、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有する記憶素子であって、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタと容量素子との組を２つ（第１のトランジスタと第１の容量素子との組、及び第２のトランジスタと第２の容量素子との組）有する。そして、信号処理回路が有する記憶装置に上記記憶素子を用いる。例えば、信号処理回路が有するレジスタ、キャッシュメモリ等の記憶装置に上記記憶素子を用いる。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子の回生動作時の電力損失を抑制し、かつ、安定してターンオン／オフさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】制御回路とスイッチング素子Ｑ１のゲートとの間に接続され、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とダイオードＤ１からなる直列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間にＰＮＰ型トランジスタＱ２が抵抗Ｒ２を介して接続され、トランジスタＱ２のコレクタ・ベース間にダイオードＤ２が接続され、さらにトランジスタＱ２のベースはダイオードＤ１のアノードに接続され、制御回路からのオフ信号が入力されると、トランジスタの接合電圧とダイオードＤ２との順方向電圧との差分電圧を残してゲートとソースとの間を短絡する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、電力変換装置における温度検出素子の時間変化率を検出し、温度上昇の事前予測によりフェールセーフをかけることで、発熱半導体素子の発熱抑制とモジュールケースの冷却構造最適化を実現することである。
【解決手段】上記課題を解決するために、前記半導体素子のモジュールケースまたは素子自体の温度の時間変化率を検出する検出手段と、素子のゲート抵抗値を可変にする抵抗可変回路とを設け、前記検出温度の時間変化率が所定の設定値以上になったと判断されたときは、ゲート抵抗値を前記抵抗可変回路により低減することを特徴とする電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイス（メインスイッチＭ）のゲートの印加電圧をバッテリ１２の正電圧より高い電圧と負電圧との双方の電圧とする場合、電源装置の小型化が困難なこと。
【解決手段】バッテリ１２、端子Ｔ３、スイッチング素子ＳＷ１、コンデンサＣ、スイッチング素子ＳＷ２、逆流防止用ダイオードＤ１、端子Ｔ１および充電用抵抗体１４によって、メインスイッチＭのゲート充電経路が構成される。また、放電用抵抗体１６、端子Ｔ２、逆流防止用ダイオードＤ２、スイッチング素子ＳＷ３、コンデンサＣ，スイッチング素子ＳＷ４、および端子Ｔ４によって、メインスイッチＭのゲート放電経路が構成される。さらに、端子Ｔ３、スイッチング素子ＳＷ６、逆流防止用ダイオードＤ４、コンデンサＣ、逆流防止用ダイオードＤ３、スイッチング素子ＳＷ５および端子Ｔ４によって、コンデンサＣの充電経路が構成される。 （もっと読む）

【課題】回路を構成するトランジスタ数を少なくし、且つレベルシフタを配置することな
くシフトレジスタとして正確に動作を行う半導体回路の提供することを課題とする。
【解決手段】第１端子が高電位電源に接続されたｐチャネル型トランジスタと、第１端子
が低電位電源に接続されたｎチャネル型トランジスタと、を含む回路群と、インバータ回
路と、をｍ段（ｍは任意の正の整数であり、ｍ≧３）有し、第２ｎ−１段目（ｎは任意の
整数であり、ｍ≧２ｎ≧２）の回路群の前記ｎチャネル型トランジスタのゲートにはクロ
ック信号が入力され、第２ｎ段目（ｎは任意の整数であり、ｍ≧２ｎ≧２）の回路群の前
記ｎチャネル型トランジスタのゲートには反転クロック信号が入力される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制しつつ、カラー発光及び白色発光の双方を行うことのできる光源駆動装置を実現する。
【解決手段】駆動装置１０は、ＬＥＤ１００、２００、及び３００に対して電流を供給可能な電流供給部１５と、ＬＥＤ１００及び２００にそれぞれ接続された抵抗１３及び抵抗１４と、電流供給部１５を、上記複数のＬＥＤの何れか１つに対して、抵抗１３及び抵抗１４を介することなく選択的に接続または遮断するスイッチ部１１と、電流供給部１５を、上記抵抗が接続された各ＬＥＤに対して、上記抵抗を介して接続または遮断するスイッチ部１２と、を備えており、第１の発光モードにおいて、上記複数のＬＥＤの何れか１つをスイッチ部１１により電流供給部１５に接続し、第２の発光モードにおいて、スイッチ部１２を接続状態に設定すると共に、上記抵抗が接続されていないＬＥＤをスイッチ部１１により電流供給部１５に接続する。 （もっと読む）

【課題】微細化に適し、且つ演算処理を行う各種論理回路において、演算処理を実行中に電源をオフする場合でも、電源をオフする直前に入力された電位を保持できる論理回路を提供することである。また、該論理回路を有する半導体装置を提供することである。
【解決手段】入力端子および出力端子と、入力端子および出力端子に電気的に接続された主要論理回路部と、入力端子および主要論理回路部に電気的に接続されたスイッチング素子を有し、スイッチング素子の第１端子は入力端子と電気的に接続されており、スイッチング素子の第２端子は主要論理回路を構成する１以上のトランジスタのゲートと電気的に接続されており、スイッチング素子は、オフ状態におけるリーク電流がチャネル幅１μｍあたり１×１０^−１７Ａ以下のトランジスタとする論理回路である。また、このような論理回路を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】周辺の回路構成を複雑にすることなく、繰り返しのデータの書き込みの際の劣化を低減することが可能な、不揮発性スイッチとして用いる半導体装置を提供する。
【解決手段】電源電圧が停止しても導通状態に関するデータの保持を、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタに接続されたデータ保持部で行う構成とする。そしてデータ保持部は、ダーリントン接続された電界効果トランジスタ及びバイポーラトランジスタを有する電流増幅回路における、電界効果トランジスタのゲートに接続することでデータ保持部の電荷をリークすることなく、導通状態を制御する。 （もっと読む）