【課題】新たな構成の不揮発性の記憶回路を提供する。
【解決手段】第１の記憶回路と、第２の記憶回路と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、位相反転回路と、を有し、第１の記憶回路は、酸化物半導体膜により形成された第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、を有する。酸化物半導体膜により形成された第１のトランジスタと、容量素子と、を用い不揮発性の記憶回路を構成する。また、記憶回路に接続する電源線、及び信号線を少なくし、当該記憶回路に用いるトランジスタ数を減少させることで、回路規模の小さい不揮発性の記憶回路を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】入出力端子におけるアイソレーション劣化を抑制可能とする。
【解決手段】
第１の入出力端子５１と第２の入出力端子５２間に第１の単位スイッチ１０１が、第１の入出力端子５１と第３の入出力端子間５３に第２の単位スイッチ１０２が、それぞれ設けられ、第２の入出力端子５２とグランドとの間に第１のシャントスイッチ１０３及び第１のＤＣカットコンデンサ４９が、第３の入出力端子５３とグランドとの間に第２のシャントスイッチ１０４及び第２のＤＣカットコンデンサ５０が、それぞれ直列接続され、第１及び第２の単位スイッチ１０１，１０２を構成する第１乃至第４のＦＥＴ１〜４のゲート・ドレイン間には、それぞれ付加容量４１〜４４が接続されると共に、第１の単位スイッチ１０１に対して第１の端子間連絡用抵抗器３１が、第２の単位スイッチ１０２に対して第２の端子間連絡用抵抗器３２が、それぞれ並列接続されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝達経路における高調波特性を良好に維持しつつ、回路規模が縮小された高周波スイッチを提供する。
【解決手段】１つの送信ポート１０と、１つの受信ポート２０と、共通ポート３０と、送信側シリーズスイッチ４０と、送信側シャントスイッチ５０と、受信側シリーズスイッチ６０と、受信側シャントスイッチ７０とを有する。送信ポートは、送信信号を入力し、受信ポートは、受信信号を出力し、共通ポートは、送信信号を送信するか、または受信信号を受信する。送信側シリーズスイッチは、送信ポートと共通ポートとの間に接続され、送信側シャントスイッチは、送信ポートとグランドとの間に接続され、受信側シリーズスイッチは、受信ポートと共通ポートとの間に接続され、夫々のスイッチはボディコンタクト型ＦＥＴである。受信側シャントスイッチは、受信ポートとグランドとの間に接続され、フローティングボディ型ＦＥＴである。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの容量を小さくでき安価にＩＣ化できるゲート駆動回路。
【解決手段】直流電源V1の正極に起動抵抗R1を介して一端が接続された第１コンデンサC1と、第１電極と第２電極と第１制御電極とを有し第１コンデンサの一端に第１電極が接続され第２電極が直流電源の負極であるグランドに接続された第１スイッチQ3と、第３電極と第４電極と第２制御電極とを有し第３電極が第１スイッチの第２電極と直流電源の負極であるグランドに接続され第４電極が第１コンデンサの他端に接続された第２スイッチQ4と、第２スイッチの第３電極と第４電極とに並列に接続され一端が直流電源の負極であるグランドに接続された第２コンデンサC2と、パルス信号に基づきスイッチング素子のターンオフ時にスイッチング素子のゲートを第１コンデンサの他端及び第２コンデンサの他端に接続することによりスイッチング素子のゲートを負電圧にさせる負電圧制御部Q1,Q2とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低消費電力かつ小面積であるとともに設計性のよいパワーオンリセット回路またはスタートアップ回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、出力部１０と、第１および第２の電位設定部８，９とを備える。出力部１０は、電源投入時に、中間電位ノードＮ１の電位に応じた制御信号ＲＳを内部回路３に出力する。第１の電位設定部８は、第１の基準電位ノードＶＤＤと中間電位ノードＮ１との間に接続された第１の導電型を有するエンハンスメント型の第１のＭＯＳトランジスタＥＰを含む。第２の電位設定部９は、第２の基準電位ノードＧＮＤと中間電位ノードＮ１との間に直列接続された第２の導電型を有するディプレッション型の複数の第２のＭＯＳトランジスタＤＮ１＿〜ＤＮ＿ｎを含む。複数の第２のＭＯＳトランジスタＤＮ１＿〜ＤＮ＿ｎの各々において、ソースとウェルとが互いに接続される。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】直列に複数個接続されたそれぞれのＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ１〜Ｑ_Ｎ５のソース領域とドレイン領域の間に、ソース領域の電位を基準としてドレイン領域に正電圧を印加する場合と、ソース領域の電位を基準としてドレイン領域に負電圧を印加する場合のいずれの状態においても、ソース領域の電位とドレイン電極の電位が同電位の状態よりも容量が減少する電圧依存性を持つ歪補償用容量回路ＣＡＰＣ２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を駆動回路へ安定的に供給しつつ、部品点数を少なくすることができる電流駆動装置を提供する。
【解決手段】パワートランジスタ３の主端子および制御端子が主端子接続端子１３および制御端子接続端子１４にそれぞれ接続されることにより、第１の電源４の電圧を所定の目標出力電圧に降圧する３端子レギュレータ１０として機能する３端子レギュレータ構成回路１２と、第１の電源４より低い電圧を出力する第２の電源６からの電力を用いて、３端子レギュレータ構成回路１２がパワートランジスタ３の制御端子に印加する目標出力電圧に対応する制御電圧を設定する電圧設定回路１８と、制御端子接続端子１４に接続され、第１の電源４から電力が供給されると、３端子レギュレータ構成回路１２の出力電圧Ｖ_ＯＵＴが予め定められた電圧Ｖ_Ｃ以下となるようにパワートランジスタ３の制御端子に印加される制御電圧を制御する電圧制限回路１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低い導通状態で、グランド電圧に対して正電圧側と負電圧側に振幅する大信号入力を可能とするＣＭＯＳアナログスイッチ回路を提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタ１０１、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のソース同士を入力端子１０６に接続し、ドレイン同士を出力端子１０７に接続して構成される相補構成のＣＭＯＳアナログスイッチ回路１０３において、ＰＭＯＳトランジスタ１０１のバックゲートに正電源電圧を供給し、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のバックゲートに負電源電圧を供給し、正電源電圧または負電源電圧のうち、いずれか一方を負電圧制御信号Ｓ1としてＰＭＯＳトランジスタのゲートに供給し、他方を負電圧制御信号Ｓ2としてＮＭＯＳトランジスタのゲートに供給する。 （もっと読む）

【課題】回路に設けた容量をソフトスタート機能と共用可能でき、タイマ時間の設定の自由度が高くて精度の良いタイマ機能を実現可能な信号生成回路を提供する。
【解決手段】電流供給回路11から供給する電流Issを、回路に設けた共用する容量(Css)12に供給するとともに、差動増幅器21の比較入力としてクランプ回路20に加える。クランプ回路20は、容量(Css)12の電流供給回路11側端子電圧Vssとソフトスタート完了指示電圧Vc10を比較することにより、端子電圧Vssがソフトスタート完了電圧Vc1を上回った場合に、容量(Css)12に供給される電流Issを全て引き込むようしてクランプ機能を働かせる。クランプ回路20がクランプ作動状態に入る少し前に、差動増幅器21の出力Vo1が単相増幅器31のしきい値電圧Vtaを過ぎると、電流Issの切り替え(電流値Iss1から電流値Iss2への切り替え)が行われる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減したマルチプレクサを提供する。
【解決手段】マルチプレクサ１００は、複数の差動信号を受け、制御信号に応じたひとつを選択して出力ポートＰｏから出力する。複数の差動入力ポートＰｉ_１〜Ｐｉ_５には、複数の差動信号Ａ〜Ｅそれぞれが入力される。バッファＢＵＦ_１〜ＢＵＦ_５は、複数の差動入力ポートＰｉ_１〜Ｐｉ_５ごとに設けられ、それぞれが、対応する差動入力ポートと接続される差動入力端子Ｄｉと、出力ポートＰｏと接続される差動出力端子Ｄｏを有する。バッファＢＵＦは、差動入力端子Ｄｉに入力される差動信号に応じた差動信号を出力するイネーブル状態と、消費電流が実質的にゼロとなり、その差動出力端子がハイインピーダンスとなるディスエーブル状態と、が制御信号に応じて切りかえ可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、正弦波と同様に緩やかに変化する波形でスイッチング素子を制御できる信号出力回路を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ８Ｔは、ゲートに与えられるＰＷＭ信号のレベル変化に応じてカレントミラー回路７の動作を制御し、カレントミラー回路７が動作すると電流源６が発生した電流がミラー電流として流れ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１のゲートを介してゲート−ソース間の容量成分に充電されている電荷を放電させる電流が流れる。カレントミラー回路７の動作が停止すると、カレントミラー回路５より電流源６を介して流れる電流が、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１のゲートに充電電流として供給される。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体デバイスを使用する電池駆動のドライバと同程度に効率的な圧電アクチュエータ用のシングルチップドライバを提供する。
【解決手段】圧電アクチュエータ用のドライバは、単一の半導体デバイスとしてパッケージされる、好ましくは単一の半導体ダイの上に形成されるパルス幅変調器３３および出力増幅器３４を含む。ドライバは、好ましくはプログラム可能な利得を有する出力増幅器３４に電力を供給する第１の昇圧コンバータを含む。第１の昇圧コンバータのスイッチングトランジスタのゲートを駆動するための第２の増幅器は、第２の昇圧コンバータによって電力が供給される。圧電アクチュエータ２２は、電池駆動の電子デバイスのキーボードまたはディスプレイに対して触覚フィードバックを提供する。 （もっと読む）

【課題】省電力化および信頼性の向上、または小面積化を実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】電源遮断が行われない内部電源Ｖｉｎｔ０と電源遮断が行われる内部電源Ｖｉｎｔ１との間を接続する電源スイッチＳＷと、電源遮断が行われる内部電源Ｖｉｎｔ１の電圧を判定する内部電圧判定回路ＶＩＮＴＤＥＴを設ける。電源遮断が行われる内部電源Ｖｉｎｔ１は、外部電源Ｖｅｘｔからレギュレータ回路ＶＲＥＧを用いて生成する。Ｖｉｎｔ１の電源遮断時は、ＳＷをオフにし、ＶＲＥＧのオフおよびＶＲＥＧ出力の接地電位ＧＮＤへのショートを行い、Ｖｉｎｔ１の電源復帰時は、ＶＲＥＧのオンおよびショートの解除を行い、上昇したＶｉｎｔ１の電圧をＶＩＮＴＤＥＴで判定した上で回路ブロックＢＬＫ１の動作開始およびＳＷのオンを行う。 （もっと読む）

【課題】 高電位側スイッチング素子の導通を示す第１状態から前記高電位側スイッチングデバイスの非導通を示す第２状態への遷移、または前記第２状態から前記第１状態への遷移に伴い発生する過渡的な電圧ノイズに曝された場合であっても誤信号が発生することのない半導体回路を提供する。
【解決手段】 高電位側スイッチング素子駆動回路１は、レベルシフト回路２の第１の負荷抵抗２８、２８に発生するオン側、オフ側の第１のレベルシフト済み信号Ｓ４、Ｓ５のうち少なくとものいずれか一方に信号が発生したときに、第２の負荷抵抗３０、２９に同時に発生する第２のレベルシフト済み信号Ｓ６、Ｓ７によって制御され、他方の出力が発生しないようにレベルシフトの出力を抑制する短絡手段３１、３２を有する。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を増大させずにスイッチング時間を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】複数の端子間の接続状態を切り替えるスイッチ部と、高電位側電源の電位よりも高い正電位を生成する正電圧生成回路と、前記正電圧生成回路の出力に接続され、端子切替信号により前記スイッチ部に制御信号を供給する駆動回路と、前記スイッチ部と同一基板に設けられ前記複数の端子間の接続状態の変化に対応した第１の時間は前記正電圧生成回路の出力を前記高電位側電源に接続し、前記第１の時間経過後は前記正電圧生成回路の出力から前記高電位側電源を切り離すように制御する電圧制御回路と、を備えたことを特徴とする半導体スイッチが提供される。 （もっと読む）

【課題】コストおよび消費電力の増大をともなう高速の演算増幅器に依存することなく、ＩＣ化に適した回路でもって、高い周波数領域での静電容量挙動を高感度かつ高確度に検出できるようにし、これにより、高周波領域での誘電率挙動による物性の検査や分析を的確に行うことを可能にする。
【解決手段】２つのセンサ容量素子Ｃｘ１，Ｃｘ２を高周波クロック信号＋Φ１に同期して相補的に充放電させる通電回路５０と、その２つのセンサ容量素子の通電電流差分ΔＩｘと上記高周波クロック信号＋Φ１とのアナログ乗算操作によって、上記通電電流差分に応じた直流成分を有する電圧Ｖｏ１を出力する同期検波回路１０と、この同期検波回路１０の検波出力電圧を平滑処理しながら増幅する演算増幅器３０とを備え、この演算増幅器３０の出力から上記２つのセンサ容量素子の静電容量差分ΔＣｘに対応する直流出力電圧を得る。 （もっと読む）

【課題】高集積化および低消費電力化を可能にする。
【解決手段】第１乃至第４の方向にそれぞれ設けられた第１乃至第ｎ（≧１）の信号線と、前記第１乃至第４の方向にそれぞれ設けられた第１乃至第ｎの入出力部であって、各方向における第ｉ（１≦ｉ≦ｎ）の入出力部は、一端が対応する方向の第ｉの信号線に接続する第１乃至第ｎの入出力部と、第１乃至第２ｎの接続端子と、前記第１乃至第４の方向にそれぞれ設けられ、各方向において前記第１乃至第ｎの入出力部のそれぞれと、前記第１乃至第２ｎの接続端子のそれぞれを接続するためにそれらの間に１個ずつ設けられ、ゲートにクロック信号を受ける２ｎ^２個のスピンＭＯＳＦＥＴと、を備えている。 （もっと読む）

スイッチ再構成タイミング要件の異なる複数のデータフォーマットを同時にサポートするクロスポイント・セレクタスイッチは、演算スイッチ・データに応じて、その出力を選択的にその入力のそれぞれからデータを受け取るように接続する構成可能なスイッチ部と、このスイッチ部に演算スイッチ・データを供給するように動作可能に接続されている構成部とを備えている。構成部は、スイッチ部の複数の異なる構成をサポートするスイッチ構成データを記憶し、また、構成部は、スイッチ部の異なる構成とそれぞれ関連付けられた異なる演算更新コマンドを受け取って、異なる演算更新コマンドのどれを受け取ったのかに基づき、記憶しているスイッチ構成データで演算スイッチ・データを更新することでスイッチ部を再構成するように動作する。 （もっと読む）

【課題】リセットタイミングのバラツキを低減するとともに、通常動作時の消費電力を低減し、且つ回路面積を小さくする低電流小型のパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】電源電圧を分圧する複数のトランジスタからなる分圧回路と、分圧回路で分圧された電圧に基づいて電源電圧が所定値以上か否かを検出する回路とからなる電圧検出回路と、電圧検出回路の出力信号が入力するインバータと、インバータの入力と接地との間に接続されたトランジスタと、を備えるパワーオンリセット回路である。 （もっと読む）

【課題】使い勝手の良い単一チャネル型のバッファ回路を提案する。
【解決手段】単一チャネルの薄膜トランジスタで形成されるバッファ回路を、（ａ）第１及び第２の薄膜トランジスタの直列接続で構成される第１の出力段と、（ｂ）一方の主電極が第１の薄膜トランジスタの制御配線（第１の制御配線）に接続され、他方の主電極が第２の薄膜トランジスタの電源に接続され、制御電極が第２の制御配線に接続される第７の薄膜トランジスタと、（ｃ）一方の主電極が第２の薄膜トランジスタの制御配線（第２の制御配線）に接続され、他方の主電極が第２の薄膜トランジスタの電源に接続され、制御電極が第１の制御配線に接続される第８の薄膜トランジスタと、（ｄ）第１の出力段と並列に接続される第２の出力段の出力端が制御電極に接続され、一方の主電極が第１の制御配線に接続される第１１の薄膜トランジスタで構成される。 （もっと読む）