【課題】コモンノイズを低減する。
【解決手段】半導体装置１０は、直列に接続された半導体スイッチング素子１１，１２と、正極端子１３と、負極端子１４と、出力端子１５とを具備する半導体モジュール１６と、半導体モジュール１６に絶縁されたボディ１７とを備える。ボディ１７と、各端子１３，１５，１４およびデバイスとの間の各浮遊容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ０と、ボディ１７の浮遊インダクタンスＬｂと、コモンノイズの電流経路に応じた角速度ωとに対して、
［１／（ω・Ｃ１）＜｛ω・Ｌｂ＋１／（ω・Ｃ０）｝］と、［１／（ω・Ｃ３）＜｛ω・Ｌｂ＋１／（ω・Ｃ０）｝］と、（Ｃ２＜Ｃ１）と、（Ｃ２＜Ｃ３）とを満たす。 （もっと読む）

【課題】発振信号にノイズが発生してデッドタイムパルスが短くなる場合でも、ハイサイドドライブ信号およびローサイドドライブ信号を切り替えて出力することが可能なドライブ信号生成回路を提供する。
【解決手段】ドライブ信号生成回路１は、第１のパルス信号を出力するデッドタイムパルス生成回路１ａと、第２のパルス信号Ａを出力するデッドタイム調整回路１ｂと、第３のパルス信号Ｂを出力する補償パルス生成回路１ｃと、第２のパルス信号Ａと第３のパルス信号Ｂとの論理和を演算し、この演算結果に応じた第４のパルス信号Ｚを出力するＯＲ回路１ｄと、第４のパルス信号Ｚに応じて、ハイサイドドライブ信号ＳＨおよびローサイドドライブ信号ＳＬを出力する論理回路１ｅと、を備える。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】直列に複数個接続されたそれぞれのＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ１〜Ｑ_Ｎ５のソース領域とドレイン領域の間に、ソース領域の電位を基準としてドレイン領域に正電圧を印加する場合と、ソース領域の電位を基準としてドレイン領域に負電圧を印加する場合のいずれの状態においても、ソース領域の電位とドレイン電極の電位が同電位の状態よりも容量が減少する電圧依存性を持つ歪補償用容量回路ＣＡＰＣ２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】高圧側オペアンプ及び低圧側オペアンプのいずれかに過電流が発生することを防止できる駆動回路を提供する。
【解決手段】駆動回路は、高圧側オペアンプ３７Ｂ、低圧側オペアンプ３７Ａ及びスイッチ回路３８１を備える。高圧側オペアンプ３７Ｂは、ＶＭＭ電源ラインに接続されたアノードと高圧側オペアンプ３７Ｂの出力端子ＮＢに接続されたカソードとを有する寄生ダイオード７０と、スイッチ回路３８１により出力端子ＮＢの接続先がデータ線３１Ｂからデータ線３１Ａに切り替えられるときに、寄生ダイオード７０のアノードを電源電圧ＶＭＭよりも低い電圧ＶＳＳを供給する第１の電圧供給ラインに接続する保護スイッチ回路６２とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の負荷の駆動状態に応じて、スイッチング損失の低減とノイズの抑制とを図ることができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】複数の負荷２Ａ〜２Ｄについて個別に設けられ、半導体スイッチング素子５，６により前記負荷をスイッチング駆動する複数の負荷駆動手段３Ａ〜３Ｄで、台形波傾き制御プリドライバ７が、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５，６のゲートに対してそれぞれ台形波状のパルス信号を出力する場合に、台形波の立上り及び立下りの傾きを変更可能に構成し、４チャネル駆動の場合は傾きを大きく、１チャネル駆動の場合は台形波の傾きを小さくする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性のばらつきにかかわらず画像ムラがなく、高精細・高解像度の良好な画像を得ることができる半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置を提供する。
【解決手段】半導体表示装置はソース信号線側駆動回路と、ゲイト信号線側駆動回路とを有し、駆動回路はシフトレジスタ回路からのタイミング信号をバッファする複数のインバータ回路を有するバッファ回路を有し、インバータ回路は複数のインバータ回路を並列に接続して構成される。 （もっと読む）

【課題】センス比の温度分布依存性を除去し、センスＭＯＳＦＥＴによる電流検出の精度を向上できる電流制御用半導体素子、およびそれを用いた制御装置を提供することにある。
【解決手段】電流制御用半導体素子１は、同一半導体チップ上に、電流を駆動するメインＭＯＳＦＥＴ７と、メインＭＯＳＦＥＴ７に並列に接続し、メインＭＯＳＦＥＴの電流を分流して電流検出を行うためのセンスＭＯＳＦＥＴ８とを有する。メインＭＯＳＦＥＴは、複数のチャネルを有し、一列に配列されたマルチフィンガーＭＯＳＦＥＴを使用して形成される。マルチフィンガーＭＯＳＦＥＴ７の中心から、最も遠いチャネルまでの距離をＬとすると、マルチフィンガーＭＯＳＦＥＴの中心から（Ｌ／（√３））の位置に最も近いチャネルを、センスＭＯＳＦＥＴ８のチャネルとして使用する。 （もっと読む）

【課題】２つのクロック信号を切り替えて出力する切替回路において、出力信号のデューティ比を、入力されるクロック信号のデューティ比に保つこと。
【解決手段】切替回路１００は、制御信号ＣＯＮＴに応じて、入力信号ＩＮ１，ＩＮ２を切り替えて出力信号ＯＵＴとして出力する。具体的には、制御信号ＣＯＮＴが「Ｌレベル」のときには、クロックドインバーターＸ２が動作し、信号ＩＮ１が信号ＯＵＴとして出力され、制御信号ＣＯＮＴが「Ｈレベル」のときには、クロックドインバーターＸ４が動作し、信号ＩＮ２が信号ＯＵＴとして出力される。 （もっと読む）

【課題】通過損失が少なく出力特性が良いＳＯＩ基板上の高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の高周波スイッチ回路は、シリコン基板２０上に形成された酸化膜２１上に、第１の端子１と、入出力端子２と、第１の電極４ｂが前記第１の端子１に電気的に接続され、第２の電極４ｃが前記入出力端子２に接続されたＦＥＴ４とを備える。第１の層間絶縁膜２２が前記ＦＥＴを周囲から離間分離し前記酸化膜２１に達する溝に埋め込まれて配置され、前記酸化膜２１と接続され、前記ＦＥＴ４を周囲から絶縁する。導電体層１０が、前記溝内の前記第１の層間絶縁膜２２上に形成され、接地端子ＧＮＤに接続される。第２の層間絶縁膜２３が、前記導電体層１０上及び前記ＦＥＴ４上に形成される。直流電圧を供給する配線層７が、前記溝内の第１の層間絶縁膜２２上且つ前記導電体層１０上に前記第２の層間絶縁膜２３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】アクティブクランプ回路の動作期間を短縮したアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１のスイッチ素子と、第１のダイオードと、第１の抵抗と、制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第１のダイオードは、前記第１のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第１の抵抗は、前記第１のダイオードの電流を検出する。前記制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第１のスイッチ素子の電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】放熱設計や配線設計によるコストを抑制するスナバデバイスを備えた半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、スイッチングトランジスタ１と、スイッチングトランジスタ１と同一導電性基板（フレーム）上に実装されるリカバリーダイオード２及びスナバデバイス６とを備える。スナバデバイス６は、スイッチングトランジスタ１の出力端子Ｃ−基準端子Ｅ間に接続されたＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３と、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のゲート端子Ｇ−ドレイン端子Ｄ間に形成されたツェナーダイオード４と、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のゲート端子Ｇ−ソース端子Ｓ間に形成された抵抗器５とを備える。スイッチングトランジスタ１の基準端子Ｅ、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のソース端子、リカバリーダイオード２のアノード端子が共通接続される。 （もっと読む）

【課題】ｄｖ／ｄｔ印加時に誤動作を防止し且つローサイド側からハイサイド側へ信号を伝達し低電圧でも広い範囲で動作するレベルシフト回路。
【解決手段】ｄｖ／ｄｔ過渡信号が印加され且つ入力信号が入力されないとき第１抵抗R1を含むセット側負荷抵抗R1,R9,MP1のオン抵抗及び第２抵抗Ｒ２を含むリセット側負荷抵抗R2,R10,MP2のオン抵抗を第１抵抗及び第２抵抗よりも小さくし、トランジスタMN3がオンである場合にセット信号を生成し且つセット側負荷抵抗をリセット側負荷抵抗よりも大きくし、トランジスタMN4がオンである場合にリセット信号を生成し且つリセット側負荷抵抗をセット側負荷抵抗よりも大きくする制御部MN1,MN2,MP1,MP2,R1,R2,R9,R10、セット信号とリセット信号とに基づいて入力信号をレベルシフトした出力信号を出力するフリップフロップ12を備える。 （もっと読む）

【課題】ｄｖ／ｄｔ印加時に誤動作を防止し且つローサイド側からハイサイド側へ信号を伝達し低電圧でも広い範囲で動作するレベルシフト回路。
【解決手段】トランジスタＭＮ３とトランジスタＭＮ４とをオン／オフさせるパルス発生回路１０、第１抵抗Ｒ１の両端に第３抵抗Ｒ９と非線形特性を有し且つ一定以上のｄｖ／ｄｔ過渡信号が印加された場合にオンするダイオードＤ３〜Ｄ６とが接続された直列回路、第２抵抗Ｒ２の両端に第３抵抗と同じ抵抗値を有する第４抵抗Ｒ１０とダイオードとが接続された直列回路、ＭＮ３がオンである場合にセット信号、ＭＮ４がオンである場合にリセット信号を生成し、ＭＮ３のドレインにおける電位とＭＮ４のドレインにおける電位との間において電圧差が生じていない場合にはいずれの信号も生成しない制御部、セット信号とリセット信号とに基づいて入力信号をレベルシフトした出力信号を出力するフリップフロップ１２を備える。 （もっと読む）

【課題】過電流を検出するための検出用抵抗を必要としない過電流検出機能および保護機能を有する負荷駆動装置及びこれを用いた電気機器を提供する。
【解決手段】
負荷駆動装置１００は、入力信号ＳＩに基づいて第１制御信号ＳＡを生成する制御部２と、第１制御信号ＳＡに基づいて負荷に出力電流を供給する第１主電極、第２主電極及び制御電極を有する第１出力トランジスタＭ１０と、直列に接続された第１トランジスタと第２トランジスタを用いて第１出力トランジスタＭ１０の第１主電極と第２主電極間の電圧を分圧し第１分圧電圧Ｖ１を出力する第１分圧回路２０と、第１基準電圧Ｖ２を出力する第１電圧生成回路３０と、第１基準電圧Ｖ２と第１分圧電圧Ｖ１に基づいて第１過電流検出信号ＯＡを制御部２に供給する第１比較器１０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電源検知回路において、ＢＴ劣化によって比較回路のミスマッチが増大することに起因する電源検知信号の精度の劣化を抑制する。
【解決手段】検知用比較回路１０４は、入力切替信号生成回路１１２によって、その出力の活性状態と非活性状態との切替時付近では、入力信号１０２と基準電圧１０３とを入力して、その両者の比較を行う。一方、前記切替時付近以外では、比較回路非使用時入力電圧１１０が検知用比較回路１０４に入力されて、その差動入力が同電位に固定される。従って、ＢＴ劣化による電源検知精度の経年劣化が有効に抑制される。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低い導通状態で、グランド電圧に対して正電圧側と負電圧側に振幅する大信号入力を可能とするＣＭＯＳアナログスイッチ回路を提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタ１０１、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のソース同士を入力端子１０６に接続し、ドレイン同士を出力端子１０７に接続して構成される相補構成のＣＭＯＳアナログスイッチ回路１０３において、ＰＭＯＳトランジスタ１０１のバックゲートに正電源電圧を供給し、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のバックゲートに負電源電圧を供給し、正電源電圧または負電源電圧のうち、いずれか一方を負電圧制御信号Ｓ1としてＰＭＯＳトランジスタのゲートに供給し、他方を負電圧制御信号Ｓ2としてＮＭＯＳトランジスタのゲートに供給する。 （もっと読む）

【課題】回路構成が簡易、小型でウェル・バイアス電圧の立ち上がり時間が短く、安定した負昇圧クロックを供給することが可能なクロック負昇圧回路を提供する。
【解決手段】クロック負昇圧回路部３０１、クロック負昇圧回路部３０２、クロック負昇圧回路部３０１、クロック負昇圧回路部３０２のウェル層上に設けられたＮＭＯＳトランジスタ１０７に電圧を供給するキャパシタ４０３、ＮＭＯＳトランジスタ１０４を備え、クロック負昇圧回路部３０１が備えるＮＭＯＳトランジスタ１０４とキャパシタ４０３とを接続する電圧ライン３０３、クロック負昇圧回路部３０２が備える２つのＮＭＯＳトランジスタ１０４の出力を接続する電圧ライン３０３によってクロック負昇圧回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の用途に適用可能な交流スイッチ（半導体リレー）を提供する。
【解決手段】交流スイッチ１は、ソース（Ｓ）同士を接続した第１化合物半導体ＭＯＳＦＥＴ１１および第２化合物半導体ＭＯＳＦＥＴ１２と、第１化合物半導体ＭＯＳＦＥＴ１１のドレイン（Ｄ）に接続された第１出力端子１３と、第２化合物半導体ＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン（Ｄ）に接続された第２出力端子１４とを含む。交流スイッチ１は、オフ時の第１出力端子１３および第２出力端子１４の間の耐圧が４００Ｖ以上（より好ましくは６００Ｖ以上）であり、オン時の第１出力端子１３および第２出力端子１４の間の抵抗が２０ｍΩ以下（より好ましくは１０ｍΩ以下）である。 （もっと読む）

【課題】２相クロックによる負荷容量の駆動において、負荷容量間の電荷の再利用を行うと共に、出力クロックの高速化を容易にする。
【解決手段】第１クロック信号とその逆位相の第２クロック信号とに対してそれぞれ遅延した第１及び第２遅延クロック信号が生成される。インバータ回路は第１クロック信号と第１遅延クロック信号とが逆位相である逆転期間において第１クロック信号と逆位相の第１電位を第１出力ノードに生成し且つ第２クロック信号と逆位相の第２電位を第２出力ノードに生成し、第１クロック信号と第１遅延クロック信号とが同位相である一致期間において第１出力ノードと第２出力ノードとをハイインピーダンスとする。スイッチ回路は、逆転期間において第１出力ノードと第２出力ノードとを接続するオン状態とする。第１出力ノードと第２出力ノードとは、駆動対象回路の負荷容量に接続される。 （もっと読む）

【課題】モータの実回転方向が回転方向指令と逆になった場合に、フリーホイールダイオードにおいて発生する損失を軽減できるモータ制御装置を提供する。
【解決手段】制御回路６０は、外部より指令として与えられるモータ４の目標回転方向Ｄｔと、回転角センサＳＵ，ＳＶ，ＳＷが出力するセンサ信号に基づき信号生成ブロック７２により検出されるモータ４の実回転方向Ｄｒとが相違する方向不一致状態を検出すると、１２０度通電方式から１８０度通電方式に切り替えてインバータ部７６を構成する上段スイッチング素子ＦＵ，ＦＶ，ＦＷのオン期間を進み位相側に拡げるように制御し、還流電流を上段スイッチング素子ＦＵ，ＦＶ，ＦＷを介して流す。 （もっと読む）